Quantamaterials_V-Ga₂O₃, X-SnO₂, R-In₂O₃

現有的SiC(碳化硅)、GaN(氮化鉀)電力半導體存在單晶生長困難、沉積時缺陷、高生產費用等缺點。

Ga₂O₃（氧化鎵）電力半導體具有寬大的能量帶隙，可實現大口徑化，生產單價低廉的優點。

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