三星半导体3nm制程良率大幅提升 对标台积电

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报告显示,韩国三星电子(Samsung Electronics)在半导体制造方面取得了显著进展,特别是在其3nm制程方面。尽管最初的良率仅为10-20%,但三星已大幅提高了良率,目前达到了60%的峰值,超过了原始数字的三倍。这一进步使三星在半导体行业中更加具有竞争力,有望与台积电等领先企业展开竞争。

据传言,三星的第二代3nm制程将提供出色的性能、功耗效率和面积优化,与台积电的尖端N3P技术相匹配。尽管三星的3nm Gate-All-Around(GAA)制程取得了显著进展,但仍然落后于基于现有FinFET制程的台积电3nm技术。然而,三星对其半导体业务的未来仍持乐观态度,预计在功耗效率和逻辑面积方面将比上一代有所改善。

在最近的年度股东大会上,三星的联席CEO Kyung Kye-hyun对半导体部门的收入前景表示了信心,预计将恢复到2022年之前的水平。值得注意的是,三星的存储业务已于一月份实现盈利,标志着一个重大的转折。此外,三星正在积极探索高带宽内存(HBM)和新兴高速互连协议,如CXL(Compute Express Link)和PIM(Processor In Memory)的机遇,反映了其对创新和客户参与的承诺。

三星Foundry业务总裁Siyoung Choi强调了公司提供稳定和有竞争力的半导体解决方案的承诺。尽管承认英特尔就先进制程节点进行讨论,Choi确认了三星相应制程计划的准备就绪。他强调了稳定供应链和有竞争力的产品的重要性,并引用了三星4nm制程良率的成熟度。

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