📘 第 33/120 單元📡 頻率效應與米勒效應— 看不見的電容,決定速度

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🎯 單元目標

完成本單元後,你將能夠:

  • 理解寄生電容的來源
  • 認識頻率造成的增益衰減
  • 理解米勒效應如何放大電容
  • 建立頻寬(Bandwidth)的工程直覺

🧭 一、先給核心觀念(工程版)

現實中的 BJT 不是「只有三個腳」而已,它裡面其實藏著很多小電容:

  • 👉 低頻時:小電容幾乎像不存在
  • 👉 高頻時:小電容會變成「捷徑」或「拖油瓶」
    讓增益掉下來、速度慢下來、頻寬變窄

一句話:

👉 高頻跑不動,常常不是電阻不夠,而是電容在搗蛋。


🧑‍🏫 二、白話說明(超好懂版)

1) 為什麼會有「寄生電容」?

你可以把 BJT 想成「很多層材料疊起來」的結構。

只要兩塊導體中間隔著材料,就會像電容一樣「能存電」。

✅ 白話:

👉 電晶體天生就像帶著幾顆小電容一起賣。


2) 為什麼低頻沒事,高頻就出事?

電容對交流的「阻力」叫做電容阻抗 XC:

XC = 1 / (2πfC)

  • f 低 → XC 大 → 電容幾乎像「斷路」
  • f 高 → XC 小 → 電容變成「通路」

✅ 白話:

👉 頻率越高,電容越像一條“短路捷徑”。

訊號會被它「分流」走,增益自然掉。


3) 米勒效應到底在幹嘛?(超直覺)

BJT 有一顆很關鍵的小電容:Cbc(基極—集極)

它剛好跨在「輸入端 B」與「輸出端 C」之間。

而 CE 放大器通常增益很大(|Av| 很大):

  • 輸出端電壓變化很大
  • 這顆跨輸入/輸出的電容就像被「放大了很多倍」
  • 造成等效輸入電容暴增 → 輸入端更容易被吃掉

✅ 白話一句:

👉 CE 增益越大,Cbc 這顆“壞電容”就越被放大,速度越慢。


🧠 三、BJT 內部寄生電容

常見兩顆(先記這兩顆就夠用):

  • Cbe(基射極電容)
  • Cbc(基集極電容)
   B
|--||-- E (Cbe)
|
|--||-- C (Cbc)

🧠 四、頻率升高會發生什麼?

電容阻抗:

XC = 1 / (2πfC)

所以:

  • f ↑ → XC ↓
  • 電容越像導線 → 訊號越容易被分流 → 增益下降

🧠 五、米勒效應直覺(重點)

Cbc 在輸入與輸出之間:

      (輸入)B o----||----o C(輸出)
Cbc

CE 放大器輸入輸出反相且有高增益:

  • 輸出變動大
  • 等效「看到的輸入電容」被放大

🧠 六、米勒等效公式(給工程用)

對 CE 而言(近似):

  • 等效輸入電容:Cin ≈ Cbe + (1+|Av|)Cbc
  • 其中米勒放大項:(1+|Av|)Cbc

✅ 工程直覺:

|Av| 越大 → Cin 越大 → 輸入端低通越嚴重 → 頻寬越窄


🧠 七、等效圖(更清楚版 ASCII)

把 CE 放大器「輸入端」簡化成:

訊號源 + 電阻(Rs) + 等效輸入電容(Cin)

Vin o---[ Rs ]---o-----> 放大器輸入
|
|| Cin (≈ Cbe + (1+|Av|)Cbc)
|
GND

這就是一個標準 RC 低通:

頻率越高 → Cin 的阻抗越低 → 訊號被拉到地 → 增益掉


🧠 八、工程後果

  • 頻寬變窄
  • 高頻增益下降
  • 上升沿變慢、方波變圓
  • 高速訊號容易失真

🧾 九、一句話記住本單元

📡 高頻極限常常不是電阻,而是寄生電容(尤其是米勒效應)。


🔬 電子學實驗題(33/120)

實驗名稱:量測放大器頻率響應(Frequency Response)


🎯 實驗目的

觀察:

  • 頻率上升時,CE 放大器增益下降
  • 找到「-3 dB 截止頻率」(頻寬的定義點)

🧰 實驗器材

  • NPN BJT
  • 函數產生器
  • 示波器(雙通道)
  • 電阻(偏壓電阻、RC、RE)
  • 麵包板/導線

🔧 實驗接線 ASCII 圖(CE 放大器量測版)

(簡化表示,重點是 Vin 與 Vout 的量測點)

        VCC
|
[RC]
|
Vout o----+-------> CH2
|
C
|\
Vin o---| > NPN
CH1 |/
E
|
[RE]
|
GND

(若你有耦合電容 Cin/Cout,也可保留,但此單元重點是高頻端衰減。)


🔧 實驗步驟(可直接照做)

Step 1:設定固定輸入幅度

  • 例如:Vin = 50 mVpp(避免失真)
  • 波形:正弦波(最適合頻率響應)

Step 2:掃頻(逐步提高頻率)

建議頻率點(對初學者好操作):

  • 100 Hz → 1 kHz → 10 kHz → 100 kHz → 1 MHz(看你電路能到哪)

Step 3:每個頻率都量 Vin、Vout

  • CH1:Vin(放大器輸入端)
  • CH2:Vout(輸出端)

Step 4:計算每一點增益 Av

  • Av(f) = Vout(f) / Vin(f)

📊 預期觀察(你會看到的現象)

1) 低頻區(Midband)

  • Av 幾乎固定不變(增益穩定)

2) 高頻區(Roll-off)

  • 頻率越高,Vout 越小
  • Av 開始下降(通常呈現每十倍頻下降一段)

✅ 直覺描述:

👉 一開始很能放大,越往高頻越喘,最後推不動。


✅ 專業解析


解析一、RC 低通是頻寬的本質

輸入端出現等效 RC 低通:

Vin o---[ Rs ]---o
|
|| Cin
|
GND

截止頻率概念(不硬背也行):

  • Cin 越大 → 截止頻率越低 → 頻寬越窄
  • Rs 越大 → 截止頻率越低 → 頻寬越窄

解析二、米勒放大讓 Cin 暴增

Cin ≈ Cbe + (1+|Av|)Cbc

所以:

  • CE |Av| 大
  • 米勒項巨大
  • Cin 變大
  • 頻寬變窄

解析三、工程意義:限制速度

高頻增益下降會造成:

  • 方波上升沿變慢(邊緣鈍化)
  • 高速數位訊號失真
  • 高頻放大效果變差

🧠 工程結論(怎麼減少米勒效應?)

👉 高速電路要「減少 Cbc 被放大」:

常見工程做法(你後續單元可接):

  • CB(共基):輸入端不易受到米勒放大(但 Rin 低)
  • Cascode(疊接):讓集極電壓擺幅變小 → 米勒效應減弱
  • 降低增益(分段放大)而不是單級拉爆
  • 佈線縮短、減少額外寄生電容(麵包板會很慘)
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「강신호(姜信號 / Kang Signal)」聚焦電信、網路與 AI 電子核心技術,解析 5G/6G、衛星通訊、訊號處理與產業趨勢,以工程視角輸出可落地的專業洞見,打造強信號的未來。
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