在光通訊中，需要將電子訊號變成光束射出去，且由於要傳輸 800G/1.6T 這種海量數據的話，只有雷射的光夠集中且切換速度夠快；不過，由於雷射非常怕燙，因此衍伸了外部雷射光源（ELS Laser）的解決方案，把雷射晶片放在外面，透過光纖把光打進 CPO 晶片裡。
由於雷射晶片發熱量很大，所以沒辦法放在普通的電路板上，因此需要雷射二極體專用基座（Submount for Laser Diode）。
最底層是由氮化鋁（AIN）做為材質，這是一種陶瓷材料，特點在於導熱快且絕緣，導熱率可達 170/200/230 W/m*k；AIN 的熱膨脹係數（CTE）與雷射晶片（InP/GaAs）也很接近，故在加熱時不會因為膨脹程度不同而弄壞晶片。
中間層則是銅/鎳/金的複合結構，透過厚銅金屬化的技術，讓銅層厚度達到 30-90 µm，用於承受大電流的驅動；由於雷射二極體需要瞬間大電流才能發光，厚銅設計能確保電流順暢且不發燙。
最上層則是預先鋪好的黏著劑，材質為金錫合金，此為黏合雷射晶片的焊料；透過半導體設備把焊料精準地鍍在基座上，厚度控制在 3-5 µm，客戶拿到這個 Substrate 後就不用再自己塗錫膏，只要把雷射晶片放上去並且加熱就可以了。
在供應鏈方面，最底層的氮化鋁（AlN）基板主要掌握在京瓷、丸和等日商手上，中下游廠商皆可直接購買裸板進行加工，因此在材料取得上的起跑點差異不大。
關鍵在於後段製程。第二層的 Ceramic Metallization 雖可透過 DBC 或 DPC 等技術長出銅線，部分台廠亦具備此能力，但在 CPO 等高階應用下，更考驗線路的精密微影能力。
真正的分水嶺在於第三層，目前僅極少數廠商具備預鍍金錫焊料（AuSn）的技術，能直接販售 Ready-to-use 的 Substrate。這類產品能大幅簡化客戶組裝流程並提升良率，因此具備極高的技術護城河與議價能力。
在翻閱某些公司的資料時，剛好看到了這個東西，所以分享出來，每次分享都沒有任何的買賣建議，單純只是分享與紀錄而已，也歡迎大神們分享自己的意見。
在光通訊中，需要將電子訊號變成光束射出去，且由於要傳輸 800G/1.6T 這種海量數據的話，只有雷射的光夠集中且切換速度夠快；不過，由於雷射非常怕燙，因此衍伸了外部雷射光源（ELS Laser）的解決方案，把雷射晶片放在外面，透過光纖把光打進 CPO 晶片裡。
由於雷射晶片發熱量很大，所以沒辦法放在普通的電路板上，因此需要雷射二極體專用基座（Submount for Laser Diode）。
最底層是由氮化鋁（AIN）做為材質，這是一種陶瓷材料，特點在於導熱快且絕緣，導熱率可達 170/200/230 W/m*k；AIN 的熱膨脹係數（CTE）與雷射晶片（InP/GaAs）也很接近，故在加熱時不會因為膨脹程度不同而弄壞晶片。
中間層則是銅/鎳/金的複合結構，透過厚銅金屬化的技術，讓銅層厚度達到 30-90 µm，用於承受大電流的驅動；由於雷射二極體需要瞬間大電流才能發光，厚銅設計能確保電流順暢且不發燙。
最上層則是預先鋪好的黏著劑，材質為金錫合金，此為黏合雷射晶片的焊料；透過半導體設備把焊料精準地鍍在基座上，厚度控制在 3-5 µm，客戶拿到這個 Substrate 後就不用再自己塗錫膏，只要把雷射晶片放上去並且加熱就可以了。
在供應鏈方面，最底層的氮化鋁（AlN）基板主要掌握在京瓷、丸和等日商手上，中下游廠商皆可直接購買裸板進行加工，因此在材料取得上的起跑點差異不大。
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真正的分水嶺在於第三層，目前僅極少數廠商具備預鍍金錫焊料（AuSn）的技術，能直接販售 Ready-to-use 的 Substrate。這類產品能大幅簡化客戶組裝流程並提升良率，因此具備極高的技術護城河與議價能力。
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