二氧化硒鉍
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北京大學研發出以新型材料（二氧化硒鉍）為核心的環栅晶體管技術，晶片厚度僅1.2納米，性能和能效雙雙超越傳統硅基技術。這項突破性技術不僅讓電子設備更省電、更快速，還為中國半導體產業在後摩爾時代提供了全新解決方案，未來或將應用於手機、穿戴設備等領域。
