GAAFET
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台積電 2nm 製程已於 4Q25 量產，首度採用 GAAFET 架構取代 FinFET，帶動薄膜沉積與蝕刻製程升級，ALD 前驅物、特殊氣體、濕式化學品需求同步攀升。哪些已打入台積電供應鏈的台廠，將隨先進製程放量而受惠？本文從製程原理出發，逐一拆解特化材料商機與關鍵供應商。
北京大學研發出以新型材料（二氧化硒鉍）為核心的環栅晶體管技術，晶片厚度僅1.2納米，性能和能效雙雙超越傳統硅基技術。這項突破性技術不僅讓電子設備更省電、更快速，還為中國半導體產業在後摩爾時代提供了全新解決方案，未來或將應用於手機、穿戴設備等領域。
