📘 第 24/120 單元 🔀 BJT 的操作區域— 同一顆電晶體,不同工作狀態

更新 發佈閱讀 8 分鐘

🎯 單元目標

完成本單元後,你將能夠:

• 認識 BJT 三種主要操作區域

• 理解各區域的偏壓條件

• 分辨放大與開關狀態

• 建立工作區選擇的工程直覺


🧭 一、先給核心觀念

BJT 的狀態由:

👉 E-B 接面

👉 B-C 接面

的偏壓方向決定。

不同偏壓 → 不同行為。


🧠 二、三大操作區域總覽(工程版直覺)

  • 截止區(Cutoff) E-B:Reverse B-C:Reverse → 關(OFF)
  • 主動區(Active) E-B:Forward B-C:Reverse → 放大(線性)
  • 飽和區(Saturation) E-B:Forward B-C:Forward(或接近 Forward)→ 開(ON)


🧠 三、截止區(Cutoff)— 兩接面都反向,等效開路

1) 偏壓狀態

E-B : Reverse

B-C : Reverse

2) 載子行為直覺

E  X-->  B  X-->  C

(幾乎無注入) (幾乎無收集)

3) 電路等效(工程視角)

+Vcc --[RC]--o Vout   (幾乎沒電流)

             |

            (open)

             |

            GND

4) 量測特徵

IB ≈ 0

IC ≈ 0

VCE ≈ Vcc   (因為 RC 幾乎沒壓降)


🧠 四、主動區(Active)— 注入 + 收集成立,才是可用放大區

1) 偏壓狀態

E-B : Forward

B-C : Reverse

2) 載子流動(NPN 直覺)

e- 注入           e- 被收集

E  --->  B  ---------------->  C

     (少量復合 = IB)   (多數通過 = IC)

3) 放大關係(控制比例)

IC ≈ β·IB

4) 輸出為何反相(共射極)

Vout = Vcc - IC·RC

 

IB ↑ → IC ↑ → RC壓降 ↑ → Vout ↓

IB ↓ → IC ↓ → RC壓降 ↓ → Vout ↑

5) 量測特徵(判斷是否仍在線性)

VCE 在中間區間 (不貼近 Vcc,也不貼近 0.2V)

VCE 會隨 Vin 平滑變動

用途:


👉 放大器(線性區)



🧠 五、飽和區(Saturation)— 兩接面都正向,收集不再理想

1) 偏壓狀態

E-B : Forward

B-C : Forward (或接近 Forward)

2) 載子行為(工程語言:推不動了)

E  --->  B  --->  C

(注入很大) (B-C也導通,集極不再是理想收集端)

3) 「天花板」從哪來(RC + Vcc 限制)

IC(max) ≈ (Vcc - VCE(sat)) / RC

4) 量測特徵(最重要)

VCE ≈ 0.1 ~ 0.3V  (常用 0.2V)

Vin 再增加,VCE 幾乎不再下降(到底)

5) 電路等效(導通像小壓降元件)

+Vcc --[RC]--o Vout

             |

            [ON]  (C-E 導通,僅剩 VCE(sat))

             |

            GND

用途:


👉 開關 ON(導通很硬)



🧠 六、操作區域示意圖(定性觀察用)

IC

│         主動區 (IC受控)

│        /

│       /

│______/____________ VCE

  飽和      截止


🧾 七、一句話記住本單元

🔀 放大用主動區


🔀 開關用截止+飽和




🔬 電子學實驗題(24/120)

實驗名稱

觀察 BJT 不同操作區域


🎯 實驗目的

驗證:截止、主動、飽和三種狀態,並建立「用 VCE 判區」的工程直覺。


🧰 實驗器材

• NPN BJT(如 2N3904)

• 直流電源(Vcc)

• 電阻(RC、RB)

• 萬用電表(建議兩支:電壓+電流)


(加值)示波器:可直接看到截止/飽和造成的削波


🔧 實驗接線 ASCII 圖(建議版:加 RB 才可控)

      +Vcc

        |

       [RC]

        |

        C ----o Vout (≈ VCE)

        |

       |\

 Vin--[RB]--> BJT

       |/

        |

        E

        |

       GND


🔧 實驗步驟(工程版)

1.     固定 Vcc(例如 5V 或 12V)

2.     設定 RC(例如 1kΩ~4.7kΩ)

3.     設定 RB(例如 50kΩ~470kΩ)

4.     緩慢從低到高改變 Vin

5.     每個測點記錄:

• Vin

• VCE(或 Vout)

•(可選)IB、IC

6.     用 VCE 判斷工作區:

• 截止:VCE ≈ Vcc

• 主動:VCE 中間值(平滑可變)

• 飽和:VCE ≈ 0.1~0.3V


📊 預期觀察

VCE 由大 → 中 → 小

  截止   主動   飽和



✅ 專業解析(含實驗實務解析)


解析一、用 VCE 一秒判區(最推薦)

VCE ≈ Vcc       → 截止

VCE 中間值      → 主動

VCE ≈ 0.2V      → 飽和


解析二、最常見誤判:你以為在主動,其實早就飽和了

Vin ↑ → IB ↑

IC 想 ↑ 但被 RC 卡住

VCE 掉到 ~0.2V

=> 已飽和,不再是線性放大


解析三、放大 vs 開關:區域選擇完全不同

放大器(要主動區)

VCE 需保留裕量:上不靠 Vcc,下不靠 0.2V

(工作點放中間才有擺幅)

開關(要截止 + 飽和)

OFF:截止 (VCE ≈ Vcc)

ON :飽和 (VCE ≈ 0.2V)


解析四、開關設計加值:強迫 β(確保飽和)

常用準則:

IB ≈ IC / 10

目的:

👉 不管元件 β 漂移、溫度變動,都能「硬飽和導通」。


🧠 工程結論

👉 先決定用途,再決定區域:放大用主動區,開關用截止+飽和。

👉 實驗中最可靠的判區方法:量 VCE(或 Vout)。


 

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