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關於DRAM過去、現在與未來展望
摘要
過去十年，DRAM 的發展遇到了瓶頸，密度提升緩慢，成本降低有限，嚴重阻礙了需要大量記憶體資源的 AI 計算發展。為了克服這個「記憶體牆」問題，短期內可以通過 4F2 單元佈局、垂直通道電晶體 (VCT) 和 HBM 等技術改進現有 DRAM 效能。長期來看，開發嵌入式運算記憶體 (CIM)、鐵電RAM (FeRAM)、磁阻式隨機存取記憶體 (MRAM) 等新型記憶體技術，並採用 3D DRAM 架構，將是解決方案的關鍵所在。這些創新有望顯著提升記憶體頻寬、容量、成本和功耗，為 AI 和其他高效能運算應用提供更強大的支援。
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最近，隨著HBM的戰爭日益激烈，記憶體大廠不論韓國三星，海力士，還是美國的美光，紛紛擴廠迎接未來的需求。但是，即便擴產，對於整體的需求來說，仍然有一段空窗期，更重要的是，如果三大廠都投入HBM的應用，對於傳統的DRAM帶來產能上的缺乏，有機會讓未來的DDR5以上，甚至是DDR3/4都進入供不應求！
此篇文章連結 RAM 與 C語言陣列的關係並提供陣列與for-loop 使用的相關教學
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關市場關注AI晶片競爭白熱化發展，關注目前記憶體的長線賽道可能將超越處理晶片，上週五市場延續輪動後的逢低買盤、測試支撐與突破，維持中性偏強，目前維持股優於債，避險方面短期仍以美元、黃金、比特幣，並關注美債表現。本週記憶體大廠美光公布財報。
1.預計 2024 年中損平，下半年開始獲利，庫存預計於 2H24 正常化，2024 位元銷售量將年增 20% 以上。
2.1B 製程的 8GB DDR4 與 16GB DDR5 預計於 2024 量產。
3.沒有發展 HBM 的計畫，相關技術會應用在 High Density RDIMM。
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