摘要
過去十年，DRAM 的發展遇到了瓶頸，密度提升緩慢，成本降低有限，嚴重阻礙了需要大量記憶體資源的 AI 計算發展。為了克服這個「記憶體牆」問題，短期內可以通過 4F2 單元佈局、垂直通道電晶體 (VCT) 和 HBM 等技術改進現有 DRAM 效能。長期來看，開發嵌入式運算記憶體 (CIM)、鐵電RAM (FeRAM)、磁阻式隨機存取記憶體 (MRAM) 等新型記憶體技術，並採用 3D DRAM 架構，將是解決方案的關鍵所在。這些創新有望顯著提升記憶體頻寬、容量、成本和功耗，為 AI 和其他高效能運算應用提供更強大的支援。
