高頻寬記憶體
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美國政府將於11月28日實施兩項出口禁令，進一步打擊中國半導體技術發展。這些禁令將限制200家中國企業的先進設備進口，並對關鍵HBM晶片出口加強管制，對中國高科技企業造成重大衝擊。中國正積極尋求替代市場與自主技術發展，力圖應對挑戰。
三星電子正加速開發第六代高頻寬記憶體（HBM4），計劃在2025年量產，針對微軟和Meta的AI晶片需求進行客製化設計。HBM4在傳輸速度和容量上顯著提升，支援每秒2太字節（TB）傳輸速度和48GB容量，適用於計算記憶體模式。