在AI與高效能運算題材推動下，半導體板塊持續吸引資金流入，iShares半導體ETF（SOXX）近期亦出現技術性突破，表現強勢。從技術分析角度來看，SOXX於近期成功突破多道壓力，目前收盤價達235.1元，穩居所有短中期均線之上，包括MA5（227.8）、MA10（226.8）與MA20（219.7），構成完整多頭排列，形成技術面上的多頭格局。
SOXX的近期震盪幅度為5.74%，價格波動雖明顯，但尚在合理範圍之內，反映出買盤積極但未失控。目前距離首個上方技術阻力243元僅一步之遙，一旦突破，將進一步挑戰246元這一重要壓力區。在多頭動能主導的環境下，投資人可密切觀察是否有量能配合突破，有助於判斷此波攻勢能否延續。
從指標面分析，RSI目前達71，進入技術性超買區，反映短線漲幅較快，但尚未產生強烈回檔訊號。整體技術指標總結訊號維持「買入」，MACD與一目均衡表皆同步給出偏多訊號，顯示目前多頭動能仍具延展性。保力加通道亦持續上揚，通道擴張支撐波動率升高與價格走高的同步發展。然而，部分震盪與動量型指標釋出中立甚至偏空訊號，必須留意。威廉指標與隨機震盪指標處於超買區，短線出現頂背離現象，動量與變動率指標亦顯示可能存在漲勢鈍化跡象。這表示雖然價格繼續創高，但上升動能有所減緩，若成交量未能持續放大，將增加短線整理的可能。
操作策略方面，若股價順利站穩243元並放量突破，可視為進一步上攻訊號，目標上看246元甚至更高。但若價格在243元前停滯並出現高檔反轉型態，則需警覺短線回測風險，首道支撐為226元，跌破則下看213元的關鍵支撐。操作上建議採區間思維，未突破前可分批布局，突破後則可考慮加碼跟進，若進入修正則嚴格控管風險。
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