大家好，我是 Gordon。
「股人筆記」是希望透過學習厲害投資人的經驗與筆記，來增進自己的投資能力。我並非完全的投資新手，基本的知識都還算了解，但對於主動選股的技巧與系統性實踐，這正是我想透過這次學習重新建立的重點。
股癌EP557 36:24有云：非常感謝各位聽眾會幫我做筆記，現在要強調一下，作筆記的這個讓我非常感恩，只是有滿多筆記都會幫我自己去亂節錄重點，再來這要稍微注意一下，不是說不能寫筆記，只是覺得有些東西還是要儘量去找原形食物啦，那有人幫你總結快速的做複習我覺得很好
所以我會盡量分清楚哪些是我自己的發想，第一大段會是我個人的心得描述、不懂的知識之研究主題簡述，而第二大段則為節目的回顧、第三段為研究主題。
一、心得
學習點：
- DRAM
- NAND
- NOR flash
- 記憶體報價
關於降息，雖然聯準會尚未宣布，但市場已經預估會降息，所以在 TASL 已經先漲一波，那到時候真的宣布降息時，有可能會是利多出盡而非又上漲。這部分讓我學到要把消息出來和消息真正的宣布，市場的反應會是怎麼做的要好好去觀察和學習。
這次講到記憶體類股，將幾個名詞研究了一番
二、節目回顧
股癌 EP593｜2025/09 節目回顧
節目回顧：
- 市場資金流動與類股轉換
- 記憶體類股
自我學習整理：
｜市場資金流動與類股轉換
資金流出：過去強勢的族群，如 PCB 板材、軍工股，已明顯進入休息模式，資金開始撤出。 資金流入：資金從部分老 AI 股提款，明顯匯聚到 記憶體 (DRAM, NAND Flash, NOR)、矽晶圓 與 碳化矽 (SiC) Wafer 等族群。
MK 操作策略：因應聯準會將表態（市場普遍預期降息，可能利多出盡），態度偏向保守，逐步降低整體部位。但同時，也持續將資金往市場上更強勢的族群堆疊。
｜記憶體類股
NAND Flash：由 HDD 漲價產生外溢效應，加上美光暫停 DRAM 報價，引發連鎖反應。
群聯的觀察，一次性釋放多重利多，包括：漂亮的 8 月自結、董座潘健成在低檔買股、暫停報價、以及 CSP 廠商預告明年 SSD 的缺貨潮。另外 MK 認為所有利多一次性爆發，群聯的股價反應非常迅速，可能比較像一波到價，短期內快速反應了市場的預期。雖然大概是在明年第一季才會真正開始缺貨，但現在就開始反應，儘管這個浪潮可能會持續兩三年，但是股價的反應狀況要注意。
DRAM：這是一個老故事，早在 2023-2024 年就有討論，因廠商投入 HBM 生產，可能導致成熟製程的 DDR3/4 缺貨。但是 MK 從技術面判斷時機未到，但現在這個故事似乎正式發酵。
NOR Flash 的機會，同樣是老故事，中國的兆易創新因其代工廠中芯 (SMIC) 想轉向更高毛利的產品 (如 PMIC, MCU)，因此釋出部分毛利較差的 NOR 訂單。而這些訂單可能會轉單到台灣的力積電等廠商，從而帶動相關公司如旺宏和華邦電的表現。
MK 認為這一波記憶體的行情「蠻像是真的」，因為這是全球性的連動，美股相關類股也都在動，而不僅是台股自嗨。且認為記憶體是相對好做的族群，因為可以參考「報價」這個公開資訊來判斷週期。
｜碳化矽 (SiC) 與矽晶圓類股
背景：在 2020-2021 年有在密集討論，因為電動車裡面有使用，但因為 SiC 產業前幾年因中國大量擴產＋補貼，導致價格崩壞，甚至國際龍頭 Wolfspeed 都一度陷入困境。
最近全球相關個股同步上漲，包括美國的 Wolfspeed、中國的天岳，以及台灣的漢磊、嘉晶、環球晶（MK 認為的台灣領頭羊），呈現出族群性。新的應用猜想，市場傳聞 SiC Wafer 可能被用作伺服器散熱元件。MK 認為它不太可能當作 Interposer (中介層)，但更有可能是當作一個散熱墊片，將其墊高至與 HBM 同等高度，以便接觸散熱器。
另外碳化矽其實是一個很貴的材料，所以當時特斯拉有在考慮是否持續用該材料，而也導致需求降低，SiC 的價格持續破底而目前可能就是在一個價格甜蜜點，也會較多人使用。
另外還有矽晶圓的連動，原本只注意到 SiC 在動，但後來發現日本矽晶圓同業 Sumco 也在漲。這可能是雙重題材的加分效果。矽晶圓本身庫存嚴重，但因為記憶體產業復甦，而像環球晶有10%-20% 以上的營收與記憶體相關，市場可能聯想到其庫存去化會加速，進而帶動整個矽晶圓族群的想像空間。
三、研究主題：
這週主要研究記憶體的種類和實際應用在哪裡
記憶體有分兩大類：
- 揮發性記憶體 (Volatile Memory)：需要持續供電才能保存資料，斷電後裡面的東西就消失。就像我們腦中的短期記憶，不一直想著很快就忘了。EX: 電腦記憶體條
- 非揮發性記憶體 (Non-Volatile Memory)：就算斷電，資料也還在。就像我們腦中的長期記憶，不會因為睡一覺就消失。 EX: SSD 硬碟
｜DRAM
D 是動態的(Dynamic)，意思需要不斷地被刷新 (Refresh) 來充電，否則資料就會消失。
這個特性：讀寫速度非常快，因為它的結構相對簡單，存取資料的路徑很直接。耗電，因為要一直刷新，而且一斷電資料就掰掰了。
實際上，電腦裡的 RAM (記憶體條) 就是 DRAM。當你打開任何軟體，例如 WORD or 遊戲，這些程式和資料都會被從硬碟 (長期記憶) 載入到 DRAM (短期記憶/工作區) 中執行。因為 DRAM 速度快，CPU 才能夠快速地跟它溝通，你的電腦用起來才會順暢。
電腦規格上寫的 8GB RAM 或 16GB RAM，指的也是 DRAM。這個數字越大，代表同時執行越多 App 而不卡頓。另外我覺得現在買電腦可能都需要 16GB 比較夠用，現在的網頁越寫越複雜還有各種程式都很吃記憶體，記憶體佔用太多就會導致電腦當機，或是 APP 被強制關閉。
｜Flash Memory
Flash Memory (快閃記憶體) - 你設備裡的「長期儲藏室」 NAND Flash 和 NOR Flash 都屬於非揮發性記憶體。它們的共同點是，斷電後資料還在，就像你可以把檔案存在裡面，關機下次打開都還找得到。
它們的運作原理，可以想像成在一個個小小的格子中儲存電子。有電子存進去代表 0，沒有電子代表 1。這個過程就像把東西鎖進一個不需要電力的保險箱，所以資料可以保存很久。
｜NAND Flash
NAND Flash - 容量大、適合大量儲存 NAND 的設計結構，讓它可以把非常多的儲存單元串在一起，就像圖書館裡一排接著一排的密集書櫃。這樣的設計可以讓儲存密度變得非常高，也就是在同樣大小的晶片裡塞進更多的資料。
優點：容量大、成本低：這是它最大的優勢！所以你可以用相對便宜的價格買到大容量的 SSD 或記憶卡。寫入和抹除速度快：適合需要頻繁寫入大量資料的場景。 缺點：讀取速度相對慢：因為它的結構是「串聯」的，讀取特定某一個小資料時，不能像 DRAM 那樣直接定位，需要從頭一個一個點名，所以讀取的速度比較慢。
不能單獨修改小資料：它的讀寫單位是一頁，你不能只改其中一個字，必須把包含那個字的整頁讀出來，修改完後，再把整個區塊清除，最後把修改過的整頁寫回去。
實際例子：SSD (固態硬碟)：你電腦裡的 C 槽或 D 槽，現在幾乎都是 NAND Flash 組成的。 USB 隨身碟、手機/相機的儲存空間。
補充：以前的電腦硬碟大都是使用傳統的 HDD 而大概在 2022 年後，大都沒人使用 HDD 了，回想以前還會說電腦要裝一個 SSD 一個裝 HDD 省成本，當時 SSD 可能還裝 256GB 的，而現在因為 SSD 成本和價格下降，也幾乎取代了傳統硬碟。 另外以前的傳統硬碟為何會比較慢呢？是因為 HDD 裝置內部，是有帶有磁性塗層的旋轉盤片，盤片都具有軌道或同心圓，稱為區段。每個軌道和磁區編號都會建立一個不重複的地址，HDD 技術使用該地址來整理和定位資料。 反正就想成他比較屬於使用機械方式運作，所以較慢，而 SSD 就是直接靠電的傳輸找到位子儲存資料，所以會較快速。
｜NOR Flash
NOR Flash - 速度快、適合儲存程式碼 NOR 的設計結構是「並聯」的，就像一個有很多獨立開關的電路板。這讓它可以像 DRAM 一樣，非常快速地讀取到任何一個位置的資料 。
優點：讀取速度非常快：因為可以直接定址到每一個位元組 (Byte)，不需要像 NAND 那樣整頁讀取。可靠度高：通常比 NAND Flash 擁有更低的位元錯誤率。 缺點：容量小、成本高：並聯的結構讓它在同樣的晶片面積下，能做的容量遠小於 NAND，所以單位成本貴。
寫入和抹除速度慢：這點跟 NAND 正好相反。也因為寫入、抹除速度慢，但讀取快、可靠，非常適合儲存那種「一旦寫進去，就不太會改變，但需要被系統快速讀取」的程式碼。
實際例子： BIOS / UEFI 晶片：你電腦開機時，第一個執行的那個程式（用來檢查硬體、啟動作業系統），就是儲存在主機板上的一顆 NOR Flash 晶片裡。因為開機程序需要極快的讀取速度。
嵌入式系統的韌體：路由器、智慧手錶、藍芽耳機、汽車電子控制單元裡面的核心控制程式，都是燒錄在 NOR Flash 裡。這些裝置一開機就需要立刻執行程式，NOR Flash 的特性完美符合這個需求。
｜記憶體報價
MK 說記憶體的報價是容易查詢到，看到走勢的，我在網路上找了些資料。 應該會是 TrendForce 和 鉅亨網，也歡迎大家跟我說哪裡可以查詢到這些資料。
參考資料：
