📘 第 19/120 單元 🛡️ 二極體在保護電路中的角色 — 不讓意外進入系統

更新 發佈閱讀 9 分鐘

🎯 單元目標

完成本單元後,你將能夠:

  • 理解為何電子電路需要保護
  • 認識二極體常見的保護用法
  • 了解夾位(Clamping)與反向保護原理
  • 建立「先活下來再談性能」的工程直覺

🧭 一、先給核心觀念:真實世界永遠會出事

現實世界一定存在:

  • 👉 接錯線(正負接反)
  • 👉 突波(電源瞬態、插拔瞬間)
  • 👉 感性負載反彈(線圈/馬達關斷尖峰)
  • 👉 靜電(ESD)

工程師的第一目標永遠是:

  • 👉 保護元件不被燒毀
  • 👉 確保失誤不會變成災難

一句工程真理:

沒有保護的高性能,只是「比較快燒掉」。


🧠 二、反向極性保護(Reverse Polarity Protection)

✅ 用途

  • 👉 防止電源接反(最常見的人為事故)

✅ 最基本串聯二極體保護(最直覺)

+V o----|>|----o  V_in(給電路)
GND o------------o GND
  • 正常接法:|>| 正向導通 → 電路得到電
  • 接反時:二極體反向截止 → 電路幾乎不吃電

⚠️ 代價(你要寫清楚)

  • 👉 會損失一個導通壓降 VF
    • 矽二極體:約 0.6~0.9V(依電流與溫度)
    • 肖特基:約 0.2~0.5V(低壓系統更常用)

🔧 工程補充:什麼情況不適合用「串聯二極體」?

  • 低電壓系統(例如 3.3V / 5V)
    → 掉 0.4~0.8V 很痛,容易讓系統不穩
  • 大電流系統
    → 功耗變大:P ≈ I × VF,熱會上來

進階解法通常會用「PMOS 反接保護」,但本單元先專注二極體直覺。


🧠 三、感性負載保護(Flyback Diode / Freewheeling Diode)

✅ 問題本質:線圈不是「想停就停」

驅動線圈/繼電器/馬達時:

  • 你開關關掉那一刻,電流想瞬間變 0
  • 但線圈的物理規則是:
    👉 電流不能突然改變
    所以它會用「產生高電壓」來維持電流

這個高電壓常常會把:

  • 開關晶體管(BJT/MOSFET)
  • 驅動 IC
    直接打爆(過壓崩潰)

✅ 正確保護電路(二極體要並聯在線圈上)

         +V
|
[L] 線圈/繼電器
|
+----o 開關/MOSFET o---- GND
|
|<| Flyback diode(方向要讓正常時不導通)
|
+V

✅ 工作機制(用一句話)

  • 正常導通時:二極體反向偏壓 → 不工作
  • 關斷瞬間:線圈端電壓翻轉 → 二極體導通 → 電流有路回流
  • 結果:尖峰被壓住,能量慢慢耗散掉

🧠 四、夾位保護(Clamping)

✅ 用途

限制輸入/輸出電壓不超過某個範圍,避免 IC 腳位過壓。

✅ 最簡單下夾位(防止負電壓)

Vin o----+----o Vout
|
|>| (GND 的夾位)
|
GND

🔍 你要補的工程重點:它夾到哪裡?

  • 當 Vout 試圖變得太低(例如負向)
    → 二極體導通 → 把電壓拉回接近 0V 附近
  • 夾位電壓大約是:
    • Vout ≈ -VF(若是負向夾位)
    • 或 Vout ≈ +VF(若是正向夾位,視接法)

✅ 工程提醒(避免寫成誤解)

夾位不是「把所有東西都變平」,而是:

  • 👉 把超出範圍的部分導走
  • 👉 需要配合限流(例如串電阻),否則二極體會硬吃電流燒掉

🧾 五、一句話記住本單元

🛡️ 二極體最重要的工作:

👉 犧牲自己(或犧牲一點壓降/效率),保護系統活下來。


🔬 電子學實驗題(19/120)

實驗名稱

二極體反向與感性負載保護觀察


🎯 實驗目的

  • 觀察二極體在 反向極性感性負載關斷尖峰 的保護效果
  • 建立示波器觀察瞬態現象的工程直覺

🧰 實驗器材

  • 二極體(建議:1N4148 / 1N4007 / 肖特基各一顆做比較)
  • 直流電源(可調,5V~12V)
  • 電阻(100Ω~1kΩ)
  • 線圈或繼電器(5V 或 12V)
  • 開關元件(手動開關或 MOSFET / NPN)
  • 示波器(至少 1MHz 以上,10x 探棒)

🔧 實驗接線

A) 反向保護測試

+V o----|>|----[R]----o GND

B) 感性負載 Flyback 測試(核心)

         +V
|
[L]
|
+----o 開關 o----GND
|
|<|
|
+V

🔧 實驗步驟(更完整、更像教材)

Part A:反向保護

  1. 先用正常極性供電,量測:
    • [R] 兩端電壓(或電流)
    • 二極體兩端壓降 VF
  2. 將電源正負對調(反接),再量測:
    • 電路是否仍有電流
    • 電阻上是否仍有明顯電壓

Part B:Flyback 保護

  1. 先不接 flyback diode(注意:電壓尖峰可能很高,示波器探棒用 10x)
  2. 用示波器量測:
    • 線圈下端(開關節點)對地電壓波形
  3. 快速切換開關(ON→OFF),觀察關斷瞬間尖峰
  4. 接上 flyback diode
  5. 同樣切換 ON→OFF,比較波形差異

📊 預期觀察(你原本的句子我保留,但加上“你會看到什麼樣”)

  • 有保護 → 尖峰被壓住、波形變「緩慢衰減」
  • 無保護 → 關斷瞬間出現高電壓尖峰(常見為很窄很高的 spike + ringing)

✅ 專業解析

解析一、反向接電時為何能保護?

✅ 電流方向條件

  • 二極體導通條件:正向偏壓
  • 反向接電時等於:
|<|  (反向偏壓)

→ 截止 → 電流 ≈ 0

✅ 你應該量到什麼?

  • 正常接:電阻上有電壓(有電流)
  • 反接:電阻上幾乎 0V(幾乎無電流)
  • 二極體兩端會承受大部分反向電壓(注意不要超過耐壓)

解析二、關斷瞬間為何會有高壓尖峰?

✅ 物理原因一句話

線圈要維持電流,電流被你切斷後,它只能用「抬高電壓」來逼出一條路。

✅ 更工程的表達(但不硬塞公式)

  • 你把開關關掉 → 電流路徑突然消失
  • 線圈儲存的磁能必須釋放
  • 沒有路可走 → 電壓就會飆升,直到擊穿或找到寄生路徑

解析三、Flyback diode 接上後,尖峰為何消失?

✅ 電流改走「回流路徑」

關斷瞬間:

L|<|+V   (形成閉合回路)
  • 電流不用再用「高電壓」來逼路徑
  • 直接透過二極體回到電源端形成迴路
  • 能量在迴路中的電阻、線圈電阻、二極體損耗中慢慢消散

✅ 你應該看到的波形差異(用語言描述)

  • 無二極體: spike 很高、很尖、可能伴隨振鈴(ringing)
  • 有二極體: 電壓被限制在約 +V + VF 附近,並呈現較平滑的衰減

解析四、為什麼「有保護」反而可能讓釋放變慢?

這點很關鍵,很多初學者會誤會。

  • Flyback diode 讓電壓被壓低
  • 電壓低 → 線圈電流衰減速度較慢
  • 所以繼電器可能「放開比較慢」
    (但好處是元件活下來)

工程取捨:要快釋放可能用 TVS、Zener clamp、RC snubber,但複雜度更高。


解析五、工程意義(把「為什麼要學這個」說透)

  • 防止 MOSFET/BJT 過壓擊穿
  • 防止 IC 腳位因突波失效
  • 提升整機可靠度與維修成本控制
  • 真正的工程順序是:
    1. 先保護
    2. 再談效率、噪聲、速度、成本最佳化

🧠 工程結論

👉 保護設計永遠排第一。

👉 先活下來,再談性能。


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2026/02/03
本單元說明整流後脈動DC的來源,電容以充放電在時間域撐住波谷,降低Ripple。脈動大小受Iload、C與fripple影響,ΔV約與Iload/(C×fripple)成正比。工程需在脈動、成本、體積與啟動湧入風險間取捨。
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整流是電源第一步:利用二極體單向性把 AC 變成單向脈動 DC。半波只保留正半週、脈動大且效率低;全波橋式把正負半週都翻正,脈動頻率變 2 倍、較易濾波。實測可見峰值因二極體壓降下降(半波約 Vf、橋式約 2Vf)。
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本單元說明二極體切換非瞬間完成,因正向導通會在接面累積儲存電荷,反向偏壓時需先清除才真正截止,形成反向回復時間 trr。當頻率升高接近 trr,會造成波形失真、功耗與 EMI 上升,因此高速電路需選快恢復或肖特基二極體。
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