兩奈米下的特用化學品——台積電供應鏈台廠全解析

2026/01/28 更新2026/01/28 發佈閱讀 46 分鐘

投資理財內容聲明

一、結論

台積電於 2024 年台灣在地採購之間接原物料比例已達 65%，優於原訂 64.9% 的階段性目標。在永續供應鏈管理架構下，台積電持續設定明確的里程碑，並朝 2030 年將台灣在地採購間接原物料比例提升至 68% 的目標推進。此一在地化採購策略，旨在強化供應鏈韌性，同時降低地緣政治風險，並兼顧成本控管與碳排放減量。

台積電推動在地化趨勢明確。資料來源：台積電永續報告書

在此趨勢下，具備先進製程技術能力且已完成客戶認證的在地供應商，將成為台積電推動供應鏈在地化的主要受惠對象，相關高階製程材料之導入深度與供應比重亦可望持續提升。

值得關注的是新應材，其為台積電黃光微影材料（Rinse、BARC 及 EBR）之獨家供應商，產品已成功導入 2nm 製程節點。隨著先進製程持續微縮，單位晶圓材料用量提升，將帶動新應材相關產品之出貨成長。

台積電於 2nm 節點首次導入 GAAFET（Gate-All-Around FET，全環繞式閘極）奈米片晶體管，正式取代過去多個世代所採用的 FinFET（鰭式場效電晶體）架構。隨電晶體結構由 FinFET 演進至 GAAFET，薄膜沉積與蝕刻成為關鍵製程步驟。在 GAAFET 架構下，薄膜沉積將大量採用原子層沉積（ALD）技術，使得對高純度、高穩定性的電子級特殊氣體需求明顯提升。因此，台特化、宇川、晶呈科等具備高度製程與安全管理門檻之特殊氣體供應商，有望隨 2nm 製程節點放量而同步受惠。

二、產業簡介

1. 台積電產能規劃

台積電 N2 製程節點已如期於 4Q25 進入量產階段，台積電表示 A16 製程節點將於 2H26 進入量產，A14 於 2028 年量產。

預估 2026 年底 N2 月產能將由 2025 年底的 4-5 萬片達到 9-10 萬片，為因應包括 Apple、AMD 等主要客戶需求。2027 年底 N2／A16 月產能達到 16-18 萬片；A14 月產能達到 5-6 萬片。2028 年底 N2／A16 月產能達到接近 25 萬片；A14 月產能達到 10-12 萬片。

台積電製程節點演進時程。資料來源：台積電

台積電晶圓廠。資料來源：台積電、財報狗、自行整理

2. 前段製程介紹

半導體製程分為前段（Front-End Process）與後段製程（Back-End Process），前段製程著重於晶圓上製作電路，從一片矽晶圓開始，經過多次的沉積、蝕刻、光刻、擴散，然後將電晶體一層一層地刻上去，後段製程則是測試、切割與封裝等。以下介紹前段製程。

半導體前段製程。資料來源：SEMI

由一片經切割與拋光處理後的矽晶圓開始，首先進行薄膜沉積（Deposition），在晶圓表面生成一層均勻的二氧化矽（SiO₂）薄膜，作為絕緣層或後續光刻的底層保護膜。接著進入微影製程（Lithography）階段，首先在晶圓表面塗佈光阻劑（Photoresist），形成感光層；然後如下圖（ａ）所示，利用曝光機（Stepper / Scanner）將經設計的電路圖樣光罩（Photomask）透過紫外光或極紫外光（EUV）投影到光阻層上。

照光後，光阻受光區域的化學結構會改變，使用正光阻（Positive Resist）時，被照射的部分會變得容易被顯影劑溶解，因此在（b）顯影步驟中被移除，留下未曝光的區域以保護底層結構。接著進行（c）蝕刻，藉由化學液體或氣體蝕刻技術去除未被光阻保護的氧化矽層，形成所需的電路圖樣。最後再（d）進行去除光阻（Resist Stripping），清除暫時性的光阻材料，留下刻蝕後的結構。

曝光流程。資料來源：曲博科技教室、工研院

在完成微影與蝕刻之後，晶圓會再次進入薄膜沉積（Deposition）階段，用以在晶圓表面堆疊不同功能的薄膜層。依用途不同，可分為絕緣層、導電層或屏障層。主要採用的技術包含化學氣相沉積（CVD）、原子層沉積（ALD）與物理氣相沉積（PVD）。常見的沉積材料包括二氧化矽（SiO₂）、氮化矽（Si₃N₄）、鎢（W）、銅（Cu）等；而 ALD 所使用的前驅體（Precursors）如 TMA、TEOS、WF₆、TiCl₄、SiH₄、NH₃，能精確控制原子級厚度，確保介電層或導電層的均勻性與可靠性，為 2nm 節點的關鍵技術。

薄膜沉積。資料來源：氣體圈子

接著進行擴散（Diffusion），透過離子佈植機將特定元素如硼（B）、磷（P）、砷（As）等注入矽晶格中，以改變其導電性（形成 N 型或 P 型區）。常用氣體源包括 BF₃、PH₃、AsH₃ 等。摻雜後會進行退火（Annealing）處理，以修復矽晶格損傷並活化摻雜原子，使其正確置入晶格位置並發揮導電效果。

隨後進入金屬化（Metallization）製程，用以建立晶片內部的金屬互連（Interconnect）。此步驟需形成導線層與接點，通常採用 PVD、CVD 或電鍍技術。以銅互連為例，需先在通孔與導線區域沉積阻障層（如 Ta/TaN），再進行銅電鍍，使用 CuSO₄ 溶液與特殊有機添加劑以控制晶粒與表面平整度。在某些區域仍會使用鎢（W）或鋁（Al）作為導電材料。

由於晶圓在重複多層沉積與金屬化之後會出現表面不平整，因此需進行化學機械研磨（CMP, Chemical Mechanical Polishing），藉由化學溶解與機械拋光的雙重作用，去除多餘材料並平坦化表面，確保後續層的對準精度。CMP 使用的拋光液（Slurry）包含氧化矽（SiO₂）或氧化鋁（Al₂O₃）顆粒，並加入過氧化氫（H₂O₂）和酸／鹼性添加劑，是整個製程中化學品用量最大的步驟之一。

最後是檢測與清洗（Inspection & Clean）。晶圓會經由自動光學檢測（AOI）或電子顯微鏡檢查，以確認無缺陷、無微粒污染。清洗步驟常使用異丙醇或化學配方如 SC1（NH₄OH + H₂O₂ + H₂O）、SC2（HCl + H₂O₂ + H₂O）、稀釋氫氟酸（HF）或臭氧水，以去除金屬離子、有機殘留與氧化層，確保良率並為下一層製程做準備。

這一系列的步驟會重複多次，逐層堆疊形成晶片內部的電晶體與導線結構。完成電性元件後，晶圓會進入後段製程，切割成單顆晶片並進行封裝與測試，成為最終的半導體元件。

資料來源：材料世界網、工研院

3. 前段製程所需材料和對應的供應商

介紹完以上前段製程的流程後，此節會介紹製程中所需的化學品材料及供應商。首先以製程材料成本結構來看，矽晶圓佔比約 37%、特殊氣體佔比 13%、光罩佔比 10-15%、光阻液佔比 12%、研磨液 7%、濕式化學品佔比約 5%。

資料來源：SEMI

半導體前段製程材料

前段製程所需特用化學品

三、特用化學品市場現況（兩奈米下有哪些化學品的需求會增加給台廠帶來機會）

一片 2nm 先進製程晶圓所產生的廢棄物量是 28nm 成熟製程晶圓的 13 倍，台積電 2019 年製造一片 12 吋晶圓的每一層平均產生 1.58 公斤廢棄物，預計到 2030 年的每一層平均產生 3.09 公斤廢棄物，可知製程越小越複雜，需要用的化學品越多。

隨著台積電 N2 製程已如期於 4Q25 進入量產階段。本節將特用化學品區分為四大類：光阻液、特殊氣體、研磨液與濕式化學品，探討 2nm 節點對各類特用化學品的技術影響與需求變化，並進一步分析台灣特化供應鏈在此趨勢下的發展機會。

在半導體材料中，光阻液與研磨液屬於技術門檻極高的關鍵化學品，涉及長時間製程驗證與高度客製化，仍主要由日本與美國廠商寡占，目前台灣廠商較難切入。相較之下，特殊氣體與濕式化學品（包含顯影液、稀釋液、剝離液、蝕刻液與清洗液）已成為台廠較具突破成果的領域。其中，特殊氣體同樣具備高純度與運輸中安全管理等高技術門檻，而濕式化學品雖技術門檻相對光阻液較低，然其高度符合台積電供應鏈在地化與綠色化的長期策略，使具備本地生產與低碳優勢的供應商更容易取得合作機會。目前已有台灣廠商成功打入台積電於特殊氣體與濕式化學品之供應鏈，並隨先進製程推進，相關產品已逐步導入 N2 節點。隨著 2 奈米製程進入放量階段，相關供應商可望同步受惠於投片量成長。

此外，化學品具備高度製程綁定特性，一旦導入量產，若更換供應商需進行完整管線清洗與重新驗證，將顯著提高成本與製程風險，使晶圓代工廠通常不輕易更換既有供應商，進一步鞏固已進入供應鏈廠商的長期合作關係與訂單穩定度。

3-1. 光阻液

從台積電的採購結構可觀察到，其先進製程供應鏈高度仰賴日本的設備與材料供應商，顯示日本廠商在全球半導體供應體系中的核心地位。以 2024 年台積電「卓越表現獎（Outstanding Performance Award）」得主為例，23 家獲獎供應商中即有 13 家來自日本，占比明顯高於台灣與歐洲供應商。隨台積電先進製程與全球產能布局持續擴張，日本供應商於其設備與材料採購中的重要性可望持續維持，並成為台積電供應鏈中最具結構性優勢的組成之一。

台積電主要供應商（2021–2023）。資料來源：Bloomberg

光阻液市場長期由日系廠商寡占，主要供應商包括 JSR、東京應化（TOK）與信越化學，三者合計市佔率約 70–80%，顯示該產業具備高度技術門檻與集中度。台灣廠商多以代理角色切入，其中崇越（5434）為信越光阻液代理商，華立（3010）則代理 JSR 光阻液和研磨液產品。

在本土製造方面，目前僅新應材正積極投入 DUV 光阻液開發，雖尚未切入技術門檻最高的 EUV 光阻液，惟 KrF 與 ArFi 光阻液各自仍占整體光阻市場近 40%，應用範圍廣泛，市場規模可觀，對新應材而言仍具備相當成長潛力與切入空間。

各類光阻市場規模與供應商市占率。資料來源：工研院、群益投顧

新應材（4749）台積電黃光微影材料獨家供應商

1-1 公司介紹

新應材成立於 2003 年，以顯示器特化材料起家，2014 年 CIS 光阻導入台積電子公司采鈺，自 2018 年開始投入半導體材料研發，2020 年黃光微影材料表面改質劑 Rinse 打入台積電供應鏈，為主要營收貢獻產品（佔公司營收比重 70% 左右），台積電為其主要客戶（2024 年營收佔比 61%）。2022 年，新應材黃光微影材料 Rinse 和 Cleaner 導入 N3/ N2 節點；BARC 和 EBR 導入 N2 節點。目前開發 DUV 光阻液 KrF（用於前段製程）、ArFi（用於半導體光學元件）。

新應材半導體特化材料營收比重不斷提升。資料來源：公司資料

1-2 營收佔比

半導體特化材料：應用於先進製程黃光微影的表面改質劑（Rinse）、洗邊劑（EBR）、清洗劑（Cleaner）、顯影劑（Developer）、底部抗反射層（BARC）。
顯示器特化材料：TFT 正型光阻、量子點油墨/光阻劑等。

新應材產品組合。資料來源：公司資料

新應材 1-3Q25 產品比重。資料來源：公司資料

1-3 關注重點

Rinse 自 4Q24 起導入 N3 節點，並成為該節點之獨家供應商，Gain 3M 退出 Rinse 市場後的市佔（3M 在 N3 以前是台積電的獨家供應商）。Rinse 主要用於防止高深寬比結構於清洗過程中發生線槽坍塌，可提升先進製程整體良率。目前該產品亦已順利導入 N2 節點，新應材持續維持獨供地位，且隨線寬持續微縮，N2 節點之 Rinse 用量約為 N3 的近兩倍，顯示該產品於先進製程之單位晶圓價值持續提升，未來隨節點推進具備穩定成長潛力。
BARC 和 EBR 已導入 N2 節點。N2 以前的製程節點都是使用溶劑型 EBR，至 N2 才使用配方型 EBR。此項產品技術門檻高且新應材為獨家供應商。
KrF 光阻劑：公司已購買一台 Canon KrF 曝光機與一台 KLA 檢測機，預計 1Q26 在高雄廠一期進行裝機，目前產品已送驗，預計在 2Q26 開始量產、2027 年開始顯著貢獻營收。

KrF 佔光阻液市場仍有近 40% 的比例。資料來源：公司資料

與南寶、信紘科共同成立新寶紘，切入先進封裝用高階膠材市場。

崇越（5434）

1-1 公司介紹

崇越科技成立於 1990 年，為代理通路商，主要為信越化學代理銷售半導體、光電、電子材料等產品，其中以光阻液、矽晶圓營收比重最高，亦代理 Fujimi 的研磨液。崇越獨家代理之信越化學的光阻液在台灣市占率達 50% 以上且為 Base line 供應商，光阻液貢獻營收約四-五成。

1-2 營收佔比

崇越半導體相關（光阻液、矽晶圓、研磨液等）營收佔比超過八成
環保工程：廢水處理和回收等環保工程
光電相關產品：LED、LCD 及其他電子材料
綠色能源：太陽能系統工程整合服務等

崇越產品組合。資料來源：公司資料

崇越 1-3Q25 產品比重。資料來源：公司資料

1-3 關注重點

公司展望 2026 年光阻液、新產品及工程為成長重心
半導體相關營收整體預估年增約 8%，其中光阻液僅成長約 4%（因基期已高）、矽晶圓成長約一成（因基期較低）
- 新產品
- - 奈米壓印（應用在生醫晶片、CPO 微透鏡的關鍵技術）、藍寶石基板（先進封裝之高強度載板）、石英布（應用在 AI 伺服器）
  - 石英朴子新廠 1Q26 量產
  - 新產品營收佔比低個位數但獲利較優
環保工程業務：以廠務廢水處理為主
- 營收年增目標約 25%，旗下子公司為蘇州崇越工程和台灣建越工程。在手訂單預估達 100 億元以上，其中台灣建越約佔 60%、蘇州崇越 40%
- - 蘇州崇越有多個海外新專案已接獲訂單或正在洽談中，其中新加坡已成功接獲晶圓代工廠案件，越南與日本亦有客戶接洽進行中。主要動能來自美光和新加坡晶圓代工廠案件，使東南亞訂單占蘇州崇越比重已達約 50%
  - 台灣市場方面，南部地區（高雄）已接獲一筆大案子

華立（3010）

1-1 公司介紹

華立成立於 1968 年，為代理通路商，主要代理 JSR 的光阻液、研磨液等，其他上游日本的供應商包含三菱化學 Mitsubishi Chemical、住友化學 Sumitomo Chemical、旭化成 Asahi Kasei 等，公司無自有製造或加工業務。

1-2 營收佔比

ICT 工程用塑膠：其中約 75% 為高階工程塑膠，25% 為 PCB 材料
Semi：代理 JSR 的光阻液、研磨液、先進封裝材料
OptoElec 光電材料（平面顯示器產業）：提供上遊化學品原材料給 LCD 面板廠，包括一些背光模組中使用的光學類板材或膜類材料
Green&CE
Emerg.Tech

華立產品組合。資料來源：公司資料

華立 1-3Q25產品比重。資料來源：公司資料

3-2. 電子用特殊氣體／液體

結論：台積電 N2 首次導入 GAAFET 全環繞式閘極場效電晶體（Gate-All-Around FET）奈米片晶體管，取代過去多個世代所使用的 FinFET（鰭式場效電晶體）架構。電晶體的結構從 FinFET 到 GAAFET，而薄膜沉積與蝕刻成為 GAAFET 的關鍵步驟，其中薄膜沉積將採用原子層沉積（ALD），因此所需的電子特氣重要性提升。

哪些製程會用到氣體？

在黃光微影、乾式蝕刻、擴散及薄膜沉積製程皆會使用到氣體，在微影、乾式蝕刻、擴散製程會分別會用到氮氣等惰性氣體、含氟蝕刻氣、氫氣及氮氣，其中特殊氣體在薄膜沉積製程扮演重要角色。

為何從 FinFET 到 GAAFET？目的是解決漏電流（電流不該通過卻通過）的問題

從 Planar FET（平面場效電晶體）到 FinFET（鰭式場效電晶體），把電晶體閘極（Gate）的下方通道由水平改為垂直，閘極可以從三個方向去控制電流，台積電從 20nm 到 3nm 皆採用 FinFET；而隨著製程演進，到了 2nm 以下，通道變得更細小，漏電流的問題再次出現，2nm 以下開始從 FinFET 到 GAAFET（Gate-All-Around FET，全環繞式閘極場效電晶體），由直立鰭片變為水平奈米片（nanosheet）堆疊，閘極從三個方向到四面完整包覆每一層奈米片，控制力更強。

Planar FET、FinFET、GAAFET 比較。資料來源：Lam Research

閘極從三個方向到四面完整包覆，控制電流。資料來源：Lam Research

GAAFET 結構下，薄膜沉積與蝕刻成為關鍵製程，所需的電子特氣重要性提升

GAAFET 的製程整體延續了 FinFET 的邏輯，但因導入更複雜的層狀奈米片結構與精密蝕刻技術，使得薄膜沉積與蝕刻成為關鍵步驟。與 FinFET 相比，GAAFET 的製程差異主要有三個部分。首先是超晶格結構，在製程初期會在矽基板上交替堆疊多層矽（Si）與矽鍺（SiGe）薄膜，形成超晶格，以作為後續奈米片或奈米線通道的基礎。其次是內側壁子層（Inner Spacer），由於 GAA 閘極需要包覆在奈米片四周，若未隔離，閘極金屬可能與源極或汲極短路，因此工程師會選擇性蝕刻出 SiGe 層的一小段凹槽，並填入介電材料（如氮化矽 SiN），形成極為精細的內側絕緣層。最後是通道釋放（Channel Release），這是整個 GAA 製程中最關鍵的步驟，透過選擇性蝕刻去除 SiGe 層，只留下懸浮於源極與汲極之間的矽層，作為未來的電流通道。這些懸浮的矽奈米片能被閘極完全包覆，顯著提升電流控制能力並降低漏電，進而使 GAAFET 成為 FinFET 之後的下一代主流晶體管架構。

FINFET、GAAFET 製程比較。資料來源：自行整理

由以上製程差異我們歸納出薄膜沉積與蝕刻成為 GAAFET 關鍵製程。

薄膜沉積：原子層沉積（ALD）成為關鍵

在晶片製程進入 2nm 以下時，晶體管架構將改採 GAAFET。GAAFET 的結構極其複雜，許多縫隙非常狹窄（例如奈米片之間的閘極填充），必須在如此狹小的空間內均勻沉積多層閘極氧化層與金屬閘極材料，傳統的物理氣相沉積（PVD）或化學氣相沉積（CVD）難以均勻覆蓋。 PVD 透過蒸鍍或濺鍍方式成膜，常無法覆蓋結構內部深層區域；CVD 成膜具有方向性，雖能透過氣體反應生成薄膜，但因反應速率過快，容易造成薄膜厚度不均與覆蓋死角。相較之下，ALD 具備「非方向性」（各向同性）特性，能以原子層級精度控制成膜厚度，雖然沉積速度較慢，但具備絕佳的「包覆性」與「均勻性」，實現對矽通道四面的完整包覆，成為 GAAFET 製程中不可或缺的關鍵成膜技術。具體做法是先注入第一種前驅物（Precursor）（eg. 三甲基鋁）和基板產生化學反應，接著注入清除氣體（氮氣或氬氣）將多餘前驅物和副產物清除掉。注入第二種前驅物，接著注入清除氣體（氮氣或氬氣）將多餘前驅物和副產物清除掉。重複步驟，薄膜皆為一層一層形成且具有自我限制（self limit）特性。

資料來源：氣體圈子

原子層沉積（ALD）所需的電子特氣重要性提升

隨著製程節點持續微縮，傳統的矽源材料如矽甲烷（SiH₄）與四乙氧基矽烷（TEOS）仍為主要用量最大者，但由於技術成熟，其成長率相對不顯著。相較之下，隨線寬縮減與寄生電容效應加劇，對低介電常數（Low-K）前驅物的需求顯著增加，推動相關有機矽化學品快速成長。同時，矽乙烷（Si₂H₆）則受惠於 3D NAND 堆疊結構與 GAA 架構的導入，成為近年需求成長最為突出的矽源之一。

半導體元件結構

半導體製程薄膜沉積所需前驅物。資料來源：宇川精材

全球工業氣體屬寡佔行業，前三大供應商就佔了七成，分別為德國林德集團（Linde Group）、法國液化空氣（Air Liquide）、美國空氣化工（Air Products），上述三間外商分別在台合資設立聯華林德（聯華實業公司和林德集團共同合資成立）、亞東工業氣體（法國 Air Liquide 與遠東新世紀集團合資成立）、三福氣體（三福化工與 Air Products 的合資公司）。

宇川（7887）

1-1 公司介紹

宇川成立於 2011 年，致力於開發自己的金屬有機產品技術，2026/1/13 興櫃。公司過去產品主要應用於太陽能產業，近年積極轉型切入半導體級前驅物市場，主要應用於 ALD 製程。主要產品包括三甲基鋁（TMAI）、三甲基鎵（TMGa）、三甲基銦（TMIn）與三乙基鎵（TEGa）。主要用在半導體領域的化學材料是三甲基鋁 TMAI，屬於 High K 前驅物，主要用來作電晶體的閘極；三甲矽烷基胺（Trisilylamine, TSA）用來沉積氮化矽薄膜。

宇川提供之半導體領域前驅物。資料來源：公司法說會、自行整理

1-2 營收佔比

宇川產品組合。資料來源：公司資料

宇川 1H25 產品比重。資料來源：公司資料

半導體製程 ALD 前驅物：其中 80-90% 是出給先進製程晶圓製造大廠，另外 10-20% 是出給其他晶圓廠。
化合物半導體：化合物半導體客戶主要以磊晶廠為主，應用範圍涵蓋發光二極體、垂直腔面發射雷射於 3D 感測之應用、以及用於 5G 通訊之砷化鎵功率放大器與氮化鎵高頻高功率元件。
其他產品包括（1）太陽能光電應用之前驅物材料，此部分出貨數量和金額近年呈現逐年下降。（2）鋼瓶服務：主要為協助特化廠客戶，將其裝化學品的鋼瓶委託宇川清洗，依化學品性質處理殘留廢棄物、完成鋼瓶清潔、測漏，配合客戶需求方式包裝運輸。

1-3 關注重點

宇川是台灣唯一能提供 ALD 前驅物且成功打入台積電供應鏈的本土公司（台積電 1H25 營收佔比為 54%）。其他三家競爭對手為國際大廠，包含 Merck（德）、Air Liquide（法）、Hansol Chemical（韓），宇川具備在地化優勢，明確受惠於台積電供應鏈本土化政策。公司預期，隨著先進製程全面導入 GAA nanosheet 結構，以及 HBM 中 TSV 製程需求持續增加，ALD 前驅物的使用量將在長期呈現穩健成長，且前驅物的純度要求高，需達 6N 以上，技術門檻極高，形成護城河。

宇川位於台南新市的廠房，是南科當中唯一可合法進行製造、研發、分裝、儲存與處理前驅物等高危險性化學品的基地，能提供從研發到量產的完整材料解決方案。公司產品與製程皆為自主開發，設備由自行設計並委外製造，同時也積極與國際材料大廠合作，共同開發新世代產品。

產能規劃

因應客戶需求，宇川規劃於 1H26 動工興建南科第二廠，工程期約兩年，預計 2027 年底完工並於 2028 年投入量產。新廠主要支援前驅物大規模量產與供應鏈服務提升，初期將先專注於現有產品線與已完成客戶認證的品項，之後再依照客戶需求擴大產能與導入新產品。新廠總投資約新台幣 30 億元（含廠房土建 10 億元、設備 20 億元）。公司預估二廠完工後，TSA 前驅物的年產能將由目前約 1 噸提升至 6 至 10 噸，可望形成明顯的規模經濟。

與國際大廠合作

宇川與聯華林德的合作是公司切入國際半導體供應鏈的重要里程碑。2019 年 9 月，雙方於台南廠區共同開發 TSA 的生產設備與產線，同年 12 月即完成 TSA 產線建置，月產能可達 0.3 噸。2024 年 6 月，TSA 產品取得半導體客戶量產訂單，正式打入台積電供應鏈。

芝普（7858）

1-1 公司介紹

芝普成立於 1989 年，起初為代理及銷售半導體及太陽能產業相關設備起家。2003 年於鶯歌設立工廠，正式展開自有產品製造，2015 年後陸續導入去光阻產品、蝕刻液、清洗液進入半導體產業。公司於 2025/9/26 以每股 32.5 元登錄興櫃。

1-2 營收佔比

半導體製程用化學品及材料：應用於半導體晶片製造之薄膜、黃光、蝕刻清洗及先進封裝。
特用化學品及材料：應用於高階載板製程、被動元件製程、玻璃中介層 TGV 製程。

芝普產品組合。資料來源：公司資料

芝普 1H25 產品比重。資料來源：公司資料

1-3 關注重點

產能規劃

主要生產基地位於桃園八德，公司於 2024 年初開始擴產，預計 4Q25 完工，累計資本支出為 2.1 億元。新廠具有高階的無塵室、更完善的配置區域與高防爆等級，將應對未來半導體級產品需求。

管理層展望

公司商業模式為（1）利用供應鏈管理能力代理特用化學品與服務；（2）開發自有品牌的配方型產品。目前代理與自有產品比重為 55：45，管理層目標未來 3-5 年自有產品比重提升至 60%。
公司展望未來半導體營收比重將進一步增加，動能產品包括前段製程的環保去光阻液、先進封裝的 TBM 和清洗劑及高階載板的蝕刻液。
目前先進製程與先進封裝產品營收比重僅佔個位數，預期 2026 年隨著客戶陸續於台灣與東南亞擴產，營收佔比將達雙位數。

晶呈科技（4768）

1-1 公司介紹

晶呈科技於 2010 年成立，起初為貿易代理商，2016 年竹南廠完工，展開自有產品研發製造。主要產品為特殊氣體，應用於半導體黃光、蝕刻、擴散及薄膜製程，營收佔比 90% 以上，另外還有旗下子公司台灣芯電製造的濕式化學品（Stripper）。公司近年積極投入 TGV（Through Glass Via）玻璃載板技術，發展以自有 LADY 與 MAN 製程為核心的高精度玻璃微孔與金屬導通解決方案，並延伸至 CPO 光纖束導基座等新產品線。

主力產品包含 C4F8（八氟環丁烷）、C4F6（六氟丁二烯）、SF6（六氟化硫）、AHF（無水氟化氫）主要用於蝕刻製程，SiF4（四氟化矽）主要用於薄膜製程，Laser Gas 主要用於黃光製程，F2/N2（氟氣、氮氣混合氣體）、NF3（三氟化氮）、BCl3（三氯化硼）主要用於蝕刻及擴散製程中的清洗氣，BCl3（三氯化硼）用於摻雜製程。其中 C4F6 為新一代環保電子氣體，其 GWP 值幾乎為 0，為公司重要營收成長動能。

1-2 營收佔比

晶呈科蝕刻用特殊氣體佔其 1-3Q25 營收比重 46%，黃光用特殊氣體佔其 1-3Q25 營收比重 22%。

晶呈科產品組合。資料來源：公司資料

晶呈科 1-3Q25 產品比重。資料來源：公司資料

1-3 關注重點

台灣唯一具備全製程四段製造技術的生產廠商（特殊氣體製造技術層次分為四個等級，難度由高到低分別為一級合成、二級純化、三級混氣/轉充填、四級微量分析及特殊部件設計組裝）。

2026 年公司展望

公司展望全年營收成長率突破三成，其中先進製程（14 奈米以下製程的特殊氣體及相關產品、先進封裝所需的玻璃材料）2026 年營收佔比預計突破 90%。
各產品線：特殊氣體（C4F6、F2/N2）：YoY>30%；TGV：YoY>100%；Stripper：YoY>50%；顯示屏：YoY>30%（出貨從 136 吋到 163 吋，已接獲客戶訂單）
LADY TGV 預計到 1Q26 底將貢獻公司 8 位數營收。

產能規劃

公司表示，2024 年整體產線稼動率約落在 70–80%，產能方面不是問題，現階段倉儲物流的產能約 50-60%。就產能擴充結構來看，低階（第三、第四級）產線因建置門檻較低，可快速因應需求擴充，然而高階（第一、第二級）產線產能擴張速度相對緩慢，使其成為影響整體供應彈性的關鍵環節。

目前二廠 Stripper 已經穩定供貨給 3 家客戶，預計 1H26 會再增加 6 個客戶，2025 平均利用率約 20-30%，未來認為滿載時間點約會在 2Q-3Q26 實現，目前 1 條產線年產能 288 頓，預期未來會擴產至 4 條產線以因應需求，4 條產線預估產值約 3-4 億。
二廠目前 TGV 目前僅一條產線，產能 5,000 片/月，預估至 2029 年產線會大幅超越 120 條。

台特化（4772）

1-1 公司介紹

成立於 2013 年，專注於半導體特殊氣體領域，以矽烷類薄膜沉積產品做為公司主力產品，並持續開發先進蝕刻類、前驅體類等產品。台特化為全球唯四、台灣唯一量產半導體高純度矽乙烷，亦為全球最大單一產線，矽乙烷年產能達 30 萬噸；矽丙烷僅有兩家供應商。2H24 推出新產品乾式蝕刻氣體 AHF（無水氟化氫），目前已通過客戶驗證，於預計 2026 年放量。

台特化主要產品。資料來源：公司資料

1-2 營收佔比

自製產品：矽烷特殊氣體（矽乙烷、矽丙烷）、AHF
代理產品：矽甲烷

2025 年營收比重。資料來源：公司資料

1-3 關注重點

矽乙烷用於化學氣相沉積（CVD）製程，技術門檻極高，僅有四家能夠量產半導體級矽乙烷的廠商，其他三家依市占率分別為 Voltaxi（美）、三井化學（日）、SK Materials（韓）。N2 相較 N3 矽乙烷用量增加 1.5-2 倍，將為主要成長動能。而矽丙烷性能較矽乙烷優越，為次世代薄膜沉積的原料，台特化為全球唯二具有合成製造矽丙烷氣體技術量產廠之一，公司同一製程可以同時產出矽乙烷跟矽丙烷兩項產品，為公司未來長期動能之一。
無水氟化氫（AHF）為乾式蝕刻與清潔製程所需之關鍵特用氣體原料，具備高度技術門檻，台特化為台灣唯一具備 AHF 量產能力之廠商。傳統乾式蝕刻多使用氟碳類氣體，惟該類氣體屬於強烈溫室氣體（GWP 值高），環保壓力日益升高。公司新開發之 AHF 產品具備良好選擇率與階梯覆蓋率（step coverage）表現，可滿足先進製程蝕刻需求，且 GWP < 1，為兼具製程效能與環保效益之新一代蝕刻氣體。AHF 已於 2025 年通過客戶驗證並開始小量出貨，公司預期 2026 年出貨量將顯著放大，並可望使 AHF 於特氣營收中占比提升至雙位數水準，成為中期重要成長動能。
此外，公司亦同步布局 ALD 製程所需前驅物（precursor）之研發，鎖定先進製程應用，預計於 2027 年起逐步貢獻營收，進一步擴大高附加價值材料產品組合。
台特化併購之弘潔科技主要業務為先進製程乾式製程 chamber 高階設備零件超潔淨清洗服務商。

3-3. 研磨液

CMP 製程所需材料包含研磨液、研磨墊、鑽石碟，其中研磨液是研磨材料中成本佔比最高的。研磨液主要包含奈米級研磨顆粒和化學反應溶液，最常見的研磨液是氧化鋁，其具高硬度與耐磨性，能精準控制去除速率與表面平整度，是半導體研磨的首選材料。

CMP 耗材成本佔比。資料來源：SEMI

進入 2nm 製程後，每個邏輯晶片需增加約 15 次 CMP 步驟

各節點 CMP 道數。資料來源：自行整理

研磨液屬於技術門檻極高的化學品，現階段供應商主要由美國、德國及日本廠商寡占。

各材料對應的廠商。資料來源：自行整理

3-4. 濕式化學品（顯影液、光阻稀釋液、剝離液、蝕刻液、清洗液）

3-4-1. 光阻配套液

微影光源波長演進與應用節點。資料來源：TrendForce

DUV 浸潤式微影技術的光學解析度極限約為 40nm，透過雙重曝光可推進至 20nm，四重曝光可以達到 5nm，但受限於解析度問題，實際極限為 7nm。台積電自 2019 年 N7+ 節點起導入 Low-NA EUV（0.33 NA），其核心意義在於可用較少次曝光取代 DUV 階段需要的多重曝光，從而降低製程複雜度並改善良率。

不過，這並不代表 EUV 本身不再需要多重曝光。隨著製程持續微縮，目前台積電仍是以 Low-NA EUV 搭配多重曝光的方式，來延續既有 EUV 機台的使用壽命。台積電於阿姆斯特丹舉行的歐洲技術研討會上表示，不會在 1.4nm（A14）節點導入 High-NA EUV。主因在於 High-NA EUV 單台設備價格高達 3.8 億美元，幾乎為現行 Low-NA EUV 的兩倍，而透過 Low-NA EUV 結合多重曝光，仍可支援 1.4nm 製程量產並達成相同解析度。SemiAnalysis 引用 IBM 的數據指出，單次 High-NA EUV 曝光的成本約為單次 Low-NA EUV 的 2.5 倍。這意味著，只有在 High-NA EUV 能夠取代三層甚至四層 Low-NA EUV 的光罩與曝光步驟時，其成本優勢才會顯現。High-NA EUV 的實際導入時點，較可能為 A14P 或 A10 節點。

從製程角度來看，Low-NA EUV 由於解析度仍不足，為了畫好一層金屬層，可能需要製作 3 到 4 個不同的光罩，並分 3 到 4 次曝光才能完成。而 High-NA EUV 理論上可藉由更高解析度，將原本需多重曝光的圖案，以單次曝光與單一光罩完成。

理論上，曝光次數的減少，將同步降低光阻液及其配套化學品（稀釋液、洗邊液、顯影液）的使用量。然而，目前台積電仍不採用 High-NA EUV 的單次曝光路線，而是持續以 Low-NA EUV 搭配多重曝光推進先進製程。因此，短中期內，EUV 相關化學品的使用量仍隨著製程複雜度提升而增加。

即便未來台積電開始導入 High-NA EUV，EUV 光阻液本體的技術門檻極高，目前全球能穩定供應合格 EUV 光阻液的廠商，仍由日本三大廠（JSR、TOK、信越）高度壟斷，台廠切入難度極高。相對而言，在配套化學品（如稀釋液、洗邊液、顯影液）領域，台積電正積極推動供應鏈在地化，部分台廠已成功打入並進入幾家供應鏈體系。不過需留意的是，配套化學品本身技術門檻相對不高，且其需求量高度依賴曝光次數。若未來隨著 High-NA EUV 導入、曝光步驟實質減少，配套化學品的使用量存在中長期下降風險。

顯影液種類

相關供應商

三福化（4755）

1-1 公司介紹

三福化為 2003 年自三福氣體公司分割後獨立的公司，業務包含基礎化學品、精密化學品、新興化學品等。

1-2 營收比重

基礎化學品：環己胺（CHA）、雙環己胺（DCHA）、對羥苯甲酸（PHBA），主要應用於塑料、食品添加、美妝保健食品、醫療器材等。以及越南空分廠生產之氮氣、氬氣、一氧化二氮（N2O）、矽甲烷（SiH4）等氣體。
精密化學品：蝕刻液、剝離液、稀釋液、清洗液等，主要應用於半導體、面板、太陽能、LED。
新興化學品：半導體級、面板級顯影劑（TMAH）廢液回收。
各業務平均毛利率：精密 30-40%、工程 20-30%、TMAH 15-20%、基礎 10-15%。

三福化產品組合。資料來源：公司資料

三福化 1H25 產品比重。資料來源：公司資料

1-3 關注重點

精密化學品

據公司說法，目前送樣一隻 SoIC 蝕刻液跟剝離液在驗證的最後階段。
N2 研磨清洗液已於 4Q25 交貨，預期 2Q26 放量，預計佔今年營收單月 2-300 萬。
公司展望 2023 年已打入台積電先進封裝（CoWoS 與 InFO）的剝離液為主要動能之一，預計 CoWoS Stripper 成長 40-50%、InFO Stripper 10-15%。主要受惠於台積電持續擴充先進封裝產能，AP7/8 確定由三福化供應。
下一代 WMCM Stripper 用量增加也成為動能之一。

基礎化學品

基礎化學品主要由對羥苯甲酸（PHBA）銷售量帶動（PHBA 佔 30% 基礎化學品營收），公司預期 PHBA 銷售量由 2025 年 3,300 噸提升至 2026 年 3,600 噸。

新興化學品：顯影劑（TMAH）廢液回收

台積電 IC 級 TMAH 回收再生流程。資料來源：TSMC

TMAH 回收再製業務是三福化未來最關鍵的成長動能，主軸在於將顯影劑 TMAH 廢液回收後再純化，生產可供半導體使用的 IC 級產品，不僅具備成本與 ESG 綠色化優勢，也符合半導體材料在地化趨勢。且此項技術門檻高，目前國內競爭對手僅有長春。
據公司說法，TMAH 廢液回收後電解即為面板級 TMAH，純化後即為半導體級 TMAH。TMAH 產能方面，子公司國際日東擁有 TMAH 5,000 噸電解產能，10,000 噸純化產能，善化廠僅有電解產能 7,000 噸，無純化產能。目前已在供應成熟製程（茂矽、世界先進、瑞豐），1H26 美光、聯電、台積電、力積電還在認證，台積電部分，1Q26 上機測試，2H26 貢獻營收。

TMAH 廢液回收產能，回收的廢液大概會剩一半可以電解成面板級TMAH。資料來源：自行整理

市場對三福化的疑慮應該是台積電的認證遞延，日東的半導體級 TMAH 早於 4Q23 送樣認證，因台積電認證時間長，應該在 4Q24 就驗證通過出貨給台積電，確實有延後，後續需觀察是否能如期通過認證並量產貢獻營收。
三福化董事會去年通過 7,000 萬元資本支出案，在善化廠建置研磨液代工工程，該案的合作對象為默克，公司表示 2Q26 開始貢獻營收（一個月約 1-200 萬）。

越南廠

越南子公司目前設有兩個主要的生產基地：

氣體廠（空氣分離廠）：主要透過物理方式分離空氣，生產氮氣、氧氣與氬氣等元素類氣體。
- 三福化越南空氣分離廠稼動率目前已穩定於 80% 以上，供應散熱廠（奇鋐）製鞋業（發泡鞋底需使用氮氣）和電子組裝業的氮氣需求。
- 公司計畫設立空分二廠，預計將於 1M26 開始動工，約於 2026 年底完工，空分二廠滿載年產值預估將可貢獻達 2.6 億元，挹注未來營收動能。
材料廠：原定位為供應太陽能產業，生產品項包含 PAK-03（特用化學品）與矽甲烷（SiH4），並代理銷售由台灣柳科廠生產的 N2O（一氧化二氮）。

3-4-2. 蝕刻液

結論

先進製程幾乎全面採用乾式蝕刻，原因在於元件尺寸已進入奈米甚至原子等級，對蝕刻的精準度、方向性與一致性要求極高。乾式蝕刻利用等離子體或氣相化學反應，可精準控制蝕刻深度與垂直方向，避免側向過度腐蝕，並能因應 GAAFET 這種複雜 3D 結構的製作需求，因此成為先進製程的主流蝕刻方式。

而濕式蝕刻以化學溶液溶解材料，製程簡單且成本較低，但蝕刻方向不易控制（等向性），較不適合奈米級關鍵結構。因此，濕式蝕刻多用於較大尺寸結構、非關鍵層材料移除、清洗或成熟製程節點

在台積電蝕刻製程以乾式蝕刻為主下，根據控制全球約 90% 份額的三大龍頭蝕刻設備供應：Lam Research（科林研發）、Tokyo Electron（TEL，東京威力科創）、Applied Materials（AMAT，應用材料）的技術路線與產品策略可看出蝕刻技術的演進趨勢朝向原子層蝕刻（ALE）和高選擇性蝕刻（High-Selectivity Etching）。

蝕刻技術的兩大趨勢

相關化學品需求

乾式蝕刻常用到氟化氣體、氯化氣體及氧化氣體，主要包含氟化氣體，如六氟化硫（SF₆）、四氟化碳（CF₄），用於蝕刻二氧化矽（SiO₂）和氮化矽（Si₃N₄）；氯化氣體，如氯氣（Cl₂），用於蝕刻金屬層；氧化氣體，如氧氣（O₂），用於蝕刻光阻層。

供應商

台特化、達興材、僑力化工（未上市）、廣明（台灣最大電子級硫酸廠，未上市）、台塑大金（台塑和大金的合資公司）。

達興材（5234）

1-1 公司介紹

達興材料於 2006 年由友達光電和長興材料合資成立，以面板材料起家，為國內最大面板化學材料供應商。2018 年開始跨入半導體材料業務，公司接下來資本支出和研發成本重心主要放在半導體材料，尤其是先進製程（2 奈米和以下節點）與先進封裝（2.5D/3D IC）材料開發。

資本支出 2026 年預估為 3-4 億元，用於因應半導體成長所需的新產線建置與設備購置。未來半導體整體毛利率應會優於顯示器。

1-2 營收佔比

顯示器材料：主要應用於 LCD 的 Array、Cell、Color Filter 的永久材或間接材料，相關產品包括光阻、配向膜、蝕刻液、光學膠保護層及濕式化學等。
半導體材料：應用於成熟、先進製程及先進封裝的化學品，包含蝕刻液、清洗液等。
關鍵原材料和其他：應用於綠能產業和化學相關應用之上游關鍵原料

達興材產品組合。資料來源：公司資料

達興材 1-3Q25 產品比重。資料來源：公司資料

1-3 關注重點

半導體材料：半導體材料有三種經營模式並進（自主研發、與半導體化學品大廠合作開發（化學品材料大廠有配方，達興材幫忙代工）、與半導體大廠合作開發），營收佔比持續提升。目前共有 25 項相關產品，其中 10 項已量產，預計 2H25 再新增 2-3 項產品進入量產。
顯示器材料：顯示器業務與消費性需求直接相關，公司顯示器材料營收佔比仍高，
關鍵原材料：目前主要應用在永久材，驗證時間長。但一旦驗證通過開始量產，成長量體會非常大，需要時間發酵。
- 旭化成產能問題為公司永久材 PSPI 創造機會，開始有許多客戶來詢問，但 PSPI 屬於永久材，客戶驗證時間非常長，導入量產預計仍需一年以上的時間。

達興材共有 25 項半導體材料產品

3-4-3. 清洗液

製程的五大污染源

勝一（1773）

1-1 公司介紹

勝一化工成立於 1979 年，為台灣前三大溶劑生產商，其他兩家為長春石化、李長榮化學。公司有九個廠區和三個專業研究實驗室。台積電為其大客戶（2024 年營收佔比 36%）。全球前十大晶圓代工廠中，除中國大陸三家以外，其餘都是勝一的直接或間接客戶．每家客戶的產品均高度客製化，規格不同，故技術門檻相當高。勝一以供應清洗液為主。公司自 4Q24 開始供應 5nm 洗邊劑（EBR）．且一隻蝕刻液產品也切入 2nm 供應鏈，未來將逐步完成 3nm EBR 的送樣認證。

1-2 營收佔比

電子級溶劑：應用領域包含半導體（製造、封裝）、面板及其他。目前電子級溶劑產品有 20 項，其中 10 項屬於半導體先進製程。公司供應的 10 項先進製程電子級產品中，部分為獨家供應，部分為雙/三供應商機制，不同產品在製程節點導入進度不一，有些已導入最新 2nm，有些仍在認證中。
工業級溶劑：塗料、樹脂、油墨。

勝一產品組合。資料來源：公司資料

勝一 1-3Q25 產品比重。資料來源：公司資料

1-3 關注重點

產能規劃

公司三年前就已備好產能，當主要客戶量增加時，固定支出帶來的獲利會更高。公司現有兩座主要電子化學品產線：電子級異丙醇（IPA）與丙二醇甲醚（PM），PM 跟 IPA 屬不同產品，但都用於清洗，P 系列（PM）產品對公司而言規模比 IPA 更大，勝一目前兩座產區持續擴建：

IPA 部分：因應半導體先進製程對高純度異丙醇（IPA）的需求，全資子公司鴻勝化工正新建兩套高純 IPA 生產廠，基地面積約 8,000 坪。該專案已於 11M24 動工，預計 2026 年中完工，並於 2027 年擴增至四條產線，以滿足客戶需求。
PM 部分：公司亦啟動第二套 PM 產線的建設，基地面積約 7,000 坪。PM 為公司溶劑系列的主要原料，早在 2007 年勝一即建成全台首座 PM 廠，年產能約 5–6 萬噸。為滿足日益成長的市場需求，公司於 2M24 公告啟動第二座 PM 廠建設（不含土地），規劃年產能 8 萬噸。該新廠預計 2027 年底完工、2028 年開始投產，屆時年產能將由目前的約 5 萬噸提升至 13 萬噸。PM 長期規劃自用，一般規劃五年開滿。
電子級化學品的建廠週期約需 2–3 年，完工後還需 0.5–1 年的客戶認證期。
管理層預期 PM 二廠和 IPA 新產線量產滿載可貢獻年產值約 30 億 / 20 億。

原物料價格波動

原物料價格大漲，電子級價格無法及時反應，毛利率可能下降，有鑑於此，公司擁有較多的儲槽，可以在原物料低價時買進，有助於成本控制。
由於電子產業的價格週期較長，短期間原物料價格波動可能無法馬上反映給客戶，但公司可透過儲槽優勢掌握原物料採購時機，過去幾年高額資本支出（如 40 億元投資碼頭的主要效益），在於提供足夠的儲槽，讓公司在原料低價時買進，掌握採購時機。