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最近在看 QR Flyback 的 Valley Lockout 機制，意外在 Onsemi 官網的 Design Resource 挖到 NCP1380 的完整 SIMPLIS 檔:
以前自己用邏輯閘搭 Valley Counter 總是容易收斂失敗，官方這個模型直接把內部邏輯都寫好了。我剛跑了
在不對稱半橋（AHB）架構中，如果我們能根據負載和輸出電壓的需求，動態改變前級 PFC 的電壓（Bulk Voltage），就能讓AHB始終工作在最佳的效率點。我們將透過理論計算與 SIMPLIS 模擬，講解是如何透過外部電路調整回授迴路的經典方法。
核心觀念：控制回授電壓
所有的類比 PFC
在設計寬輸出電壓範圍的PD時，例如5V至48V，如何為AHB控制器IC提供一個穩定且高效率的輔助電源(Vcc)是關鍵挑戰。由於輸出電壓範圍變化大，輔助繞組若設計不當，容易導致LDO壓差過高造成的效率損失。
傳統二極體整流輔助繞組
在傳統的輔助繞組設計中，通常會採用二極體整流和電容來產生Vcc，
前言
在半橋功率級中，若啟動過程中上下臂驅動切換時間不對稱，可能造成啟動階段的不穩定行為。傳統的自舉驅動方式會在下臂導通期間，透過二極體替自舉電容（Cboot）充電，提供上臂驅動所需電壓。不過，自舉電容（Cboot）需要足夠的充電時間才能達到場效應電晶體（FET）所需的驅動電壓，不同元件類型所需的
為了提升功率密度與輸出能力，我們經常採用多相並聯（Interleaved）的LLC轉換器架構。然而，將多個LLC轉換器直接並聯，看似簡單，卻隱藏著一個棘手的問題：電流不平衡（Current Unbalance）。
挑戰：直接並聯架構的致命傷
當我們直接將多個LLC模組並聯時，一個核心問題便浮現出
針對同步整流（Synchronous Rectification, SR）MOSFET 的開啟與關閉控制流程進行說明，涵蓋電路中的關鍵邏輯控制，並以電路輔助說明，幫助讀者建立 SR 電路的基本概念。
一、MOSFET 開啟流程（Turn-On）
本體二極體導通
當電流流經本體二極體時，MOS
On-off control，又稱為磁滯控制（Hysteresis Control），或稱Bang-Bang control。這種控制方式的名稱源於其工作原理：透過設定兩個明確的閾值（高閾值 VHH 和低閾值 VHL），當被控制量（在此為諧振電容電壓 VCR）達到其中一個閾值時，立即觸發開關動作，使
在上一篇文章中，我們詳細探討了經典的 L6599 如何透過「電壓模式」來實現穩定可靠的 LLC 控制 。然而，在追求更快暫態響應與更簡潔迴路補償的設計需求下，另一種強大的控制架構——「電流模式控制」應運而生。本文將以電流模式控制器 NCP1399 為主角，介紹它如何利用核心的「內外雙迴路」架構，帶來
在電源設計的領域中，LLC 諧振轉換器因其高效率而備受青睞，而在眾多 LLC 控制器 IC 中，ST 的 L6599 系列無疑是佔有一席之地的經典之作。許多工程師都曾研究過它的 datasheet，對其精巧的設計讚嘆不已。
今天，我們不談論複雜的功率級，而是將焦點放在這顆 IC 的心臟—它的壓控振
初始狀態 (T=0)
Vin 上電，但輸出電壓 Vout = 0V，因此回授電壓 vfb 也為 0V。
所有計時器的電容 (C1, C2) 皆為 0V。
第一步：產生首次導通 (Turn-On) 脈衝
請求導通 (Request Turn-On)
由於 vfb (0V) 遠低於 600mV
