針對同步整流（Synchronous Rectification, SR）MOSFET 的開啟與關閉控制流程進行說明，涵蓋電路中的關鍵邏輯控制，並以電路輔助說明，幫助讀者建立 SR 電路的基本概念。
電路
- 本體二極體導通
當電流流經本體二極體時，MOSFET 兩端 VDS 電壓約降至 -0.7V。 - 偵測開啟條件
比較器 U8 持續監測 MOSFET 的 VDS。當電壓下降至設定閾值（如 -100mV）以下時，U8 輸出高電位。 - 產生上升緣短脈衝（Short Pulse）
U8 的高電位訊號經反相器 U9，再與 U8 原始訊號輸入到 AND 邏輯閘 U14，產生上升緣觸發的短脈衝。此設計目的為在 VDS 首次低於閾值時，僅產生極短的上升緣 Pulse，避免維持高電位造成正反器（Flip-Flop）多次觸發，確保每次僅對應一次開啟事件。 - AND 判斷與開啟 MOSFET
U8 與 U9 產生的短脈衝經 AND 邏輯閘 U14 輸出後，再與「最小關斷時間（min off time）」訊號T_OFF_MIN 一同進入 AND 邏輯閘 U6。
U6 用以確認同步整流 MOSFET 已經關閉足夠時間，並達開啟條件，才允許觸發正反器。
當 U14 與 T_OFF_MIN 皆為高電位時，U6 輸出高電位，觸發正反器 U10「設定（Set）」，Q 端轉為高電位，透過閘極驅動器 U7 導通MOSFET ，讓電流由本體二極體轉向 MOSFET 通道，降低損耗。
二、MOSFET 關閉流程（Turn-Off）
- 偵測電流趨近零
MOSFET 導通期間，隨著電流變小，VDS 由負值回升。比較器 U11 偵測 VDS，當電壓超過設定閾值（如 -5mV）以上，表示電流即將反向，U11 輸出高電位。 - 產生上升緣短脈衝（Short Pulse）
U11 輸出的高電位經 U16 反相，與 U11 輸出同時進入 AND 邏輯閘 U15，產生上升緣觸發的短脈衝。
此設計可確保在 VDS 首次超過閾值時只產生一次短脈衝，避免正反器重複觸發。 - AND 判斷與關閉 MOSFET
U15 的短脈衝再與「最小導通時間（min on time）」訊號T_ON_MIN 進行 AND 判斷。T_ON_MIN 確保 MOSFET 已開啟達預設時間，以防止雜訊或振鈴導致提前關閉。U15 與T_ON_MIN 均為高電位時，U17 輸出高電位，觸發正反器 U10「重置（Reset）」，Q 端轉為低電位，透過閘極驅動器 U7 關閉 MOSFET，完成整流週期。
三、保護與定時邏輯
- 最小導通時間（Minimum On Time）定義
由 I充C 定時器（C4、I2）與比較器 U12 產生T_ON_MIN 訊號，確保 MOSFET 開啟後至少導通一定時間，提升系統穩定性。 - 最小關斷時間（Minimum Off Time）定義
由 I充C 定時器（C5、I3）與比較器 U18 產生T_OFF_MIN 訊號，確保 MOSFET 關閉後有足夠 off-time，避免振鈴造成誤觸發。
結論
本同步整流控制邏輯透過 VDS 偵測、上升緣觸發、最小開啟時間、最小關閉時間與正反器控制，精準掌握 MOSFET 的導通與關閉時機，達成高效率、高可靠度的同步整流。
