前言
在全球能源轉型的關鍵時刻,電力轉換效率已成為衡量科技進步的度量衡。從數據中心的電源管理到電動車的續航里程,每一瓦特的損耗都關乎成敗。傳統以矽 (Si) 為基礎的功率半導體正逐漸觸及物理極限,而碳化矽 (SiC) 與氮化鎵 (GaN) 等第三代半導體的崛起,正引發一場前所未有的封裝技術革命。
在全球能源轉型的關鍵時刻,電力轉換效率已成為衡量科技進步的度量衡。從數據中心的電源管理到電動車的續航里程,每一瓦特的損耗都關乎成敗。傳統以矽 (Si) 為基礎的功率半導體正逐漸觸及物理極限,而碳化矽 (SiC) 與氮化鎵 (GaN) 等第三代半導體的崛起,正引發一場前所未有的封裝技術革命。























