AI市場的火熱推進了製程的進展!!
這幾年大家都知道COWOS供不應求，因此下一代的技術將成為關鍵，也協助封裝測試廠商做了一個大轉型。
摩爾定律已經走到極致，目前看到3奈米，接著2奈米，之後再往下微縮已經快成為不可能的任務，隨著NVDIA不斷推進製程， 明後年各晶圓廠就瞄準了晶背供電技術，這項技術會成為未來幾年大家討論的話題，如同COWOS，而泡麵這裡會用最淺顯易懂的方式跟各位讀者介紹這項技術跟分析未來的可能性。
1.晶背供電技術介紹
其實這個技術跟COWOS很像，最早是由INTEL提出的，是好幾年前的技術，只是因為沒有AI這麼迫切的升級需求所以一直沒有熱起來，但如果製程要再進步，這項技術絕對是關鍵。
2.深入淺出講解晶背供電目前製作的晶圓，正面有訊號線路跟電源線路，隨者製程的進步上面已經非常的擠，因為尺寸微縮，電源跟訊號就越來越擠，導致很多問題，除了設計沒辦法再更靈活以外，還會互相影響產生電阻，進而產生熱，這時大家很聰明，就想到將電線路從晶片正面移至背面，藉此在正面釋放更多空間給訊號線路，大幅提升晶片邏輯密度和效能。
晶背供電不管如何，都不是取代任何技術，而是一個1+1 >>>>>2的重要技術，所有該有的東西都得到大幅進化，而讓製程又邁向新的一步。
3.TGV(Through-Glass Via)
我們先釐清：晶背供電到底在做什麼? 就是把電源線從傳統正面金屬層移到晶片背面。
而介紹晶背供電就得要提到這項技術，因為晶背供電將電路線移到背面，而目前量產最適合的方案就是用這個TGV方式。
晶背供電（BSPDN） 就像你想從房子的地下室（晶片背面）送大量水（電流）到屋頂的每個水龍頭（晶片前面/封裝端）。
- 地下室 → 背面金屬層 = 水源
- 水龍頭 → 封裝端 = 晶片前面/封裝的電源點
問題：中間隔了一層「玻璃板」，水不能直接穿過，它不導水，就像玻璃不導電。
比喻就是：
- 玻璃板上鑽一個通水的管子
- 內部鋪上水管（導電金屬）
- 水可以順利從地下室送到水龍頭
- 玻璃不能導電 → 你必須鑽個洞、鋪線
- TGV 就是這個「鑽洞並鋪線的技術」
另外提到另外一種方式是Intel的TSV其實也可以用，但會有以下缺點
- 深度有限制，直徑很小 → 電阻高 → 不適合大量電流（power via）
- 製程成本高 → 前段晶圓就要改 → 良率風險大
- 薄晶片應力大 → 可靠度較低
- 用矽做 TSV → 太細、太難、成本高 → 就像想用細吸管送整桶水
- TSV會用到電鍍→電鍍受到高度影響→高度太高成本跟難度會大量上升→不利於量產
這也是為什麼 量產晶背供電多用 TGV 而不是 TSV。
4.TGV 目前關鍵廠商?
這就不得不提到台灣的創新服務(7828)，查網路上的資料大致能理解創新服務開發的機台可以用巨量轉移的方式將銅柱植入到玻璃中，配合晶呈科技(4768)達到TGV的效果，目前我看台灣也只有查到他們有做這個，或許說不定未來台積電量產就是用他們的技術也說不定。
另外銅柱的部分前幾篇文章有提到應該是來自奇彥科技(finecs)的銅柱，也只有他們的銅柱才能有這麼穩定的品質。
以上泡麵提到的這些廠商應該都可以去關注看看，但我是蠻看好創新服務未來的發展的。
