2026年台積電預估資本支出約US$52-56B，遠超市場預期的US$48-52B，其中先進製程的資本支出續創新高，年增幅度39%、超過去年28%，但半導體設備的拉貨時程與裝機驗證仍需等到廠務設施建置完成(2H26)。同步觀察到其他邏輯製程客戶，如Intel已宣布投產18A製程（雖然目前尚未有正式客戶下單）；三星2nm製程上取得Tesla、AMD與高通等投片，大客戶的訂單能見度持續提升，推動先進製程設備需求提升。
2026-27年由於記憶體超級循環，推動DRAM製程迭代轉向1c，而Samsung與SK Hynix在1c節點將EUV層數從1b的4層增加到6-7層，單晶片曝光次數增加推動了EUV機台的需求量。
NAND的部分，儘管新增產能不如DRAM來的強勢，但主要供應商在2H25-2027將逐步朝更高層數演進。目前市場主流為200層級距產品，Sk Hynix/Kioxia/WD等在2H25-2026年跨入300層級距(~320層)，2027則有望進展3D NAND製程從2XXL轉向2YYL(約290-300層)，對蝕刻到400-500層產品。300層以上須使用低溫蝕刻(Cryogenic Ething)，ASP約上升25-30%，設備廠中當以Lam Research為主要受惠者。
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