我的電子情人夢(38):USB PD才是明日之星

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先歸結一個新半導體論,這是一個甜蜜現在進行式與未來進行式:
USB C x USB PD x GaN “
USB 3.0=USB 3.1 Gen 1=USB 3.2 Gen 1,那USB4呢?而真正的明日之星卻是USB PD。
近年來,為何小型充電器的提供電力瓦數,會越來越高?關鍵因素就是氮化鎵GaN這個半導體材料,得以量產化運用之故。話講白一點,就是價格可以落入消費性產品的領域。
<<< 小體積大瓦數充電器的背後功臣 - 氮化鎵。>>>
氮化鎵(Gallium nitride),這個材料並不是新東西;係『化合物半導體』的一種。而點矽成金的矽(Si)或是鍺(Ge)則是單元素半導體,過去廣泛使用,往往被人歸類為第一代半導體材料。
1980年代發展出來的砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)化合物則視為第二代半導體材料。
至於,最熱門的第三代半導體材料,當屬氮化鎵GaN以及碳化矽SiC。SiC佔高功率地位,而GaN則具有更高電子遷移率,比SiC 或Si具有更高開關速度,優勢在高頻率應用領域。
GaN的結晶構造,宛如纖鋅礦型結構;這類半導體相對於矽並不好做,製造方法較難,價格相對當然會昂貴。小米發表Type-C 65W充電器時,售價765(目前滑落到595);新東西早買總是要承擔有bug的風險,先買先享受這種說詞是自我催眠。
<<< 半導體材料的演進。>>>
<<< GaN結晶構造。>>>
氮化鎵比起矽,起碼有兩種優勢。
之一,高效率:能隙(band gap)寬廣。能隙越寬的材料原子間的結合力較高,可實現低損耗、高速開關和高溫操作;越能耐高電壓、高電流。矽的能隙約1.12 eV;SiC為3.26 eV,GaN為3.42eV。
之二,高耐久性:絕緣破壊電壓高,耐久性自然較高。矽的絕緣破壊電壓0.3MV/cm、GaN為3.0MV/cm。
這種優勢就告訴我們,GaN絕對適用於USB 充電器和AC配接器。若與Si相比,可在更小的面積內發揮更大的電力功率。
注:材料有能帶結構。一般固態物質有共價帶與導電帶,二者重合即是導體,二者遠隔乃絕緣體;有點近、又是不很近的就是半導體,它可由外加電場操控導電與否。
注:絕緣破壊電壓,是分隔導體的絕緣體被破壞而不能保持絕緣狀態時,施加在導體之間的電壓。
USB這個介面的標準電源選項(有些企業也可能有其獨立方式),有它的歷史背景,所以,會有多樣化的存在:
. USB 2.0:5V . USB 3.2:5V
. USB4:5V/1.5A
. USB BC 1.2:5V/1.5A
. USB Type-C 1.5A
. USB Type-C 3A
. USB PD:可配置到48V/5A
現在USB Type-C以及USB PD的最高規格,乃是20V/5A,亦即100W給電能力是上限。
官方組織USB-IF於2021年5月25日,將USB Type-C規格更新到2.1版。其中,追加了新式48V電壓的選項。換句話說:
“ USB Type-C可供給的電力可從100W升級到240W。”
今回USB Type-C連接器的規格,暗示新的電壓值將拉升到48V。為了要耐受50V的電氣特性,就必須遵守「USB PD Extended Power Range(EPR)」的規範。連接線必須包含一個電子標記(也就是所謂的 eMaker),可以表明與 EPR 模式的兼容性。
這個規範,可以說電玩筆電是最為受益的產品。目前,即使是使用普通 AC配接器(不使用 USB PD)的筆記型電腦也傾向於在 20V左右增加電流量,因此,看來支援48V還需要一些時間才對。
雖然「USB PD」是使用USB線的急速充電規格。實際上,USB PD的充電速度是由裝置和充電器的組合決定的。因為支援 USB PD 的裝置和充電器,內部會具有 “PDO”(Power Data Object)的資料結構,使用它相互通信得以相互使用最快的 PDO來充電。PDO,可以視為電流和電壓的組合物件。
比如說,即使充電器支援45W(15V/3A)、然裝置端僅支援30W(15V/2A);結局就是用30W來充電。
所以說,要知道充電器是否支援USB PD的最簡易方法,就是看充電器上的印刷標示。有聲譽的廠商,應該不至於過度唬爛。
一般,USB PD充電器會標示最大幾W(電壓V、電流A)的對應關係。不過,要注意有些多數連接埠的產品,是指合計値喔。
<<< USB PD充電器之範例。>>>
如此的電流和電壓組合,若是無法以60W充電的場合,就降為45W、再不行降為30W的段階式下降。基於更細微的微調,USB PD 3.0就追加了所謂PPS (Programmable Power Supply) 的技術。不再是60W- 45W - 30W的段階式調降,而是電流與電壓可以細微調整來進行更有効率的充電。不過,對應PPS規範的裝置很少見到,充電器倒是出現在市場了。爾後,會不會成為主流?還要觀察。
<<< 對應PPS規範的充電器範例。>>>
相信有不少人對於”USB 2.0/3.x – USB Type-C – USB PD”三者之間的耦合關係搞不太清楚。
具有USB Type-C介面,未必代表它會支援USB PD。在非USB PD的普通USB供電規格範圍內,具體上15W(5V/3A)為上限。對應USB PD的USB Type-C連接線,有支援3A以及支援5A等2種類;對應3A的最高瓦數60W(20V/3A)、對應5A則是100W(20V/5A)為其上限。
在實際使用上,如果您想用 USB PD充電卻是不能,或者如果可以,但速度不快,可能有多種原因。
之一,是裝置本身不支援USB PD的場合。單是具備USB Type-C並不確保裝置支援USB PD充電。在這種情況下,即使連接USB PD充電器,上限也是在一般USB電源供給規格的範圍内、具体來說就是15W(5V/3A)為其上限。
之二,是USB PD充電器輸出過低時。比如說,在顯示“需要 45W 輸出”的筆記本電腦上,連接最大輸出功率為 30W 或 18W 的充電器時,可能難以識別充電器。即使被識別,也僅會減緩電池的消耗罷了。
之三,充電速度出不來的原因,有機會是使用連接線的規格。因應USB PD規格的USB Type-C連接線有3A以及5A等兩種類。
因此,還是選擇合適的充電器與正確的連接線吧。一般的手機約18W ~ 20W,筆電45W~ 60W;平板約介於手機與筆電之間。當然,一些特殊電玩專用筆電,所需瓦數會更高。
英特爾有一張簡報資料,劍指一個Thunderbolt 4就足以一統天下,是嗎?
<<< Thunderbolt 4有吸星大法的威力嗎?>>>
華人性喜炒股炒屋炒地皮,台灣詐騙集團風聞全球,還上維基百科勒。科技業案例真的不少,比如說,以前被媒體冠上” 砷化鎵的張忠謀”,是標準台灣江湖大騙子群的故事之一,博達葉素菲作假帳的技術堪稱一流的科技。買GaN充電器,眼睛還是放亮一點吧。
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