2022/11月初版
2024/11月更新
2025/3月新增
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台積電的晶片代差，現在是3奈米量產，2奈米即將在台量產，更先進製程研發中。所以3奈米廠可以到美國第一個廠，後續一個，生產的風險才能降低。
因為美國設廠成本高，只靠接近客戶市場跟關稅無法抵銷，所以要保持獲利的方式，就是在更低成本的台灣弄到好，才能考慮到美國擴廠。
已經規劃的650億美元三個美國廠，2025弄好一個3奈米，2028可能是3奈米或2奈米/A16，完全看台灣量產是否完成，第三廠要等2030才有可能。這次1000億美元的三個廠，看是要擴增3奈米，還是跟進2奈米/A16，或者等2030以後的更先進製程都可以，重點是兩個封裝廠先動，不用再把晶片運回台灣封裝，以及一個研發中心再提升效能。
那台灣的先進製程呢？2028可能是下一代新製程要進入量產，2030完成，同時再下一代研發。所以不管美國廠做到哪一個製程，台灣都會領先一代。而三星跟英特爾都還在搞不定良率，更別說要在高成本的美國生產有多困難了。中國則還在煩惱7奈米能不能跨過去，還是乾脆去走私台積電晶片比較划算呢？
A16預計在2026年下半量產。
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台積電半導體的代差，美國研發中是N+1代，台積電準備量產是N代（良率低），現在已量產最新製程是N-1代（良率高），可外移先進製程是N-2代（三星在拚，歐美日想跟台積電合作的），各國可量產製程是N-3代，N-4代以後就是低端市場，中國也能做。
最新最先進半導體製程至少有4個階梯，你跟到哪一個，要往前一階都得花大錢跟很多時間。以台積電的研發+量產速度，中國現在都還在N-4代以後，而美國、日本、德國就選擇直接跟台積電合作N-2代，而不是自己從後面慢慢跟不上。
三星的困境則是，N-1代的良率低，拚不過已經大賣的台積電。而良率高的N-2代冒出一堆對手，獲利開始降低，無法支撐再去開發N代，僅能拼命先提高N-1代的良率。N-3代打平養員工用，N-4代則根本沒利潤、性能落後，可以直接放棄，只有被貿易制裁的國家才會繼續用。
張忠謀對外的說法，是把N-1代當成N代，因為真的N代目前都還是商業機密，不能公布。而研發中的N+1代，各方面狀況都還不確定，成功與否尚在未定之天，如果研發失敗就要再拖延摩爾定律的週期。
智慧財產權的用意，就是保障已經投入大量資金的領先者，可以享受研發與量產技術帶來的利潤，然後轉用到繼續開發N+1代的資本需求。如果用中國彎道抄襲的想法，全都用山寨的，就沒人去繼續開發新一代產品，那就會大家都停留在N-4代。將本求利，笨蛋也不會想花大錢投資，有了成果之後被人偷了還告不贏，市場利潤又被分光光。資本主義跟共產主義最基本的不同，在半導體的智慧財產權上，顯露無遺。
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台積電晶圓廠區
1987，台積電創立
自台灣工研院移轉3.5微米及2.0微米製程技術
為荷蘭飛利浦公司客製3.0微米
1988，1.5微米
1.2微米、1.0微米、0.8微米、0.6微米、0.5微米、0.3微米，0.25微米
6 吋晶圓廠
二廠：臺灣竹科園區
1997，南科台南園區成立
1998，0.18微米 0.13微米
2000，南科路竹園區成立，後更名為南科高雄園區
8 吋晶圓廠
三廠：臺灣竹科園區（2002年合併四廠）
五廠：臺灣竹科園區
六廠：臺灣南科台南園區
八廠：臺灣竹科園區（購併世大）
十廠：中國上海市松江區
十一廠：美國華盛頓州（TSMC WaferTech L.L.C.）
SSMC：新加坡（台積電與恩智浦半導體合資）
2004，90奈米
2005，65/55奈米
2007，中科台中園區成立
2008，40奈米
2011，28奈米
2013，16奈米，2015量產
2014，20奈米量產
2017，12奈米量產
2018，7奈米，2021量產。22奈米
2019，6奈米，2020量產
2024，南科楠梓園區成立
12 吋晶圓廠
十二 A廠：臺灣竹科園區（台積總部）
十二 B廠：臺灣竹科園區（研發中心）
十四廠：臺灣南科台南園區
十五廠：臺灣中科台中園區
十六廠：中國江蘇省南京浦口經濟開發區
十八廠：臺灣南科台南園區，5奈米(2020)，3奈米(2022)
二十廠：臺灣竹科園區，2奈米（興建中，預計2025年投產）
二十一廠：美國亞利桑那州，3奈米（興建中，預計2025年投產）
二十二廠：臺灣南科高雄楠梓園區（興建中，預計2025年投產）
二十三廠：日本熊本縣菊陽町（JASM：台積電與索尼半導體、電裝及豐田汽車合資，二廠預計2027年投產）
二十四廠：德國德勒斯登（與博世、英飛凌和恩智浦半導體合資，興建中，預計2027年底投產）
先進封裝測試廠
封測一廠：臺灣竹科園區
封測二廠：臺灣南科台南園區
封測三廠：臺灣竹科桃園龍潭園區
封測五廠：臺灣中科台中園區（量產CoWoS[36]）
封測六廠：臺灣竹科苗栗竹南園區
封測七廠：臺灣南科嘉義園區（預計2026年完工，2028年投產SoIC及CoWoS）
研發中心
全球研發中心：臺灣竹科園區
員工學習中心：臺灣中科台中園區
七廠：臺灣竹科園區（購併德碁）
再生水廠
臺灣南科台南園區
臺灣竹科園區（預計2027年營運）
零廢製造中心
臺灣中科台中園區
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晶片製程技術節點
1：50微米/1960年代初期
2：16/20微米/1960年代中後期
3：10/12微米/1960年代末至1970年代初期
4：7/8微米/1970年代初期
5：5/6微米/1970年代前中期/英特爾 Intel 8080
6：3/3.5微米/1970年代末期/英特爾 Intel 8085
7：2/2.5微米/1980年代初期/貝爾實驗室 BELLMAC-8 (WE212)
8：1.3/1.5微米/1980年代前中期/英特爾 Intel 80286
9：1/1.2微米/1980年代中後期/英特爾 Intel 80386
10：0.75/0.8微米/1980年代末至1990年代初期/英特爾 Intel 80486
11：0.65/0.7微米/1990年代初期/超威半導體 Am486
12：0.5/0.6微米/1990年代前中期/英特爾 奔騰OverDrive P54C
13：0.28/0.35微米/1990年代中後期/英特爾 奔騰Pro P54CS
14：0.24/0.25微米/1990年代末期/超威半導體 AMD K6-2
15：0.18/0.22微米/1990年代末至2000年代初期/超威半導體 AMD Athlon
16：0.13/0.15微米/2000年代初期/英特爾 奔騰M
17：90/110奈米/2000年代前中期/英特爾 奔騰4
18：65/80奈米/2000年代中期/英特爾 奔騰D
19：55/60奈米/2000年代中後期/三星 DDR2 SDRAM
20：40/45奈米/2000年代末期/英特爾 Intel Core i7 Lynnfield
21：38/39奈米/2000年代末至2010年代初期/三星 DDR4 SDRAM
22：32/34奈米/2010年初/英特爾 Westmere
23：28/30奈米/2010年初至中期/高通 高通驍龍 S4
24：20/22奈米/2010年中/英特爾 Ivy Bridge
25：16/18奈米/2010年中至2017年/三星 1X-nano 動態隨機存取記憶體
26：12/14奈米/2014年/英特爾 Broadwell
27：10/11奈米/2016年/高通驍龍 835
28：7/8奈米/2018年/蘋果Apple A12 Bionic
29：5/6 奈米/2020年/蘋果Apple A14
★30：3/4奈米/2023年/蘋果 Apple A17 Pro
★31：1.8/2奈米/台積電計劃2025年開始量產
32：1/1.4奈米/英特爾計劃2029年開始量產
台積電半導體的代差
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Bob Chen的沙龍
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2025/04/06
川普的全球對等關稅，唯一的解法，其實是中國民主化。
1990年代初蘇聯解體與中國改革開放之後的冷戰結束，理論上只要沒有戰爭，美國會成為獨霸，但也開放自己的市場輸血全世界。經歷柯林頓、小布希、歐巴馬，原本資本主義期待的全球化，並沒有隨之帶來全球民主化的體制大轉變。雖然中國在江胡體制下，摸著石子過河、
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2023 台灣反戰聲明工作小組：
★傅大為（陽明交通大學 STS 研究所）
★盧倩儀（中央研究院歐美研究所）
★馮
2025/03/26
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