EUV（極紫外光微影技術）主要應用的製程節點

EUV（Extreme Ultraviolet Lithography）主要用於 7nm 及更先進的製程，目前已被廣泛應用於 5nm、3nm，未來將進入 2nm 製程。以下是 EUV 在不同製程節點的應用情況：

2. 各家晶圓代工廠 EUV 進展

1. 台積電（TSMC）
2. • 7nm（2018 年）：部分使用 EUV（N7+）。
   • 5nm（2020 年）：EUV 為主要技術（N5/N5P）。
   • 3nm（2022-2023 年）：全面 EUV 化，進入 N3/N3E 製程。
   • 2nm（2025-2026 預計量產）：將開始採用 High-NA EUV。
2. 三星（Samsung Foundry）
3. • 7nm（2018 年）：較早使用 EUV，但良率不佳。
   • 5nm（2020 年）：加強 EUV 量產能力。
   • 3nm（2022-2023 年）：EUV 應用於 GAAFET（環繞閘極技術）。
   • 2nm（2025-2026 年）：預計導入 High-NA EUV。
3. Intel
4. • EUV 使用較晚，直到 Intel 4（7nm）製程 才正式導入 EUV。
   • Intel 3、Intel 20A/18A 製程將全面使用 EUV。

3. High-NA EUV（高數值孔徑 EUV）：2nm 以下的關鍵

目前的 標準 EUV（Low-NA EUV）仍可支援 3nm 及 2nm 初期製程，但 更先進的 2nm 以下製程（如 1.4nm），將需要 High-NA EUV。ASML 目前是全球唯一的 High-NA EUV 供應商。

🔹 High-NA EUV 的技術特點

• 提供 更高解析度的微影技術，減少 多重曝光（multi-patterning） 的需求，提升良率。
• 適用於 2nm 以下製程（如 1.4nm、1.2nm）。
• 目前 Intel 已經 率先訂購 ASML 的 High-NA EUV 設備，台積電與三星則在 2025-2026 年開始引入。

4. 結論

• EUV 主要用於 7nm、5nm、3nm 製程，其中 5nm 及 3nm 依賴 EUV 技術。
• 2nm 及更先進的製程 需要 High-NA EUV。
• 目前 ASML 是全球唯一的 EUV 供應商，壟斷 5nm 以下製程的微影設備市場。