2060 HANS-AI 애한스
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「2060AIHANS 애한스｜修課紀錄研究室」專門紀錄我在大學修課的學習軌跡：每堂課重點推導、作業解題、實驗量測、除錯筆記與延伸閱讀，皆以工程化方式整理成可複用模板。目標是讓知識可追溯、能力可量化，並把課堂收穫轉化為可長期複利的技術資產。
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由新到舊
在反向傳播中，每個權重的梯度都可寫成「上游傳回來的誤差信號 × 該權重所接收的輸入值」，也就是 ∂L/∂w = δx。這代表若某輸入在本次前向傳播中為 0，則該路徑上的權重梯度也會變成 0，不會被更新；而偏置項可視為乘上一個固定輸入 1，因此其梯度直接等於該節點收到的誤差信號。
小考最容易失分的地方
第一，方向導數忘記把方向向量單位化。
第二，外積 ĵ 項符號容易寫錯，因為行列式展開時中間那項要帶負號。
第三，散度是純量、旋度是向量，很多人會混掉。
第四，線積分先求 ds 或 dr⃗ 再代入，不要直接把函數拿去硬積。
本次重點在分清楚點、向量、長度、單位向量，以及 grad、div、curl、方向導數、線積分與通量的意義。方向導數用 ∇f·û，投影用內積抓指定方向分量；第一類線積分看函數沿路徑累積，第二類看向量場沿路徑作功；封閉曲面通量常用散度定理，真正積分的是 div(F⃗)，不是每一項外觀是否複雜。
梯度表示純量場在某點增加最快的方向與變化率；散度表示向量場在某點向外發散或匯聚的程度；旋度表示向量場在某點局部旋轉、環流的強弱與方向。三者皆由 ∇ 算子描述，是工程數學與電磁學分析場變化的核心工具。
Week 3 重點是理解線性電路的比例性與可加性，並學會用疊加定理把多個獨立源分開分析、用源轉換把電壓源串聯電阻與電流源並聯電阻互換，讓複雜電路更容易套用 KCL、KVL、Nodal 或 Mesh 快速求解。
W7 重點是把 Coulomb 定律、電場、Gauss 定律、電位、電容與電流電阻整合成一條完整解題主線，學會依題型判斷該用力、場、能量或電路語言下手，並熟練方向、單位、對稱性、固定條件與極限檢查，作為期中考前的總整理。
W6 重點是理解導體內電場如何驅動載子漂移，形成電流密度 J⃗ 與總電流 I，並掌握 J⃗=σE⃗、R=ρL/A、V=IR 與 P=IV=I²R=V²/R。要分清電流與電子方向、I 與 J⃗ 的差別，以及材料性質 ρ、σ 和幾何尺寸如何共同決定導電與焦耳熱耗散。
W5 重點是理解電容器以電荷分離建立電場與電位差，並把能量儲存在電場中。要掌握 C=Q/ΔV、平行板電容 C=ϵA/d、串並聯規則與儲能公式。介電質因極化會改變電場與電位差，使電容增加；並需分清接電池時 V 固定、拔電池時 Q 固定。
W4 重點是用電位 V 的能量觀點理解電場 E⃗，掌握 V=U/q、ΔV=-∫E⃗·dℓ⃗ 與 E⃗=-∇V。要會點電荷與多電荷電位、等位面、均勻電場電位差，以及由 V 反推 E⃗。並理解靜電場是保守場，電場垂直等位面，正電荷往低電位移動。
第一，載子基礎要會能帶圖、費米能階、n/p 型判斷、質量作用定律與溫度效應；第二，載子運動要分清漂移與擴散，並理解連續方程、壽命與擴散長度；第三，接面物理要掌握 p-n 接面的耗盡區、內建電位、順逆偏對 I–V/C–V 的影響，以及 Schottky 與 Ohmic 接觸的差別。
