2026 年 NAND Flash 產業深度預測報告

摘要

本報告旨在提供對 2026 年 NAND Flash 產業的深度預測與綜合分析。研究發現，在人工智慧（AI）基礎設施的強勁需求驅動下，NAND Flash 市場正經歷一場結構性的轉變，從過去的週期性波動進入長期的供不應求階段。主要供應商正將產能優先分配給高利潤的企業級 SSD 和 HBM 相關產品，導致消費性電子市場的供應緊縮與價格飆升。預計此一「超級週期」將至少持續到 2026 年底，甚至可能延續至 2028 年。技術方面，3D NAND 層數堆疊將持續推進，朝向 300 層以上發展，而混合鍵合（Hybrid Bonding）將成為關鍵的下一代技術。本報告將深入探討市場趨勢、供需動態、價格走勢、技術路線圖，並對主要供應商的策略進行詳細分析。

市場概覽與 2026 年展望

市場規模預計將持續擴大。根據 Global Growth Insights 的數據，整體 NAND Flash 與 DRAM 市場規模預計將從 2025 年的 1,914.9 億美元成長至 2026 年的 2,076.2 億美元 [10]。全球 SSD 市場規模也預計從 2025 年的 557.3 億美元成長至 2026 年的 663.2 億美元 [10]。然而，此成長主要由價格上漲而非產量增加所驅動。IDC 與 TrendForce 預測，2026 年 NAND 的供應位元成長率僅為 15-17%，遠低於約 20-22% 的需求成長預期 [1] [2]。這種供需失衡將是貫穿 2026 年全年的核心主題。值得注意的是，Market Growth Reports 提供的 3D NAND 市場規模數據（從 2025 年的 485.1 億美元下降至 2026 年的 402.2 億美元）與其他來源存在矛盾，可能反映了不同的統計口徑，此處僅為參考 [10]。

供需分析與價格趨勢

2026 年 NAND Flash 市場的核心特徵是嚴重的供需失衡。AI 應用的爆發性成長，特別是從模型訓練延伸至推論服務，正大量消耗原可用於 PC 和智慧型手機的記憶體產能。NAND Research 的報告形容市場處於「乾旱年」狀態，並警告 2026 年第二季可能出現「無庫存可出貨」的極端情況 [7]。

供給端方面，主要供應商在經歷了過去幾年的劇烈市場波動後，對產能擴張普遍抱持極為謹慎的態度。儘管市場需求旺盛，但廠商的資本支出主要用於技術升級（如轉向更高層數的 3D NAND）和高利潤產品線（如 HBM），而非大規模擴建新的晶圓廠 [1]。Micron 雖然宣布了高達 200 億美元的資本支出計畫，但其新增產能最快也要到 2027 年才能有效釋放 [7]。這種供給側的保守策略導致供應成長遠遠追不上需求的腳步。

需求端方面，AI 伺服器成為吸納 NAND 產能的最大宗。大型雲端服務供應商（CSP）為了避免因儲存裝置短缺而延誤昂貴的 AI 伺服器部署，正積極囤積企業級 SSD，導致訂單遠超產能 [10]。TrendForce 指出，2026 年的 NAND Flash 配額已基本售罄，部分客戶甚至已經開始洽談 2027 年的供應合約 [1]。

這種嚴峻的供需缺口直接轉化為劇烈的價格上漲。自 2025 年下半年起，NAND Flash 合約價便持續攀升。TrendForce 預測 2025 年第四季 NAND 合約價將上漲 5-10%，並在 2026 年第一季迎來雙位數的季度成長 [1]。企業級 SSD 的價格漲勢更為兇猛，TrendForce 與 NAND Research 均預測其 2025 年第四季的合約價季增幅將超過 25% [7] [10]。現貨市場的反應更為激烈，NAND Research 數據顯示，512Gb TLC 晶圓價格在 2025 年 12 月的一週內就上漲了 19.73% [7]。與此同時，供應商的庫存水位已降至 7-10 週的緊張水平 [7]。這股漲價潮已從企業端傳導至消費端，IDC 預測 2026 年 PC 和智慧型手機的平均售價將因此上漲，而品牌廠則被迫以降規減配（例如將 SSD 容量從 512GB 降至 256GB）來控制成本 [2]。

技術發展路線圖

面對持續的微縮挑戰，3D NAND 技術在 2026 年將繼續向更高層數和更快速度演進。混合鍵合（Hybrid Bonding）技術的導入將是實現下一代高密度 NAND 的關鍵。

層數堆疊競賽：各大製造商正積極推進超過 300 層的 NAND Flash。目前市場主流為 200 層級距的產品，例如 Samsung 的 286 層、Micron 的 232 層以及 Kioxia/WD 的 218 層產品，其傳輸速度介於 2.4 至 3.0 GT/s [8]。展望未來，SK Hynix 與 Kioxia/WD 預計在 2025 下半年至 2026 年間進入 300 層級距的量產，層數將達到 321 至 332 層，傳輸速度也將提升至 2.4 至 4.8 GT/s [4] [6] [8]。而到了 2027 年，Samsung 與 SK Hynix 更計劃推出超過 400 層甚至 500 層的產品，並將傳輸速度全面提升至 4.8 GT/s，持續推高單一晶片的儲存密度以降低每 GB 成本 [8]。

混合鍵合技術：當堆疊層數超過 300 層時，傳統的蝕刻和填充製程變得極其困難。混合鍵合技術允許將兩個獨立製造的晶圓（一個包含記憶體陣列，另一個包含周邊邏輯電路）直接鍵合在一起，從而繞過傳統製程的物理極限。SK Hynix 已明確將此技術用於其 300+ 層的 V10 NAND，目標在 2027 年實現量產 [4]。這項技術不僅能實現更高的層數，還能優化晶片性能並可能縮短生產週期。

傳輸介面速度：隨著 PCIe 5.0 和 PCIe 6.0 介面的普及，NAND I/O 速度也需要跟上。目前主流產品的傳輸速度約為 2.4 GT/s，而 2026 年及以後的新一代產品預計將達到 3.6 GT/s 甚至 4.8 GT/s [8]。這將顯著提升 SSD 的讀寫性能，以滿足 AI 和資料中心對高吞吐量的要求。

主要供應商分析

在 AI 驅動的市場重塑中，各大 NAND Flash 供應商正採取不同的策略以應對挑戰並抓住機遇。整體而言，所有廠商都將資源優先投入到高利潤的企業級市場，而對產能擴張持謹慎態度。

Samsung

作為市場領導者，Samsung 正積極調整其產品組合，將重心從消費級產品轉向資料中心和 AI。該公司據報正考慮暫停利潤較低的消費級 SATA SSD 生產，並將部分 NAND 產線轉為生產 DRAM [3]。儘管在 HBM3E 的初期競爭中稍有落後，但 Samsung 憑藉其強大的整合製造能力（同時擁有記憶體和邏輯晶片製程），正快速追趕，並已向主要客戶提供下一代 HBM4 的樣品 [7]。在 NAND 技術上，Samsung 預計在 2027 年推出超過 400 層的 V10T 產品，持續引領層數競賽 [8]。其資本支出策略相對謹慎，更側重於製程升級而非大規模擴產。然而，其策略重心轉移也帶來了挑戰，例如其行動部門首次將旗艦手機的主要 DRAM 供應商位置讓給了 Micron [7]。

SK Hynix

SK Hynix 已確立其在 HBM 市場的領導地位，成為 NVIDIA 等 AI 晶片巨頭的主要供應商 [7]。這一成功使其能夠將資源集中在高階產品上。在 NAND 領域，SK Hynix 同樣積極，其 321 層的 V9 NAND 已經量產，並率先宣布將在其 300+ 層的 V10 NAND 中採用混合鍵合技術，目標 2027 年量產 [4]。公司的策略是利用其在 HBM 市場的領先優勢，帶動其高階企業級 SSD 產品的銷售，其資本支出計畫約佔營收的 30%，態度積極。其晶圓廠已接近滿載，顯示其策略的初步成功 [4]。

Micron Technology

Micron 採取了最為激進的策略轉型。該公司毅然決定在 2026 年初完全退出經營了 29 年的 Crucial 消費者記憶體市場，以便將所有產能集中於企業級 DRAM 和 NAND [5] [7]。此舉是對 AI 需求爆發的直接回應。配合此策略，Micron 大幅將其 2026 財年的資本支出提高至 200 億美元，並加速其在美國本土的晶圓廠建設計畫 [7]。在技術上，Micron 的 232 層 NAND 已經成熟，並正開發更高層數的產品。其在企業級 QLC SSD 市場也取得了顯著進展，資料中心 NAND 業務營收首次突破 10 億美元 [7]。

Kioxia / Western Digital (SanDisk)

Kioxia 與其合作夥伴 Western Digital (SanDisk) 聯盟是目前在資本支出上最為積極的 NAND 供應商。該聯盟計劃在 2026 年將投資額年增 41% 至 45 億美元，主要用於擴展其 BiCS8（218/232 層）產能及研發下一代 BiCS9 技術 [1] [6]。Kioxia 也計劃在 2026 年開始量產其 332 層的第 10 代 NAND，直接瞄準 AI 資料中心的需求 [6]。相較於競爭對手，Kioxia/WD 聯盟在 HBM 市場著墨不深，使其能更專注於 NAND Flash 本身。然而，這也意味著他們需要應對來自 Samsung、SK Hynix 等整合型記憶體大廠的激烈競爭。

結論與對市場的影響

綜合來看，2026 年的 NAND Flash 產業將呈現以下幾個關鍵特徵：

1. AI 主導的結構性短缺：市場的驅動力已從消費性電子產品完全轉向 AI 基礎設施。這種轉變是結構性的，將導致 NAND Flash 在未來數年內持續處於供不應求的狀態。企業和雲端服務供應商將擁有優先的議價能力和供應保障，而消費性電子品牌將面臨嚴峻的成本壓力與供應挑戰。

2. 價格持續上漲與規格降級：由於供應嚴重不足，NAND Flash 的價格將在 2026 年繼續上漲。這將直接推高 PC、智慧型手機等終端產品的售價，並迫使製造商採取降低儲存容量等規格縮水的策略來應對，進而可能抑制部分消費需求。

3. 技術加速迭代：為了在有限的產能下實現更高的儲存密度，供應商將加速向更高層數的 3D NAND 技術邁進。300 層以上的產品將在 2026 年開始普及，而混合鍵合等新技術的採用將成為未來幾年技術競爭的焦點。

4. 供應商策略分化：市場將進一步向頭部供應商集中。擁有 HBM 和高階 DRAM 產品線的 Samsung、SK Hynix 和 Micron 將能更好地利用 AI 帶來的交叉銷售機會。而專注於 NAND 的 Kioxia/WD 聯盟則需要憑藉其積極的產能擴張和技術來鞏固市場地位。供應商退出消費市場的決策，標誌著一個時代的結束，整個產業的價值鏈正在重構。

總而言之，2026 年對於 NAND Flash 產業而言，將是充滿挑戰與機遇的一年。對於採購方而言，記憶體將不再是唾手可得的商品，而是一項需要審慎規劃的戰略資源。對於供應商而言，這是一個利潤豐厚的超級週期，但同時也考驗著其技術執行力與策略遠見。