碳化矽(SiC)半導體在紅什麼?

第三代半導體中大概分為GaAs與SiC兩個族群(註:另有ZnSe半導體,但目前算冷門),其中SiC半導體也逐漸在國內被製造,多半是以三吋或四吋晶圓來製作,但國外已經以五吋或六吋晶圓來製作。第三代半導體與第一代及第二代半導體(註:第一代半導體是Si、Ge半導體,第二代半導體是GaAs、InP半導體)是平行發展的技術,並不是第三代半導體是用來改良與取代第一代及第二代半導體。進一步地,第三代半導體與第一代及第二代半導體的應用領域大不相同。簡單地說,不會因為第三代半導體的使用,就會淘汰第一代及第二代半導體
SiC鮮少存在於天然中,SiC多半是透過人工製造合成。然而,人工合成的SiC仍然面臨著製造成本高與產量少的問題,且目前各國多半會將SiC作為戰略資源而管制出口。因應於高壓操作的需求,SiC半導體主要是應用於功率半導體,且特別是,電動車開始發展後,SiC半導體更受到大家的重視。以往Si半導體的耐壓,多半小於300伏特,這對需要千伏特級的電動車充電零件難以適用,因此,能夠抗高溫高壓的SiC半導體便因此產生,因為SiC半導體的耐壓甚至可以超過1.2千伏特
SiC半導體基本與Si半導體差異不多,例如下圖為一個N型的SiC電晶體,其差異僅在於,以往的P型基板被SiC基板所取代。因為,整片基板佔據半導體的大部分體積,因此,在SiC材料已經偏貴的情況下,SiC半導體也難以便宜。另外一方面,SiC電晶體的供應電壓必須以不對稱方式設計,例如正負電壓必須連接20伏特與負5伏特,因此,電源供應電路通常必須要重新設計。再者,因為供應電壓必須以不對稱方式設計,這也導致與SiC半導體一起工作的其他Si半導體的元件在接地設計上必須有特別的布局或設計。
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SiC的N型電晶體(圖片由Wiki的NMOS的圖修改)
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    最高行政法院 110 年度上字第 717 號判決的判決指出,專利權人於專利申請過程或維護專利過程中所為之申復不用於限縮請求項的文義範圍。 檔案禁反言係指:專利權人於專利申請過程或維護 專利過程中所為之修正、更正或申復,若導致限縮專利權範圍,則不得再藉由 均等論 而重為主張其已放棄之專利權。
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