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【個股產業資訊】台灣光阻液代理龍頭 - 崇越(5434)，隨著AI晶片對於先進製程的需求，高階EUV光阻液需求將持續走揚

日本在半導體材料有著舉足輕重的地位，雖然台積電在先進製程上遙遙領先，但要是沒有日本半導體材料的支援，也做不出最先進的晶片。

所以AI晶片極度仰賴先進製程，我便朝著高階半導體材料去挑選具有發展性的公司，這間公司就是代理日本信越的崇越！

公司簡介

崇越成立於1990年，為半導體關鍵材料代理及經銷商，代理銷售半導體、LCD、LED 等產業所需之精密材料、製程設備與零組件，提供系統規劃整合服務。

所提供的產品屬於半導體上游材料料，主要代理日本信越的光阻液、信越化學的空白矽晶圓與 Fujimi 的研磨液，半導體材料營收比重超過 80%，其營運發展與半導體產業景氣循環密切相關。

崇越與日本信越(Shin-Etsu)、三益半導體(Mimasu)、納美仕(Namics)、福吉米(Fujimi)等半導體及電子原材料大廠長期合作關係良好，因為這些廠商在半導體材料頗具全球競爭力，下游客戶也都是世界大廠，信越集團的產品線佔崇越營收比重超過五成以上，最大客戶為台積電；其中半導體材料毛利率約12%上下 (其中研磨液及晶圓載具毛利率略高於光阻液毛利率)。

整體而言，目前最大客戶為台積電，其餘主要客戶則分別為聯電、力晶、華亞科、南科、美光、力晶、中芯半導體、華宏宏力、華立微、Sk Hynix(海力士)等。

崇越的生產基地包括與日本信越石英株式會社在台合資設立的崇越石英製造廠公司，專門生產晶圓廠製程用石英器具。公司在台灣石英市場的市占率約為56%，並且擁有信越集團的全球產能及技術支援。

崇越在台灣的主要競爭對手為：華立(3010 TT)，該公司主要代理日本JSR的半導體耗材在台灣銷售。

崇越的客戶群主要集中在國內及大陸地區的半導體產業、光電產業及資訊電子產業。在銷售過程中，崇越不僅提供產品，還提供專業的技術服務和及時的供貨，以滿足客戶的需求。並且積極拓展至東南亞市場，如越南、馬來西亞、新加坡等地。

優分析

營業項目

公司針對不同客戶需求，提供從成熟製程到先進製程所需的各種材料和設備。在半導體產業中，崇越代理日本信越化學集團生產的產品，並在高階黃光製程中具有領導地位。此外，公司也代理信越半導體的全線產品，服務於台灣及中國的IC製造業者。

崇越的產品組合豐富，包括光阻液、矽晶圓、石英器具、研磨液、FOUP、LED、電子材料、LCD等，其中光阻液為其營收大宗，佔營收比重約30~40%，在台灣市場的市佔率約為50%。

崇越在產業方面，除了半導體相關業務外，還聚焦於環境工程，特別是廢水回收處理系統和企業半導體廠房建置等業務。公司未來的展望包括資源集中於具競爭力、高前瞻性的市場領域，積極開發新產品及新代理，並整合先進環保工程技術，以提供全方位服務。崇越也尋求策略聯盟及合作，以強化其在5G、第三代半導體、電動車及Micro LED領域的市場地位。

優分析

台灣主要的代理產品線：

• 日本信越化學：IC製程光阻液，在台灣市佔率50%以上。
  
• 日本信越半導體：矽晶圓材料全球市佔率33%。(市佔第一)
  
• 日本三益半導體(Mimasu)：再生晶圓，市場佔有率8%。
  
• 日本信越石英：半導體石英材料，市佔率49%。
  
• 日本福吉米(Fujimi)：用於薄膜製程的研磨液。
  
• 日本納美仕(NAMICS)：絕緣/導電 塗料，主力產品Underfill膠材市佔率高達70~80%，COF市佔率60~70%。各種導電塗料用於晶片電感及電阻，市佔率約70~97%。

中國代理產品線：

崇越擁有日本信越在中國代理權，在中國相關半導體耗材市場佔有率高達六成；並在當地從事環保工程及廠務系統處理業務。

什麼是光阻液?

光阻液是一種光敏感材料，由樹脂、光敏感劑、溶劑和添加劑等組成，光阻液是微影製程最關鍵的材料。

所以我們得先了解什麼是微影製程。
微影製程是將電路圖案，透過已刻好圖案的光罩及光阻，「轉印」到晶圓上的過程。

舉例來說，在已有一層二氧化矽薄膜的晶圓上，希望在特定位置蝕刻出一個洞，方法便是先在二氧化矽上塗布一層光阻，接著在上方放著光罩，光罩上大部分地方都是遮住的，只有在洞的位置可以讓光通過。照光之後，被光照過的光阻會變得容易溶解，接下來把該處的光阻以顯影液溶解掉，然後進行蝕刻，就可以只蝕刻到該特定位置的二氧化矽，其他地方的二氧化矽會被光阻保護著。等到蝕刻完畢，將剩餘的光阻清除，就完成了一次微影製程。

微影示意圖，可以參考以下的圖片。

科技大觀園

在光刻流程中，光阻劑利用離心力原理被均勻分布在晶圓片、玻璃和金屬等不同的基底上，經曝光、顯影和蝕刻等工序將電路圖形轉移到塗有光阻劑的晶圓片上。

根據曝光顯影後的變化，分為正光阻液和負光阻液。

正光阻液在經過曝光後，受到光照的部分將在顯影時溶解，顯影後留下的是未受到曝光部分的圖案，對圖案精細度要求較高的 IC產品，通常會選用正光阻液來完成電路設計的圖案轉移。

負光阻液在經過曝光後，顯影時則是沒受到光照的部分溶解，顯影後留下光照部分所形成的圖案，負光阻液是最早被應用在光刻製程上的光阻液，它擁有工藝成本低、產量高等優點。