10分鐘認識先進封裝CoWoS技術

2024/04/11閱讀時間約 7 分鐘

ChatGPT從2022年底誕生隨即爆紅，引起生成式人工智慧(Generative AI，又稱AI Generated Content，就是用AI生出的內容)應用遍地開花，跟AI聊天、用AI創作藝術、音樂，然後輝達和黃仁勳一躍進入全台人民視野，大家發現他搞AI晶片很厲害，連菜市場婦女(主要是在說我媽)也終於認識了這間其實已經成立30年的公司和創辦人與他的皮衣；再然後，股市名嘴和產業專家讓CoWoS技術進入大眾眼簾，討論AI晶片的同時，也需要認識一下CoWoS封裝技術，本篇試著簡單說明。

CoWoS是台積電的其中一項先進封裝技術，先拆解單詞各別解釋：

"封裝"是什麼？

wafer(晶圓)製造完成後最後一步是切割成一小顆一小顆的die(裸晶粒)，比指甲片還小的一小塊，得把它封起來包好達到保護目的，方便保存、運送。
那die怎麼封呢？首先需要一個支撐底座substrate(基板/載板)，substrate有自己的製程，把做好的substrate拿來，把die黏到substrate上，再從die的接點處黏金屬線到substrate上的接點處，然後放到模具中注入epoxy(環氧樹脂，就一種塑膠)把他們全部包住固定，epoxy冷卻後會硬化就成為外殼，就成為我們看到的chip(晶片)，這是最早的Wire Bond(打線)封裝技術。

後來進化出新的封裝技術，在die的接點處直接長出一些bump(小凸塊/小球)，然後把die倒過來與substrate結合，如此可以節省體積也縮短了訊號傳送路徑，這是Flip Chip (覆晶)封裝技術。

"先進"封裝？

那麼先進封裝的"先進"是指什麼？有多先進？我在搜尋台積偉大功臣之一"蔣尚義"的時候，看到了這個故事：他說在技術發想與開發初期，一時不知道要叫什麼，就叫它先進封裝，總之就是要表達跟過去打線封裝不一樣，是有別於以往做法的新的封裝技術啦！(來源：數位時代https://www.bnext.com.tw/article/76589/chiang-talk-about-china-janis)
而從那時到現在，其實CoWoS技術已經研發超過10年了，直到近年跟著輝達AI晶片才變成當紅炸子雞。

CoWoS = Chip on Wafer on Substrate

這個新的封裝技術到底是什麼呢？還記得半導體術語就是很愛簡稱，CoWoS打開是Chip on Wafer on Substrate，字面直接看是晶片放在晶圓上再放在基板上，有沒有看出比前述的封裝技術多了一步：Chip on Wafer－
照前面段落的說明，這裡的chip指的是die(我們分得仔細點稱呼：晶圓製造完成切割完的叫die，連封裝都做完的才叫chip)，
那這裡的wafer不是原本切成die的那片wafer，這裡的wafer指的是另外再去製造出來的interposer wafer(中介層)，
所以die先貼到interposer wafer上：Chip on Wafer，再整組拿去跟substrate結合：on Substrate，先貼一次再貼一次，這個過程就是CoWoS封裝。

多了一層中介層的好處在哪？可以把不同製程做出來的不同功能的die先一起貼到中介層上，比起各別die去單獨封裝，減少了體積，又因為不同的die已經在interposer就可以互相溝通，不用等到電路板上再去溝通，故提升了效能。
想想單色眼影和多色眼影盤好了，單色眼影一顆一顆單獨包裝，有自己的底座與外殼，多色眼影盤是一小格一小格直接放在同個底座上蓋上同個外殼，旅行打包要帶一盤20色並配好和諧色調的眼影盤還是20顆單色又不同包裝形狀的呢～(很跳tone的舉例但暫時想不到更好的生活化例子哈)

想一想可能會問(會….嗎？)，為什麼要多一個interposer，直接把不同的die貼到同一個substrate上不就好了嗎？是有這種封裝技術的沒錯，不過interposer和substrate的製程不一樣，精密度不一樣；如果die裡面的電路走線想成是用0.03mm的極細字筆來畫的，那interposer裡面的走線是用3mm的筆，substrate的走線則是很粗的30mm巨大麥克筆，把不同的die貼到同一個substrate上，在同一個substrate裡面溝通，要用很粗的筆來連，沒辦法把die貼得很密，走線變長，訊號傳送變慢，如果die先在interposer裡面溝通，可以改善這個問題，達成高速訊號傳送。

那又可能再問(又….嗎？)，直接把不同功能的電路全部通通設計在一起做成同一個die不就好了嗎？是不是最小最靠近！也是有這種技術的沒錯，曾紅極一時的關鍵字：SoC (System on a Chip)單晶片系統，就是這樣做，但它也有缺點，開發時間拉長，要把各種功能整合在一起，解決複雜電路下遇到的挑戰，且製造難度高，die的面積變大，製造過程中出問題，良率變低，也就意味成本變高；如下方的示意圖，製造過程中particle(雜質)都影響了四顆die，右邊大尺寸die的wafer良率低：

歷史告訴我們分久必合，合久必分，與其硬要整在同一個die上，不同功能的電路可以去選擇最適合的、CP值對應最高的製程來製造，有時候效益更好；所以發展到現在，各種技術都有其優缺點，許多晶片都是多種技術搭配，適合一起整合的部分做成SoC，分開做效益更高的可以在CoWoS interposer level做溝通。

再來我們回到CoWoS跟AI晶片的關係，首圖是輝達的AI晶片，正中心用紅框框住的就是晶片，再往紅框裡面看，用綠框框住的是六個重複性的單元HBM(就先簡單理解它是一種記憶體，是一種非常厲害的記憶體，可以超高速讀寫巨大海量資料－訓練AI就需要這個特性，做這個記憶體的三大廠商是SK海力士、三星、美光)，中間藍框框處是輝達設計的GPU，由台積電製造，綠框處的HBM die和中心藍框處的logic die分別生產製造完成後，透過CoWoS技術全部一起on interposer wafer再去on substrate，這樣就完成了一個AI晶片。