1980 年代，半導體光刻進入 g-line（436nm） 時代。到了 1990 年代，又換上了波長更短的 i-line（365nm），並在進入 2000 年代後，持續推進至 KrF（248nm），直到今天仍在苦撐的 ArF（193nm）。每一次縮短波長，都是人類工程系統與物理極限的一次交手。也正是這樣的演進，推動了整個資訊革命。
ArF + immersion 的 193 奈米深紫外光，搭配液體浸潤鏡頭與高數值孔徑鏡組，成為整整一代先進製程的支柱，撐過了 90nm、65nm、45nm、甚至 20 奈米以下。但到了 10 奈米這個世代，所有人都不得不面對物理極限已經到了。
解析度公式走到盡頭，沒人能再推下去
曝光解析度的極限來自 Rayleigh 公式
Resolution ≈ k₁ × λ / NA
這個式子裡，三個變數都各自代表一段工程歷史：
- λ（波長）：ArF 為 193 奈米，再縮已無材料可透
- NA（數值孔徑）：從空氣提升至水，將 NA 提升至 1.35，已接近物理極限
- k₁（經驗參數）：早期約為 0.5，為了硬壓線寬，如今已逼到 0.25 以下，導致製程容忍度大幅下降
計算出來的理論解析度是36nm，實務上還要考慮光源不純、干涉與鏡頭品質，實際能做出的 pitch 多數在 80nm 左右。如果要再細？除非換光源，否則沒有空間。
Double Patterning 的發明
在微影上，pitch 的最小值是有限的，但單條線的寬度（linewidth）卻可以藉由過度曝光、蝕刻修邊、或材料堆疊進一步變細。於是，一種常見策略是：先畫一批寬間距的圖形，再錯開另一批圖形補上間隙，最終實現超過單次解析度的圖形密度。
這種錯位堆疊的策略，就是業界延命 DUV 的法寶：把一層圖案拆成兩次曝光，再合併重組，達成更高圖形密度。三種主流做法：LELE、SADP、補裁式光刻
