曝光所使用的光源從汞燈（Hg lamp）到 準分子雷射光源（Excimer Laser）是根本性躍升。KrF（氟化氪）微影技術，正是 1990 年代這場關鍵變革的核心，也正式標誌著半導體邁入深紫外（DUV, Deep Ultraviolet）時代。
KrF 是什麼？
KrF 是一種工作波長為 248 奈米的準分子雷射光源。所謂準分子（Excimer），指的是氪（Kr）與氟（F）兩種氣體在激發態下短暫結合，釋放出高能紫外光，隨後即解離為原子，這種機制賦予 KrF 雷射：
- 短波長：比 i-line 短近 1/3，顯著提升微影解析度
- 單色性強：提升線寬控制精度
- 能量密度高：支撐高良率量產
半導體生態的影響
在 365 奈米 i-line 微影逐漸逼近 350nm 製程瓶頸時，KrF 技術的出現，打破了微縮停滯，支撐 250~ 130nm 製程量產。光阻材料轉向高解析度、抗紫外分解的新型光阻（如 Chemically Amplified Resists, CARs）。搭配先進光罩、OPC 技術，延續摩爾定律。半導體生態結構也開始改變- KrF 導入使先進製程門檻提高，設備、材料、設計、製造之間的跨領域整合需求升高。小廠難以投入，產業趨向寡頭化
- 光罩成本飆升，設計與驗證流程複雜度倍增
- 晶圓廠需大規模資本投入，推動整合元件製造商（IDM，例如Intel、Samsung 、Micron）分離、間接為台積電這類專業晶圓代工（Foundry）模式的興起鋪了路
- ASML 持續累積技術優勢，逐步挑戰 Nikon、Canon 的市場地位
