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各位好，我是台灣黑手，黑手的黑，黑手的手， 這台是同行貼錢跟我 1:1 對換的主機板，就是壞的換好的就對了
故事還蠻長的，這台原本在高雄做過 128G 的擴充，後來好像就不開機了，送回擴充的店家，他說他不會修，他只會擴充，所以又轉送到了別間，別間在轉送到修主機板的店，最後修開機了，也修好了，但就是出現了一個問題，手機功能一切正常，都可以正常使用，但是如果關機或者用到沒電，在充電或者重開機，就會白蘋果重啟，刷機也不會報錯，唯一的解決辦法，就是把電池斷開，在重新扣上去，就會好了
首先我要確認，這台到底動了多少東西，大概瞄了一下，基頻供電、充電管理晶片、場校電晶體、硬碟、應用處理器、USB管理晶片，還有一些小的電子元件....
助焊劑也還蠻多殘留在主機板上
我反覆測開了幾次，發現峰值的電流反應都不大一樣，有些會在 500MA 左右為峰值，有時候會是 1.4A 在峰值，而重啟的話電流會在 300-450MA 左右，不同峰值造成的問題，有兩種，首先是做過 AP 的電感可能虛焊，導致 BUCK 無法正常，另一個可能是有 LDO 異常，導致對地讓電流偏大，這兩種可能都有，但是在 300MA 重啟的話，我先把目標放在基頻底下，原因是 ios 10 以後的系統，通常電流峰值，並不像 ios 9 的時候，會達到 1.4A ，依邏輯性判別基頻的可能性較高，其次在是 BUCK ，最後才是 NAND TO AP 的 PCI-E
我先將基頻處理器取下，前面幾手都沒有動過這顆，手工的基本要求就是，所有的錫球不動，但是可以讓晶片下來，這樣應對雙面主板，風險才會降低
我先將錫點托平，並且針對 LDO 的供電端測量一下數值，有發現其中兩組 LDO 數值誤差達 150 左右
正常合理應該在 50-80 之間的誤差值，先將基頻處理器弄好
晶片對位
回焊
回焊肯定不會正常的，因為 BUCK 在前，而 LDO 是在後面的，將基頻供電取下後，看了一下，只能說這個手工不行啊....
準備了一顆拆機的晶片，並且完成植錫
在將主板的錫點托平，並且反打回去 BUCK 的電路，誤差值 20
將基頻供電晶片回焊
等待冷卻
在次測開機，並且在次測試白蘋果的問題，果然一切回復正常
在檢測功能的同時，我發現他還有一個問題，就是電量異常的問題，所以插上電腦檢測
這種電量低，是一種故障，簡稱電池無數據，也會造成白蘋果重啟或者充電比不充電時，電量更低，把線拔掉電量反而更高
這個電池無數據，通常是由 SWI 所引起的
因為 SWI 會回傳到充電管理晶片，同樣在透過 SWI 反饋給 AP ，在由 AP 透過 I2C 控制充電管理晶片，所以第一步，也是得先拆充電管理晶片
還是那句話，這手工......不行啊！
將焊點在次托平，我也不管到底是植錫有問題，還是晶片有問題了
反正先拿一顆拆機的用，同樣將錫球拖平
植錫後回焊
在主板冷卻的過程中，我將電池取下，從保護板的位置下一刀
將保護板極片外露，可以看到鎳片焊接的位置
鎳片不是我們要處理的，雖然點焊那個也不是問題，但我們現在要做的是，更換保護板，打上一些助焊劑
用烙鐵把保護板拆下來，同時在找一顆沒用的電池，同樣將保護板拆下（前提是要好的保護板）
把故障的保護板與另一個做更換的動作
在把殘留在鎳片上的錫給帶走
從引腳的位置測試，可以測得電壓，就可以確認焊接完成
最後在把塑膠蓋裝回去
雖然他做過擴充 128G 不過我對換的板子都是 16G 的，所以 NAND 讓他拆回去了，接者我要自己來做擴充，把 NAND 取下
送上編程器，準備好一顆 iPhone 7 的 NAND
這顆上次跟大尾買的，原本要修一台搬板的 iPhone 7 ，結果對方不修，只好留者來自己做擴充
編程器讀寫完成後，把錫點拖平
取下的時候，把全部錫球都留在主板上，同時這個 NAND 的錫點，比前面那兩顆晶片做的好多了，所以 NAND 我就不打算植錫了
免植錫～～直接把 NAND 放上去對位就可以了
開始回焊
回焊完成，在用洗板水清理乾靜
刷機
開始把 NAND FLASH 進行環氧樹脂封膠作業
無風口 200 度加熱
在把金屬蔽避板回焊
裝機
測開確認無誤
