HBM
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探討 AI 時代目前消費者感受到的硬體成本上升現象，分析其與半導體產業資源分配、記憶體價格傳導的關聯，並將此現象類比為科技革命初期的「建設通膨」。文章也預期，長期來看 AI 有望透過提高生產力，帶來「技術型通縮」，但目前正處於從短期成本上升到長期紅利的過渡階段。
深入探討 HBM在 AI 浪潮中的關鍵角色，解釋其「垂直堆疊」技術、HBM4 的結構性躍升。分析產能受限於生產擠壓、良率與設備交期等挑戰，並預測 2026 年的產能競賽格局與對一般記憶體的影響。
2026 年 2 月 2 日，TrendForce 率先拋出震撼彈，預告 2026 年第一季記憶體價格將出現史無前例的「 翻倍式 」暴漲；僅一週後，2 月 10 日，華爾街頂級投行高盛（ Goldman Sachs ）發布重磅報告，證實這
根據黃仁勳（Jensen Huang）對 2026 年 AI 產業趨勢的預測，核心成長動能集中在 高頻寬記憶體（HBM） 與 低功耗記憶體（LPDDR）。由於 HBM 的生產技術門檻極高且需與先進封裝（CoWoS）緊密結合，加上行動裝置 AI 化帶動的 LPDDR 需求，台灣相關供應鏈在材料、代工、
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三星電子 (Samsung Electronics, 005930 KS) 目標價：165,000 韓元 | 評等：買進
三星電子被視為商用記憶體超級週期的主要受益者。由於 AI 與數據中心的強勁需求，商用記憶體均價（ASP）在 2025 年下半年迅速上升，預計此漲勢將因供應持續吃緊而延續至 20
記憶體市場正經歷一場由供給端主導的結構性變革。不同於過往由消費需求驅動的週期，本波漲勢的核心在於「產能排擠效應」。人工智慧（AI）基礎設施對高頻寬記憶體（HBM）與高容量伺服器DRAM（DDR5 RDIMM）的剛性需求，迫使原廠將產能永久性轉移，導致標準型記憶體供給斷層。
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NVDA 近日宣布人才收購 (Acqui-hire) LPU 晶片廠 Groq，買下 Groq 的 IP 智財權，這包括了 LPU 的架構與專利，另外也買下了 Groq 創辦人 Jonathan Ross、Groq 總裁 Sunny Madra 以及旗下的核心工程團隊。
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前言：2025 年只是序幕，真正的變革在 2026
回顧 2024 到 2025 年，市場的目光聚焦在 AI 伺服器的規格升級、CoWoS 產能、CPO 光通訊技術，以及 AWS 等雲端巨頭的資本支出。我們共同經歷了 AI 硬體從「藍圖規劃」到「順暢出貨」，最終因需求過剩導致「全面缺貨」的過程。