撰寫日期：202510
近期記憶體漲價帶動許多的記憶體廠漲勢，開始研究一番本來要一篇講完兩大類記憶體，但篇幅感覺太長，拆成兩篇，而且另一部分也還沒完全研究完。
記憶體有分兩大類：
- 揮發性記憶體 (Volatile Memory)：需要持續供電才能保存資料，斷電後裡面的東西就消失。就像我們腦中的短期記憶，不一直想著很快就忘了。EX: 電腦記憶體條
- 非揮發性記憶體 (Non-Volatile Memory)：就算斷電，資料也還在。就像我們腦中的長期記憶，不會因為睡一覺就消失。 EX: SSD 硬碟
講述主題：
- DRAM
- DDR
- GDDR
- HBM
- 相關公司
揮發性記憶體
｜DRAM
D 是動態的(Dynamic)，意思需要不斷地被刷新 (Refresh) 來充電，否則資料就會消失。
這個特性：讀寫速度非常快，因為它的結構相對簡單，存取資料的路徑很直接。耗電，因為要一直刷新，而且一斷電資料就掰掰了。
實際上，電腦裡的 RAM (記憶體條) 就是 DRAM。當你打開任何軟體，例如 WORD or 遊戲，這些程式和資料都會被從硬碟 (長期記憶) 載入到 DRAM (短期記憶/工作區) 中執行。因為 DRAM 速度快，CPU 才能夠快速地跟它溝通，你的電腦用起來才會順暢。
電腦規格上寫的 8GB RAM 或 16GB RAM，指的也是 DRAM。這個數字越大，代表同時執行越多 App 而不卡頓。另外我覺得現在買電腦可能都需要 16GB 比較夠用，現在的網頁越寫越複雜還有各種程式都很吃記憶體，記憶體佔用太多就會導致電腦當機，或是 APP 被強制關閉。
｜DDR
DDR，即雙數據速率（Double Data Rate），這個名字是相對於它「之前」的技術，也就是 SDRAM (Single Data Rate) 來的，DDR 是一種計算機記憶體，可以在每個時鐘週期內傳輸數據兩次，提升系統的速度和效率。DDR 在時鐘信號的下行和上行都向處理器傳輸數據，因此每個週期傳輸兩次。利用兩個邊緣來傳輸數據使得 DDR 記憶體的速度顯著快於僅使用時鐘信號一個邊緣來傳輸數據的 SDR 記憶體。（**How RAM Works）**
DDR2 於 2003 年推出，DDR3 於 2007 技術被引入，DDR4 於 2014 技術被引入，DDR5 則是在 2021 年推出。
最主要的差別是速度 (頻寬)、效率 (電壓)，越高技術的就是越快且電壓需求越低，電壓的差距看起來差別很小，但對筆記型電腦來說，更低的電壓代表更省電，電池續航力可以更久。另外它也代表發熱量更低，系統更穩定。各代插槽不同，不能混用。
特規動態記憶體
｜GDDR
GDDR 的核心設計：追求「高頻寬」
GDDR（Graphics Double Data Rate）圖形雙倍數據速率，它是 DDR 家族的一個分支，但它被「魔改」過，專門用來服務顯示卡 （GPU）的記憶體。GDDR 內存類似於大多數計算機中使用的 DDR 內存，但它已針對顯卡的使用進行了優化。GDDR 內存通常比 DDR 內存更快並且具有更高的帶寬，這意味著它可以一次傳輸更多數據。
可以把電腦裡的記憶體想像成是不同類型的道路系統，用來運送資料給處理器 (CPU 或 GPU)。GPU 裡面有 幾千個 工人 (GPU 核心)，他們同時在做「簡單但大量」的工作，他們不需要最快的「反應速度」，但他們需要「極大的資料吞吐量」。
GDDR (圖形記憶體)：這是焊在顯示卡上的記憶體顆粒。它就像是「有 16 條線道的超級高速公路」。它的設計目標是高頻寬 (High Bandwidth)，意思是我不在乎單一輛車開多快，但我要求在同一秒內，要有成千上萬輛車能夠同時通過。
應用： 市面上 99% 的消費級顯示卡（例如 NVIDIA GeForce RTX 4070, 4080, 4090 或 AMD RX 7800, 7900）。
｜HBM
HBM (High Bandwidth Memory) 代表高頻寬記憶體。HBM 旨在提供比 GDDR 記憶體更大的記憶體匯流排寬度，從而一次傳輸更大的資料包。單一 HBM 記憶體晶片比單一 GDDR6 晶片慢，但 HBM 晶片更寬的匯流排寬度、更小的容量以及可堆疊性/可擴展性使其比 GDDR 記憶體更強大、更有效率、更快。HBM 位於 GPU 晶片內部並堆疊，使用 CoWas 封裝技術。
可以把傳統的電腦記憶體 (RAM) 想像成是一棟大樓的普通電梯。當大樓（也就是晶片）需要資料時，就搭電梯去拿。如果大樓越來越高、需要處理的事情越來越多（例如 AI 運算），一台小電梯肯定不夠用，會變得很慢。 HBM 就是為了解決這個問題而生的「超高速電梯系統」。它不是把電梯蓋在旁邊，而是直接把好幾部電梯「堆疊」起來，垂直整合進大樓的結構裡。 HBM 是透過一種叫做「3D 堆疊」的技術，把很多層記憶體晶片（DRAM）垂直疊在一起，然後透過非常短、非常寬的通道直接連接到主要的處理器（例如 GPU）。
應用： 價格極度昂貴的產品。例如最高階的 AI 運算卡 (NVIDIA H100) 或某些舊款的頂級顯卡 (AMD Radeon VII)。
｜GDDR vs. HBM
GDDR：可以看作是把平房蓋得更寬、馬路鋪得更廣的「2D 擴張」。它的成本相對較低，技術成熟，廣泛應用於從中階到高階的消費級顯示卡。 HBM：是直接蓋摩天大樓的「3D 堆疊」。它把記憶體晶片垂直疊起來，提供了比 GDDR 更高的頻寬和更低的功耗，但成本也極其高昂。
相關公司
寡占市場，「三巨頭」控制了全球超過 95% 的市佔率。
這三家公司就是：三星電子、SK 海力士、美光科技。原本是三星>海力士>美光，但在 2025 開始被海力士追上甚至超越，也被美光追上。在營收占比的部分各家寫得不太一樣，有些還是三星比較高，我猜應該是有些有把 HBM 和一般的 DRAM 拆開，因為在海力士和美光的 HBM 成長都非常多，且因為 HBM 很貴所以一定是帶來大量的營收。（2025Q2 三星電子 HBM 全球市佔率被美光超越，排名第三、多年 DRAM 霸主地位遭 SK 海力士終結）
（以下資料為 2025 年第二季的市占率統計）
- Samsung (三星電子)
韓國的超級巨頭，也是全球最大的科技公司之一，它不只是 DRAM 龍頭，在 NAND Flash (SSD) 市場通常也是龍頭。
揮發性記憶體市占率33.5%，HBM 佔比為 17%
自家營收占比：
DX (Device eXperience) 部門 - 賣終端產品約佔三星電子總營收的 55% - 60%。 DS (Device Solutions) 部門 - 做半導體晶片：包含 (a) 記憶體 (DRAM/NAND) 和 (b) 晶圓代工 (Foundry，幫高通或 Google 代工晶片)，約佔三星電子總營收的 40% - 45%。
再把 DS 部門拆開來看營收中，記憶體 (DRAM + NAND)：約 70% - 75%，晶圓代工 (Foundry)：約 25% - 30%。 - SK Hynix (SK 海力士)
一家「純粹」的記憶體公司，它的營收幾乎 100% 來自記憶體銷售。
揮發性記憶體市占率38.2%，HBM 佔比為 62%，由於 HBM 的領先，SK Hynix 成為了 NVIDIA H100/H200/B200 這類頂級 AI GPU 的主要 HBM 供應商。這是目前利潤最高、最搶手的市場。
自家營收占比：DRAM (揮發性)：約 65% - 70%，NAND Flash (非揮發性)：約 30% - 35% - Micron (美光科技)
揮發性記憶體市占率22%，HBM 佔比為 21%
自家營收占比DRAM (揮發性)：約 70% - 75%，NAND Flash (非揮發性)：約 25% - 30% - 南亞科
台灣最大的 DRAM 製造商。它們的策略是利基型市場 。它們不跟三巨頭硬拼最先進的 DDR5 或 HBM。專注在比較成熟的 DDR3、DDR4，以及特殊規格的 DRAM，主要用在消費性電子 (如電視、機上盒)、網通設備 (如路由器)、工業電腦 (IPC) 等。（而這也導致現在 202510 因記憶體漲價潮而股價推升，因為這些已經成熟的製程反而沒有這麼多產能，會導致短期產品價格推升更多）
參考資料：
