製程節點
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45nm 至 130nm 節點
這些較大的製程節點通常用於基礎類比和嵌入式半導體，適用於廣泛的電子產品，包括：
- 汽車和工業應用
- 筆記型電腦和手機電路板
- 雷達系統和太空衛星等需要傳輸訊號的應用
- 高性能伺服器的電力需求
這些製程節點不需要使用最小的尺寸，且縮減節點尺寸可能會導致性能降低和成本上升
22nm 至 14nm 節點
這些製程節點主要用於中高端電子產品，包括：
- 智能手機和平板電腦
- 筆記型電腦和桌上型電腦
- 伺服器和資料中心設備
在這些節點上，finFET（鰭片式場效電晶體）技術被廣泛采用，以提高性能和降低功耗
10nm 至 7nm 節點
這些先進製程節點用於高性能和低功耗的應用，包括：
- 高端智能手機和平板電腦
- 高性能計算（HPC）設備
- 人工智慧（AI）和機器學習（ML）晶片
- 自動駕駛和物聯網（IoT）設備
在這些節點上，EUV（極紫外光微影）技術開始被采用，以滿足更小和更精細的電路圖案需求
5nm 至 3nm 節點
這些最先進的製程節點用於極高性能和極低功耗的應用，包括：
- 最新一代智能手機和平板電腦
- 高性能伺服器和雲計算設備
- AI 和 HPC 晶片
- 自動駕駛和先進IoT設備
在這些節點上，新型的晶體管架構如納米片FET（Nanosheet FET）和叉片FET（Forksheet FET）被采用，以繼續提高性能和降低功耗[3][4][6].
2nm 和 1nm 節點
這些未來的製程節點預計將用於極高性能和極低功耗的應用，包括：
- 未來的AI 和 HPC 晶片
- 高端自動駕駛和IoT設備
- 量子計算和其他先進技術
在這些節點上，預計會使用更先進的EUV技術，如高數值孔徑EUV（high-NA EUV），以及其他新型的封裝和製造技術
總結來說，隨著製程節點的縮小，適用產品的性能和複雜度也會不斷提高，同時也會面臨更高的研發和製造成本。
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