製程節點

閱讀時間約 3 分鐘

45nm 至 130nm 節點

這些較大的製程節點通常用於基礎類比和嵌入式半導體,適用於廣泛的電子產品,包括:

- 汽車和工業應用

- 筆記型電腦和手機電路板

- 雷達系統和太空衛星等需要傳輸訊號的應用

- 高性能伺服器的電力需求


這些製程節點不需要使用最小的尺寸,且縮減節點尺寸可能會導致性能降低和成本上升


22nm 至 14nm 節點

這些製程節點主要用於中高端電子產品,包括:

- 智能手機和平板電腦

- 筆記型電腦和桌上型電腦

- 伺服器和資料中心設備


在這些節點上,finFET(鰭片式場效電晶體)技術被廣泛采用,以提高性能和降低功耗


10nm 至 7nm 節點

這些先進製程節點用於高性能和低功耗的應用,包括:

- 高端智能手機和平板電腦

- 高性能計算(HPC)設備

- 人工智慧(AI)和機器學習(ML)晶片

- 自動駕駛和物聯網(IoT)設備


在這些節點上,EUV(極紫外光微影)技術開始被采用,以滿足更小和更精細的電路圖案需求


5nm 至 3nm 節點

這些最先進的製程節點用於極高性能和極低功耗的應用,包括:

- 最新一代智能手機和平板電腦

- 高性能伺服器和雲計算設備

- AI 和 HPC 晶片

- 自動駕駛和先進IoT設備


在這些節點上,新型的晶體管架構如納米片FET(Nanosheet FET)和叉片FET(Forksheet FET)被采用,以繼續提高性能和降低功耗[3][4][6].


2nm 和 1nm 節點

這些未來的製程節點預計將用於極高性能和極低功耗的應用,包括:

- 未來的AI 和 HPC 晶片

- 高端自動駕駛和IoT設備

- 量子計算和其他先進技術


在這些節點上,預計會使用更先進的EUV技術,如高數值孔徑EUV(high-NA EUV),以及其他新型的封裝和製造技術


總結來說,隨著製程節點的縮小,適用產品的性能和複雜度也會不斷提高,同時也會面臨更高的研發和製造成本。

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