更新於 2023/06/13發佈於 2023/06/13閱讀時間約 5 分鐘

2023.06.13 美股盤勢與技術面概況

⭐️焦點：

繼福特與通用宣布逐步採用特斯拉充電規格後，電動車充電站公司宣布加入採納NACS，充電站股落後補漲表現。
AI、國防、半導體設計、車用自駕以及AMD今日將發布伺服器與AI，挹注半導體類股落後補漲表現、緩步墊高，符合預期。
6/13(二)美國5月通膨數據、6/14(三)AMD發布會、6/15(四)美國利率決議公布。

⭐️技術面概況：

美股整體技術面57.7不變，約23.9%技術面上升，位階下降至中性偏強，多頭維持強勢、多頭強勢股上升、產業震盪分歧，仍有落後補漲。
產業方面，技術面分歧，並以科技、醫療、消費淨上升為主帶動市場至波段高檔，個股強於市場產業整體下降。個股強於市場(標普500指數)比重板塊前五名：無。
市值方面，巨型股測試多頭突破、強勢多頭帶動市場，其餘震盪有撐。
題材方面，ETF以網安(CIBR)多頭留意壓力、高收債(HYG)多頭留意壓力、航空(JETS)多頭留意壓力、電動車(DRIV)強勢多頭、人工智慧(IRBO)強勢多頭、元宇宙(METV)強勢多頭、軟體(IGV)強勢多頭、半導體(SMH)強勢多頭、賣權現金流(QYLD)強勢多頭。
近三日風險殖利率：14.274%，前日4.375%，14.410%，短線止升後續回落。

⭐️概況筆記：

風險方面包括通膨數據顯示的增速僵固性，顯示利率水準至少維持一段時間，市場仍將關注3~6月通膨高基期後聯準會動態調整的利率政策變化，製造業數據出現產能上升但終端消化放慢的現象、服務行業整體需求仍支撐商業活動，但產能上升且庫存上升，仍須留意是否影響人力需求放緩，短線財政部發債籌資，殖利率震盪上揚，市場逢利率高檔布局。
機會方面包括美日兩國加強半導體與AI等科技合作，銀行與科技巨頭營利表現優於預期、整體需求仍支撐服務行業訂單與去化積壓訂單，5月失業率小幅上升至3.7%，市場靜待2024~2025利率下降的可能性，以及下半年新品訂單、特斯拉、蘋果與微軟等帶動在自駕、AI與虛實應用科技發展等，市場仍關注逢低布局機會，預期維持以維持分歧、震盪與輪動、靜待商業週期以及流動性壓力緩解，市場仍關注經濟軟著陸的中長線布局機會，整體機會仍大於風險。
美債2年期殖利率4.54%、10年期殖利率3.72%，3個月期殖利率5.30%，美元指數103、黃金1973、波動率（VIX）15.5。
美國聯準會4月升息1碼(0.25%)使基準利率上升至5%~ 5.25% 區間，6/15(四)美國利率決議公布。
美國5月ISM製造業指數46.9，略低於4月的47.3，略高於3月的46.3，人力與產能上升、加速去化積壓訂單，但客戶庫存持平，顯示終端消化速度仍慢，影響單月新訂單下滑，價格大幅下降需留意需求進一步放緩，需關注6月客戶庫存、新訂單變化是否影響人力需求出現逆轉，中長線機會方面在半導體、電子元件仍供不應求，市場預期維持分歧、震盪與輪動並關注週期變化伺機佈局。
美國 5月 ISM 服務業指數50.3，略低於4月的51.9與3月的51.2，並仍維持擴張，單月因整體人力需求下幅下滑且交貨能力上升，快速去化積壓訂單、但庫存普遍上升，仍須留意去化庫存速度是否逐步減少人力需求，整體仍受到大範圍進出口訂單需求支撐、價格維持僵固，尚無停滯性通膨或衰退疑慮，仍有望以緩增長支撐整體商業活動、實現軟著陸與利率正常化，市場預期維持整理關注週期變化伺機佈局。

⭐️價量表現個股：PLUG、INTC、MCHP、ADSK、AAL等。

🧡全市值美股技術面清單下載：連結

珠蒂的美股筆記本整理 (資料截至:2023.06.12)

繼福特與通用宣布逐步採用特斯拉充電規格後，電動車充電站公司宣布加入採納NACS，充電站股落後補漲表現。

特斯拉NACS標準與歐洲和亞洲普遍使用的CCS相筆體積更小，功率更高，特斯拉(TSLA)在開放併尋求美國政府補貼後，福特(F)與通用(GM)先後宣布採用特斯拉充電規格，原先就提供特斯拉充電的充電站營運商影響不大，並在週一四家公司宣布接受NACS標準，分別為美國EV充電站的BLNK.US、CHPT.US、澳洲Tritium，以及西班牙Wallbox NV。

AI、國防、半導體設計、車用自駕以及AMD今日將發布伺服器與AI，挹注半導體類股落後補漲表現、緩步墊高，符合預期。

此前在預期AI運算發展將細分化，半導體有望雨露均霑，除了NVDA外，包含AMD、INTC、GFS、STM、ON、NXPI等皆有望落後補漲表現，軟銀集團旗下 IC 設計商安謀 (Arm)計畫今年在紐約掛牌上市(IPO)，市場傳出戰略投資者可能包含英特爾(INTC.US)，以及洛克希德馬丁(LMT.US)將與格羅方德(GFS.US)戰略合作確保國防所需晶片，以及特斯拉在開放充電站後表示有意開放自駕系統，整體帶動半導體落後補漲、緩步墊高，符合預期。

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