本文內容：
(1) 2MHz高頻磁性材料的溫度特性；
(2) Transphorm公司新出的TP65H015G5WS企圖取代Power SiC，本來8kW是Power GaN與Power SiC的使用分界點，TP65H015G5WS把分界點推向12kW；
(3) 從一個比較長遠的角度來看，Power GaN很難在1700V以上的市場與Power SiC競爭，但1700V的市場僅佔4%；
(4) Vertical GaN的物理極限介於Power SiC(4H-SiC)與Lateral GaN(GaN HEMT)之間；
(5) 第四類半導體(Beta Ga2O3)其特性更優於SiC與GaN，電力級(數MW以上)的變壓器、逆變器、轉換器將非常適合第四類半導體；
(6) 再生晶圓是一個老方法，矽晶圓已經使用很多年了，GaN基板使用再生晶圓法降低成本，也遲早會成功，只是需要時間而已；
(7) 也有人努力去開發Vertical GaN on Si的技術。
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相關公司：Microchip Technology 微芯科技(Nasdaq.MCHP)、Infineon Technologies 英飛凌 (ADR.IFNNY)、STMicroelectronics 意法半導體 (NYSE.STM)、Transphorm 倍微科技 (Nasdaq.TGAN)、Navitas Semiconductor 納微半導體 (Nasdaq.NVTS)、Wolfspeed (NYSE.WOLF)、Coherent/II-VI(Nasdaq.COHR)、Odyssey Semiconductor Inc.(US OTC.ODII)、台積電TSMC(TW.2330)、Silicon Labs(Nasdaq.SLAB)、ON Semiconductor 安森美 (Nasdaq.ON)、Texas Instruments 德州儀器 (Nasdaq.TXN)、Okmetic/上海矽產業集團/National Silicon Industry Group (SH.688126)、Wafer Works 合晶科技(TW.6182)、SUMCO 勝高(TYO.3436)、IQE (LON.IQE)、SOITEC/EpiGaN 梭意科技 (EPA.SOI)、ShinEtsu 信越化學工業 (TYO.4063)、Siltronic AG 世創電子材料 (ETR.WAF)、GlobalWafers 環球晶圓 (TW.6488)、Unikorn 晶成半導體/母公司：Ennostar 富采投控(TW.3714)、Episil-Precision Inc. 嘉晶電子 (TW.3016)、Episil 漢磊 (TW.3707)、X-Fab (EPA.XFAB)、Nexperia 安世半導體 母公司：Wingtech 聞泰科技 (SH.600745)、China Resources Microelectronics 華潤微電子 (SH.688396)、ROHM Semiconductor 羅姆半導體集團 (TYO.6963)、Silan 士蘭微電子 (SH.600460)。
Vertical GaN的論述暫時告一段落，我們後面會來看更多GaN與SiC的競爭、電動車上的應用、GaN on SOI、磊晶設備趨勢....其他關鍵因素。如果之前談到的題目，有發現新的資料可以補充，我也會在後面的文章放進去。第三類半導體的產業前瞻分析實在太好玩了，IEEE的論文(2022)把Power GaN的四種框架列出來，但是作者還沒有看到台灣人黃知澍(Ziv Huang)發明的第五種框架(d-mode & e-mode Cascode)，黃知澍的框架深具商業價值，不過現在看懂的人非常少，蠻可惜的。
