《2022年第三類半導體重點趨勢分析-Vertical Power GaN(下)》

2022/10/28閱讀時間約 9 分鐘
  • 文內如有投資理財相關經驗、知識、資訊等內容,皆為創作者個人分享行為。
  • 有價證券、指數與衍生性商品之數據資料,僅供輔助說明之用,不代表創作者投資決策之推介及建議。
  • 閱讀同時,請審慎思考自身條件及自我決策,並應有為決策負責之事前認知。
  • 方格子希望您能從這些分享內容汲取投資養份,養成獨立思考的能力、判斷、行動,成就最適合您的投資理財模式。
本文內容:
(1) 2MHz高頻磁性材料的溫度特性;
(2) Transphorm公司新出的TP65H015G5WS企圖取代Power SiC,本來8kW是Power GaN與Power SiC的使用分界點,TP65H015G5WS把分界點推向12kW;
(3) 從一個比較長遠的角度來看,Power GaN很難在1700V以上的市場與Power SiC競爭,但1700V的市場僅佔4%;
(4) Vertical GaN的物理極限介於Power SiC(4H-SiC)與Lateral GaN(GaN HEMT)之間;
(5) 第四類半導體(Beta Ga2O3)其特性更優於SiC與GaN,電力級(數MW以上)的變壓器、逆變器、轉換器將非常適合第四類半導體;
(6) 再生晶圓是一個老方法,矽晶圓已經使用很多年了,GaN基板使用再生晶圓法降低成本,也遲早會成功,只是需要時間而已;
(7) 也有人努力去開發Vertical GaN on Si的技術。
※本專欄之文章僅供參考之用,並不構成要約、招攬或邀請、誘使、任何不論種類或形式之申述或訂立任何建議及推薦,請讀者運用個人獨立思考能力,自行作出投資決定,如因相關建議招致損失,概與《麥斯產業前瞻分析》及作者無涉。
Vertical GaN的論述暫時告一段落,我們後面會來看更多GaN與SiC的競爭、電動車上的應用、GaN on SOI、磊晶設備趨勢....其他關鍵因素。如果之前談到的題目,有發現新的資料可以補充,我也會在後面的文章放進去。第三類半導體的產業前瞻分析實在太好玩了,IEEE的論文(2022)把Power GaN的四種框架列出來,但是作者還沒有看到台灣人黃知澍(Ziv Huang)發明的第五種框架(d-mode & e-mode Cascode),黃知澍的框架深具商業價值,不過現在看懂的人非常少,蠻可惜的。
以行動支持創作者!付費即可解鎖
本篇內容共 3818 字、1 則留言,僅發佈於麥斯產業前瞻分析你目前無法檢視以下內容,可能因為尚未登入,或沒有該房間的查看權限。
125會員
87內容數
這個專題是用來出版我的前瞻產業分析,目標讀者為企業主、中高階主管、證券投資人,以及關心產業發展與社會創新的朋友們。我的產業分析已經不受產業別限制了,只要是我覺得有價值的資訊,就會在這個專欄出版。具體來說,包括能源、電力、循環經濟、電動車、生物製藥、醫療器材、ESG、半導體、電子、電機、電力、分子免疫。
留言0
查看全部
發表第一個留言支持創作者!
從 Google News 追蹤更多 vocus 的最新精選內容