本文內容：
(1) Nexgen的240W充電器，其體積功率密度約比Navitas 300W充電器好一點，推測可能都在1MHz左右工作；
(2) TDK公司推出可以最大效率工作在2MHz附近的磁性元件；
(3) Odyssey半導體公司認為4吋Vertical GaN的晶圓價值約是6吋SiC晶圓的4倍，我覺得這樣的比較分析缺少崩壓數字、承載電流數字、可靠度比較，非常可惜；
(4) 我在做技術探索的時候，也看到Vertical GaN on Si的技術，所以Vertical GaN on GaN不是唯一的選項；
(5) 目前有能力量產4吋GaN基板(Substrate)的公司，僅有三菱化學公司一家，這個行業還在相當早期階段；6吋的Vertical GaN on GaN技術的成熟度，將為第三類半導體帶來重大影響，這個變數的發展，很值得關注；
(6) 另一家生產GaN基板的公司是NGK Insulators，目前僅量產2吋基板；
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相關公司：Microchip Technology 微芯科技(Nasdaq.MCHP)、Infineon Technologies 英飛凌 (ADR.IFNNY)、STMicroelectronics 意法半導體 (NYSE.STM)、Transphorm 倍微科技 (Nasdaq.TGAN)、Navitas Semiconductor 納微半導體 (Nasdaq.NVTS)、Wolfspeed (NYSE.WOLF)、Coherent/II-VI(Nasdaq.COHR)、Odyssey Semiconductor Inc.(US OTC.ODII)、台積電TSMC(TW.2330)、Silicon Labs(Nasdaq.SLAB)、ON Semiconductor 安森美 (Nasdaq.ON)、Texas Instruments 德州儀器 (Nasdaq.TXN)、Okmetic/上海矽產業集團/National Silicon Industry Group (SH.688126)、Wafer Works 合晶科技(TW.6182)、SUMCO 勝高(TYO.3436)、IQE (LON.IQE)、SOITEC/EpiGaN 梭意科技 (EPA.SOI)、ShinEtsu 信越化學工業 (TYO.4063)、Siltronic AG 世創電子材料 (ETR.WAF)、GlobalWafers 環球晶圓 (TW.6488)、Unikorn 晶成半導體/母公司：Ennostar 富采投控(TW.3714)、Episil-Precision Inc. 嘉晶電子 (TW.3016)、Episil 漢磊 (TW.3707)、X-Fab (EPA.XFAB)、Nexperia 安世半導體 母公司：Wingtech 聞泰科技 (SH.600745)、China Resources Microelectronics 華潤微電子 (SH.688396)、ROHM Semiconductor 羅姆半導體集團 (TYO.6963)、Silan 士蘭微電子 (SH.600460)。
