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《2022年第三類半導體重點趨勢分析-第三季市場新變化(2)》

更新於 發佈於 閱讀時間約 10 分鐘
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本文內容:
(1) 400kHz 平面變壓器(Planar Transformer)準備大量生產,進入市場;
(2) 平面變壓器(Planar Transformer)正逐漸取代ㄔ傳統的繞線變壓器;
(3) 有了Power GaN的加持,預估未來獨顯筆電(含充電器)的重量可以落在2公斤左右,支援USB PD,並有16~32GB的顯卡記憶體。這將為筆電行業帶來重大的變革;
(4) 750kHz 平面變壓器(Planar Transformer)接棒400kHz;
(5) LVMOS使用130nm製程(8吋晶圓),僅有10mΩ,工作在1MHz時,相當穩定;
(6) SiC MOSFET約比Si IGBT省下66~80%的電力;
(7) Navitas的計算,認為Power GaN與Power SiC的晶圓成本(Wafer Cost)還可以再下降40%;

※本專欄之文章僅供參考之用,並不構成要約、招攬或邀請、誘使、任何不論種類或形式之申述或訂立任何建議及推薦,請讀者運用個人獨立思考能力,自行作出投資決定,如因相關建議招致損失,概與《麥斯產業前瞻分析》及作者無涉。
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這個專題是用來出版我的前瞻產業分析,目標讀者為企業主、中高階主管、證券投資人,以及關心產業發展與社會創新的朋友們。我的產業分析已經不受產業別限制了,只要是我覺得有價值的資訊,就會在這個專欄出版。具體來說,包括能源、電力、循環經濟、電動車、生物製藥、醫療器材、ESG、半導體、電子、電機、電力、分子免疫。
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本文內容: (1) Navitas宣布微型逆變器公司Enphase承諾使用Power GaN,印證了本專欄上一篇文章的看法,可以預告未來未來幾年PV Inverter市場將可以看到GaN元件快速成長的趨勢;我的上一篇文章預測10kW以下的市場規模為5.8億美元,看起來比Navitas預測的34億美元
本文內容: (1) 碳化矽功率元件的應用市場與其崩潰電壓; (2) BEV國民車的DC充電系統會停留在400V,也就是使用650V功率元件即可,至於充電速度可能停留在90~100kW之間,因為這個區段可以使用Power GaN元件,會比較便宜; (3) ViSiC公司則早已經推出1,200V Pow
本文內容: (1) 2MHz高頻磁性材料的溫度特性; (2) Transphorm公司新出的TP65H015G5WS企圖取代Power SiC,本來8kW是Power GaN與Power SiC的使用分界點,TP65H015G5WS把分界點推向12kW; (3) 從一個比較長遠的角度來看,Power
本文內容: (1) Nexgen的240W充電器,其體積功率密度約比Navitas 300W充電器好一點,推測可能都在1MHz左右工作; (2) TDK公司推出可以最大效率工作在2MHz附近的磁性元件; (3) Odyssey半導體公司認為4吋Vertical GaN的晶圓價值約是6吋SiC晶圓的4
本文內容: (1) Power Vertical GaN產業結構;此技術非常新穎,相關公司並不多; (2) NexGen Power Systems認為只有GaN on GaN才能完全釋放Power GaN的優勢; (3) 平面型與垂直型Power GaN 電晶體的差別; (4) NexGen Po
本文內容: (1) Power GaN on Si產業結構(含未上市公司);基板供應、氮化鎵磊晶、晶片製造、二極體/電晶體/IC設計、封裝測試、功率模組;總共34家公司;中國公司從上游到下游都布局很深;功率氮化鎵垂直整合的趨勢已經形成,這個時候創造自由現金流量(Free Cash Flow)就變得非
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