本文內容: (1) Power GaN on Si產業結構(含未上市公司);基板供應、氮化鎵磊晶、晶片製造、二極體/電晶體/IC設計、封裝測試、功率模組;總共34家公司;中國公司從上游到下游都布局很深;功率氮化鎵垂直整合的趨勢已經形成;台積電不會在晶圓代工價格上退讓; (2) Si MOSFET與d-Mode、e-Mode Power GaN的比較; (3) 250W以下的功率模組是D-Mode與E-Mode目前的交戰區域;可以預見消費性電子產品上,Si MOSFET將會快速被Power GaN所取代; (4) Infineon可能想在12吋的Power GaN製造上扳回一成; (5) STM採取多方押寶的策略;