付費限定《2022年第三類半導體重點趨勢分析-第三季市場新變化(1)》
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《2022年第三類半導體重點趨勢分析-第三季市場新變化(1)》

更新於 發佈於 閱讀時間約 4 分鐘
投資理財內容聲明

本文內容:
(1) Navitas宣布微型逆變器公司Enphase承諾使用Power GaN,印證了本專欄上一篇文章的看法,可以預告未來未來幾年PV Inverter市場將可以看到GaN元件快速成長的趨勢;我的上一篇文章預測10kW以下的市場規模為5.8億美元,看起來比Navitas預測的34億美元保守許多;
(2) 本季看到Navitas宣布其GaNSense將在500kHz工作;GaNSense Half-Bridge(半橋IC)將在1MHz工作;
(3) 本季Navitas也推出了GaNSense Half-bridge的封裝元件,與原來的分離式設計相比,有諸多好處;
(4) 我們可以看到在1~60kW的重疊處,將是Power GaN & SiC競爭的主要戰場,Monolithic(單晶片, 台積電代工)的技術極限看起來是20kW;
(5) Navitas的官方文件認為Transphorm的工作頻率不會超過500kHz,但有人跟我說可以達到750kHz,也許Transphorm正在往1MHz的方向努力;
(6) Transphorm打算用FQS元件應戰Navitas的GaNSense或GaNSense Half-Bridge IC,FQS元件1顆可以取代2顆Power Si MOS或是2顆IGBT+2顆矽二極體,預計2023年問世;

※本專欄之文章僅供參考之用,並不構成要約、招攬或邀請、誘使、任何不論種類或形式之申述或訂立任何建議及推薦,請讀者運用個人獨立思考能力,自行作出投資決定,如因相關建議招致損失,概與《麥斯產業前瞻分析》及作者無涉。

相關公司:Microchip Technology 微芯科技(Nasdaq.MCHP)Infineon Technologies 英飛凌 (ADR.IFNNY)STMicroelectronics 意法半導體 (NYSE.STM)Transphorm 倍微科技 (Nasdaq.TGAN)Navitas Semiconductor 納微半導體 (Nasdaq.NVTS)Wolfspeed (NYSE.WOLF)Coherent/II-VI(Nasdaq.COHR)Odyssey Semiconductor Inc.(US OTC.ODII)台積電TSMC(TW.2330)Silicon Labs(Nasdaq.SLAB)ON Semiconductor 安森美 (Nasdaq.ON)Texas Instruments 德州儀器 (Nasdaq.TXN)Okmetic/上海矽產業集團/National Silicon Industry Group (SH.688126)Wafer Works 合晶科技(TW.6182)SUMCO 勝高(TYO.3436)IQE (LON.IQE)SOITEC/EpiGaN 梭意科技 (EPA.SOI)ShinEtsu 信越化學工業 (TYO.4063)Siltronic AG 世創電子材料 (ETR.WAF)GlobalWafers 環球晶圓 (TW.6488)Unikorn 晶成半導體/母公司:Ennostar 富采投控(TW.3714)Episil-Precision Inc. 嘉晶電子 (TW.3016)Episil 漢磊 (TW.3707)X-Fab (EPA.XFAB)Nexperia 安世半導體 母公司:Wingtech 聞泰科技 (SH.600745)China Resources Microelectronics 華潤微電子 (SH.688396)ROHM Semiconductor 羅姆半導體集團 (TYO.6963)Silan 士蘭微電子 (SH.600460)

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Maxwell 陳世芳的麥斯創業服務
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這個專題是用來出版我的前瞻產業分析,目標讀者為企業主、中高階主管、證券投資人,以及關心產業發展與社會創新的朋友們。我的產業分析已經不受產業別限制了,只要是我覺得有價值的資訊,就會在這個專欄出版。具體來說,包括能源、電力、循環經濟、電動車、生物製藥、醫療器材、ESG、半導體、電子、電機、電力、分子免疫、AI。
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本文內容: (1) 碳化矽功率元件的應用市場與其崩潰電壓; (2) BEV國民車的DC充電系統會停留在400V,也就是使用650V功率元件即可,至於充電速度可能停留在90~100kW之間,因為這個區段可以使用Power GaN元件,會比較便宜; (3) ViSiC公司則早已經推出1,200V Pow
本文內容: (1) 2MHz高頻磁性材料的溫度特性; (2) Transphorm公司新出的TP65H015G5WS企圖取代Power SiC,本來8kW是Power GaN與Power SiC的使用分界點,TP65H015G5WS把分界點推向12kW; (3) 從一個比較長遠的角度來看,Power
本文內容: (1) Nexgen的240W充電器,其體積功率密度約比Navitas 300W充電器好一點,推測可能都在1MHz左右工作; (2) TDK公司推出可以最大效率工作在2MHz附近的磁性元件; (3) Odyssey半導體公司認為4吋Vertical GaN的晶圓價值約是6吋SiC晶圓的4
本文內容: (1) Power Vertical GaN產業結構;此技術非常新穎,相關公司並不多; (2) NexGen Power Systems認為只有GaN on GaN才能完全釋放Power GaN的優勢; (3) 平面型與垂直型Power GaN 電晶體的差別; (4) NexGen Po
本文內容: (1) Power GaN on Si產業結構(含未上市公司);基板供應、氮化鎵磊晶、晶片製造、二極體/電晶體/IC設計、封裝測試、功率模組;總共34家公司;中國公司從上游到下游都布局很深;功率氮化鎵垂直整合的趨勢已經形成,這個時候創造自由現金流量(Free Cash Flow)就變得非
本文內容: (1) 2021年與2027年Power GaN市場預測; (2) 電動車裡面會使用GaN元件IC的地方; (3) d-Mode GaN與e-Mode GaN各有優缺點; (4) TGAN的產品架構; (5) Navitas主張更高程度的整合性; (6) STMicro公司兩邊押寶,目標
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