本文內容:(1) Navitas宣布微型逆變器公司Enphase承諾使用Power GaN,印證了本專欄上一篇文章的看法,可以預告未來未來幾年PV Inverter市場將可以看到GaN元件快速成長的趨勢;我的上一篇文章預測10kW以下的市場規模為5.8億美元,看起來比Navitas預測的34億美元保守許多;(2) 本季看到Navitas宣布其GaNSense將在500kHz工作;GaNSense Half-Bridge(半橋IC)將在1MHz工作;(3) 本季Navitas也推出了GaNSense Half-bridge的封裝元件,與原來的分離式設計相比,有諸多好處;(4) 我們可以看到在1~60kW的重疊處,將是Power GaN & SiC競爭的主要戰場,Monolithic(單晶片, 台積電代工)的技術極限看起來是20kW;(5) Navitas的官方文件認為Transphorm的工作頻率不會超過500kHz,但有人跟我說可以達到750kHz,也許Transphorm正在往1MHz的方向努力;(6) Transphorm打算用FQS元件應戰Navitas的GaNSense或GaNSense Half-Bridge IC,FQS元件1顆可以取代2顆Power Si MOS或是2顆IGBT+2顆矽二極體,預計2023年問世; ※本專欄之文章僅供參考之用,並不構成要約、招攬或邀請、誘使、任何不論種類或形式之申述或訂立任何建議及推薦,請讀者運用個人獨立思考能力,自行作出投資決定,如因相關建議招致損失,概與《麥斯產業前瞻分析》及作者無涉。 相關公司:Microchip Technology 微芯科技(Nasdaq.MCHP)、Infineon Technologies 英飛凌 (ADR.IFNNY)、STMicroelectronics 意法半導體 (NYSE.STM)、Transphorm 倍微科技 (Nasdaq.TGAN)、Navitas Semiconductor 納微半導體 (Nasdaq.NVTS)、Wolfspeed (NYSE.WOLF)、Coherent/II-VI(Nasdaq.COHR)、Odyssey Semiconductor Inc.(US OTC.ODII)、台積電TSMC(TW.2330)、Silicon Labs(Nasdaq.SLAB)、ON Semiconductor 安森美 (Nasdaq.ON)、Texas Instruments 德州儀器 (Nasdaq.TXN)、Okmetic/上海矽產業集團/National Silicon Industry Group (SH.688126)、Wafer Works 合晶科技(TW.6182)、SUMCO 勝高(TYO.3436)、IQE (LON.IQE)、SOITEC/EpiGaN 梭意科技 (EPA.SOI)、ShinEtsu 信越化學工業 (TYO.4063)、Siltronic AG 世創電子材料 (ETR.WAF)、GlobalWafers 環球晶圓 (TW.6488)、Unikorn 晶成半導體/母公司:Ennostar 富采投控(TW.3714)、Episil-Precision Inc. 嘉晶電子 (TW.3016)、Episil 漢磊 (TW.3707)、X-Fab (EPA.XFAB)、Nexperia 安世半導體 母公司:Wingtech 聞泰科技 (SH.600745)、China Resources Microelectronics 華潤微電子 (SH.688396)、ROHM Semiconductor 羅姆半導體集團 (TYO.6963)、Silan 士蘭微電子 (SH.600460)。