近期中國半導體進程因華為推出 Mate 60 Pro 新機及其搭載的海思半導體麒麟 9000S 再次受到關注，透過這次的產品發佈也讓市場對目前中國半導體進程有所更新。近日又傳出中國新一期大基金將以創史上新高的金額加大投資本土半導體設備，以下綜合參考各大論壇以及新聞資訊後，分享一些個人想法以及對臺灣業者的影響。
標榜使用 5nm 製程的 9000S 實際狀況究竟如何？
從 Twitter (X?) 上中國科技圈人士就 9000S（使用 SMIC N+2 製程）和前代 9000（使用 TSMC 5nm）在 Geekbench 6 上的解讀可以看出，新一代產品在架構推進且 Die size 明顯增加下（9000S 約 140mm²、9000 105.65mm²），兩者的綜合跑分結果卻相差不大，因此推測中芯所謂的 N+2 製程大概是約 TSMC 的 7nm 水準，中國目前尚無法量產 5nm 產品。
Huawei Mate 40 Pro+ 和 Mate 60 Pro Geekbench 6 跑分差異不大
Kirin 9000S Die size 明顯比前一代 Kirin 9000 大
那麼中國未來有機會生產出 5nm 產品嗎？
從目前中國能夠拿到最先進的曝光機 ASML 浸潤式 DUV NXT:2000i 來看，受限於 DUV 波段本身的物理限制（曝光的解析度與其波長關係密切），基本上若 EUV 持續受到出口限制，則 5nm 基本沒有機會實現，目前看到使用在 9000S 上的 7nm 技術可能就是中國未來三到五年最好的技術節點了。
而該產品在安兔兔天梯圖上大約就落在驍龍 888 左右的效能，也就是說未來三五年搭載中國自製處理器的手機效能大概就是落在 2021 年的旗艦機等級了（對標 Samsung S21）。
安兔兔手機 SoC 天梯圖，麒麟 9000 與驍龍 888 效能接近
那麼中國半導體仍有兩條路可以持續往前走。
首先，提高其 7nm 製程良率。
目前中芯半導體 7nm 的良率依舊是個未知數，但不論如何其 N+2 製程使用了 DUV + 多重曝光，良率爬坡速度慢且功耗提升效果有限，對比 TSMC 在 N7+ 和三星在 7nm LPP 都導入 EUV，可見使用 DUV 推動 7nm 進展的困難程度以及效益有限。
而中芯在現階段拿不到 EUV 的情況下，只能持續嘗試提升其 7nm 製程良率以獲得更好的生產成本效益，也就是推出後續 N+3、N+4 等改良製程。
再者，持續推動自造設備產線。
中國半導體持續透過自行研發曝光機等設備，以建造中國半導體自主化產線，降低對外國設備的依賴度。然而目前尚未看到顯著突破，估計要花 5 年以上才有機會看到階段性成果。
對此，近日外媒資訊指出，中國將推出新一期大基金（國家集成電路產業投資基金），籌集約 400 億美元資金，目標投資於半導體製造設備領域，期望在生產技術上能夠逐步追上歐美大國。
而筆者認為，上述兩條路都與半導體檢測分析業者，尤其是材料分析業務密切相關。
材料分析（Material Analysis）主要服務半導體產業中游之晶圓代工業者和上游設備商，協助客戶研發製程、決定高階設備/材料生產參數等。透過材料分析，業者便能夠了解樣品是否符合原始設計，以調校各道製程所涉及的參數、材料與設備。對於現階段中國要提高 7nm 良率抑或持續推動國產設備，材料分析均將扮演重要角色。
而檢測技術的學習曲線其實也與檢測廠平時能夠接觸到的專案難度高度相關，換句話說，要能夠分析得好越先進的製程，平常就需要持續累積先進製程的分析經驗。
然而，中國本土檢測分析廠商目前受限製程節點（7nm 都還在良率爬坡階段），檢測分析功力都顯著明顯落後台灣業者，因此中國晶圓代工廠、設備商會花費較高的價格委外臺灣業者進行檢測，因此預期包含汎銓、閎康和宜特等台灣檢測分析業者將持續直接受惠中國推動半導體自主化。
另外在先進製程持續微縮，工序數明顯增加，以及第三代半導體近年來快速崛起下，整體材料分析需求持續成長。基於以下理由，筆者認為汎銓受惠程度為三家廠商最高：
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