DRAM 的熱相關參數
閱讀時間約 2 分鐘
記憶體上面主要的發熱源為一顆顆的晶粒
容量越大的記憶體，基本上發熱量就越大。其中每一個廠商的晶粒熱特性也不盡相同，這邊參考的資料是美光的。
DRAM Thermal resistance
根據美光對於熱阻的定義:
就算是同一顆晶粒，不同版本的封裝，因為尺寸和底下BGA排佈的方式與數量，彼此差異也是不小，但是Rjc<Rjb這點是沒有問題的。
Rjb: 9.9~21 C/W
Rjc: 2.8~6 C/W
Rjb: 9.9~21 C/W
Rjc: 2.8~6 C/W
DRAM Heat Source
要準確地估出一顆DRAM power consumption有點麻煩，需要取得datasheet再來按照工作狀態來計算後加總，總的來說:
Total power= Background power+ active power+ read/write power
個別階段都要按照current cycle依照P=IV的方式去，計算結果可能會長成這樣:
DRAM Heat route
在2R模型下的IC，Rja為Rjb與Rjc並聯的結果，而P為Pc(經由上表面散熱)與Pb(經由PCB散熱)的總和。如果以歐姆定律來類比，那就是並聯兩端電壓相同，電阻會導致不同路徑所經過的電流大小不一樣，而總電流應為兩條路線的總和，也就是能量守恆同克希荷夫電流守恆。
由上述表格可以看到，在不同基板(JEDEC board與非JEDEC board)與對流條件下，熱量經由上殼離開或是由PCB離開的比例差別可以很大，從最高95%從PCB散出，到90%從上殼散出都有可能。這導致在使用熱阻估算Junction Temperature的時候只能藉由上下限來估出一個範圍，例如:
假設單顆熱量為0.16W, Rjc=7C/w，測量到Tc=74C
Tj worst case(100%走上殼): 0.16x1x7+74=75.1C
Tj best case(25%走上殼): (0.16x1x7)x25%+74=74.3C
因此可以預估Tj可能會落在 74.3C~75.1C之間
Tj worst case(100%走上殼): 0.16x1x7+74=75.1C
Tj best case(25%走上殼): (0.16x1x7)x25%+74=74.3C
因此可以預估Tj可能會落在 74.3C~75.1C之間
或是今天元件單顆1.5W, Tj limit=110C, Rjc=5c/W
Tc worst case(25%走上殼): 110-1.5×25%x5=104.38C
Tc best case(75%走上殼): 110-1.5×75%x5=108.13C
那麼spec最好訂在104C以確保安全
Tc worst case(25%走上殼): 110-1.5×25%x5=104.38C
Tc best case(75%走上殼): 110-1.5×75%x5=108.13C
那麼spec最好訂在104C以確保安全
如果要更準確的估算，就要帶入模擬連周邊風流條件都一併帶入了。
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數位IC裡我們關注的都是0或1,
大家都知道電腦是0101在做二進位的運算,
在晶片裡又是怎麼做到的?
實際上我們在設計晶片時,會給他一個VDD跟GND,
VDD-GND給的是預期的Driving volatge,
像是5V或9V
以5V為例
0或1物理上就是目前的電壓靠近0V或5
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美光因 DRAM 產能有 60% 集中在台灣，受地震影響而暫停 DRAM報價，等評估完損失後才會重啟 Q2 合約價談判。
隨後韓國三星、SK 海力士亦同步暫停報價。看的時候不知道大家有沒有覺得這兩位產能又不在台灣，為什麼也在跟風？
本文將從電流密度（Current Density）的觀點來決定漆包線徑的粗細；實務上要考量更為複雜，包括工作電壓、絕緣強度及法規、尺寸限制、加工能力等等，因此拆分不同主題來進行探討。
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