📘 第 68/120 單元 🧲 差動對的工程角色 — 不是「兩顆晶體管」

更新 發佈閱讀 14 分鐘

— 而是類比/RF 的誤差感測器、雜訊入口、線性瓶頸、共模管理器


🎯 單元目標

完成後你能做到:

  • 用工程語言說清楚差動對在類比/RF 的 5 大角色
  • 建立核心直覺:gm / 線性 / 雜訊 / 共模範圍 / mismatch-offset 是同一套資源分配問題
  • 理解 尾電流 Itail源/射極退化 如何同時影響:增益、雜訊、IIP3/失真、CMRR
  • 看到差動對波形或規格,能快速定位限制來源並提出改法

🧭 一句話總結(超核心)

👉 差動對 = 把差動電壓 (Vin+ − Vin−) 轉成差動電流 (I1 − I2),再交給負載把電流變成輸出電壓。

所以你永遠在取捨:敏感度(gm)/ 線性(IIP3, IM3)/ 雜訊(NF)/ 共模範圍(ICMR)/ 失配(offset)。


🧑‍🎓 初學者先懂:你到底在學什麼?

很多人看到差動對會以為:「不就兩顆MOS/BJT+一個尾電流嗎?」

但在真實設計裡,你看到的通常不是電路圖,而是:

  • 規格: Gain、NF、IIP3、Offset、ICMR、CMRR、功耗
  • 現象: 波形失真、輸出飄、共模一變就壞、互調爆掉
  • 任務: 你要用最少的改動,讓最差條件也達標

✅ 所以本單元要你練的,是「看規格/波形 → 立刻知道卡在哪個物理限制 → 轉哪個旋鈕」。


🧠 二、差動對的 5 大工程角色(背角色,不背電路)

1) 誤差感測器(Error Sensor)

回授系統要壓誤差,首先要「測誤差」:

差動對把 (Vin+ − Vin−) 變成控制用的電流差。

  • gm 高 → 誤差感測更敏感 → 回授更有力
  • 代價:功耗/寄生/非線性壓力也上升

2) 雜訊入口(Noise Front Door)

很多系統的總雜訊,主要由第一級決定:

因為後面級的雜訊常會被前級增益「遮掉」。

  • 輸入對的 gm、器件面積、偏壓點 → 直接決定輸入等效雜訊

3) 線性瓶頸(Linearity Bottleneck)

差動對本質非線性:小訊號可線性化,大訊號會產生失真/互調。

  • RF 會看:IM3 / IIP3
  • 類比會看:THD、1 dB compression 等

4) 共模管理器(Common-mode Manager)

差動對不是只看差動,也會被共模「拖著走」:

  • ICMR(輸入共模範圍)
  • CMRR(共模抑制比)
  • 與尾電流源的理想程度、負載對稱性高度相關

5) mismatch → offset 的來源(統計的真實世界)

兩顆「看起來一樣」的器件,其實參數不同(ΔVth、Δβ、Δgm)

→ Vin=0 也會不平衡 → 出現 offset(精密DC的痛點)


🧠 三、最典型差動對長相(你要能一眼看懂)

3.1 MOS 差動對(類比IC最常見)

             VDD
|
M3 / \ M4 (電流鏡/負載)
/ \
Vout+ o-- --o Vout-
\ /
\ /
M1 M2 (差動對)
Vin+ o--------| |--------o Vin-
|
Itail
|
GND

3.2 BJT 差動對(低雜訊、gm 強)

           VCC
|
RC RC
\ /
Vout+ o------o o------o Vout-
| |
Vin+ o--------| |--------o Vin-
Q1 Q2
\/
Itail
|
GND

工程直覺:

  • BJT: 同電流下 gm 大、白雜訊常更強,但輸入偏壓電流存在
  • MOS: 高輸入阻抗,但 1/f noise、Vth mismatch 常是痛點

🧠 四、核心直覺:差動對其實是「電流分配器」

尾電流 Itail 固定,被兩邊分掉:

  • Vin+ > Vin− → 左邊電流變大、右邊變小 → 產生差動電流
Itail 固定
|
+--> I1 ()
|
+--> I2 ()

差動輸出 (I1 - I2)

小訊號附近:

  • I1 ≈ Itail/2 + Δi
  • I2 ≈ Itail/2 − Δi
  • 差動電流 ≈ 2Δi

🧠 五、三個設計旋鈕(後面LNA/Mixer都在轉這三顆)

旋鈕 1:尾電流 Itail(買速度/雜訊資源)

Itail ↑ 常見趨勢:

  • ✅ gm ↑(更敏感、更快)
  • ✅ BW ↑(節點更能推得動)
  • ✅ 熱噪常下降(輸入等效噪聲常變好)
  • ⚠️ 功耗 ↑、溫升 ↑、可靠度壓力 ↑
  • ⚠️ 線性不一定單調改善(取決於偏壓點與Vov)

旋鈕 2:尺寸 W/L(買匹配/1f噪聲 vs 寄生)

器件做大:

  • ✅ mismatch ↓(offset 分布變小)
  • ✅ 1/f noise ↓(MOS常見)
  • ⚠️ Cgs/Cgd ↑ → BW 下降、PM更敏感
  • ⚠️ 面積 ↑ 成本 ↑

旋鈕 3:源/射極退化 Rs/Re(用局部回授買線性)

加退化:

  • ✅ 線性 ↑(IM3下降、IIP3上升的典型手段)
  • ✅ gm 更可控、對mismatch的敏感度常降低
  • ⚠️ 有效 gm ↓ → 增益掉
  • ⚠️ 電阻噪聲增加
  • ⚠️ 需要更多 headroom

一句話:

👉 退化 = 用增益/功耗/頭寸,換線性與可控性。


🧠 六、RF 視角:為什麼差動對是 LNA/Mixer 的核心?

RF 最痛兩件事:

  • NF(雜訊):第一級幾乎決定整體 SNR
  • IIP3/IM3(互調):兩個干擾一進來,IM3 掉在通帶內 → EVM/ACLR直接爆

差動架構的好處:

  • ✅ 抑制共模干擾(電源、地彈跳)
  • ✅ 抑制偶次失真
  • ✅ 更容易做平衡與隔離

🧠 七、差動對「症狀 → 可能原因 → 改法」速查

7.1 增益不夠

  • 可能:gm 不夠 / ro 太小 / 負載太弱
  • 改法:Itail↑、提高負載阻抗、用 cascode、重新分配節點gm

7.2 頻寬不夠 / 容易振鈴

  • 可能:器件太大寄生太多 / 高阻節點極點太低
  • 改法:減小關鍵節點C、降低輸出阻抗、補償/隔離、把gm放在需要的節點

7.3 offset 太大

  • 可能:mismatch、偏壓不對稱、版圖不對稱
  • 改法:輸入對面積↑、共心/交錯、guard ring、必要時 chopper/auto-zero

7.4 線性差(IM3大、IIP3低)

  • 可能:差動對大訊號非線性、偏壓點不佳、頭寸不足
  • 改法:源退化、增加headroom、局部回授、分段線性化

🔬 電子學實驗題(68/120)重編 + 解答版

實驗名稱

差動對三旋鈕實驗:Itail / W/L / Rs 如何同時改變增益、雜訊、線性、共模行為(SPICE 實務版)


🎯 實驗目的(你最後要能講出「原因鏈」)

你要建立的世界觀:

👉 改一個參數,不是只動一個指標,而是四個指標一起動。

觀察四指標:

  • 小訊號增益(差動轉換增益)
  • 頻寬/相位裕度(節點極點)
  • 雜訊(輸入等效雜訊或輸出雜訊)
  • 線性(THD 或 IM3)

🧰 工具

  • SPICE(LTspice/ngspice/Spectre)
  • MOS 差動對 + 電流鏡負載 netlist
  • FFT/THD(可選),兩音IM3(加分)

🔧 實驗電路模板

             VDD
|
M3 / \ M4 (電流鏡負載)
/ \
Vout+ o-- --o Vout-
\ /
\ /
M1 M2 (差動對)
Vin+ o--------| |--------o Vin-
| |
Rs Rs (可選:源退化)
\/
Itail
|
GND

✅ A) Baseline

操作

  1. VDD=1.8V(例)
  2. Itail=200µA(例)
  3. M1/M2 中等尺寸,Rs=0
  4. 跑 OP / AC / Noise / Transient+FFT

你應該看到(標準答案趨勢)

  • OP:M1/M2 在飽和(這是「可用設計」門檻)
  • AC:得到一組 baseline(Gain、BW、PM)
  • Noise:得到輸入/輸出雜訊曲線(低頻可能看到 1/f,上去是白噪)
  • THD:在小輸入下 THD 低;輸入加大 THD 上升(非線性現形)

你該寫的結論(標準句)

✅ 這是參考設計點,後面改動都以此為對照,才能看出 trade-off。


✅ B) 旋鈕 1:掃 Itail

操作

Itail:100µA → 200µA → 500µA → 1mA

每次記錄:Gain、BW、Noise、THD(或IM3)

預期觀察(答案趨勢)

  • BW 通常上升(gm↑更能推節點電容)
  • 噪聲常改善(輸入等效噪聲常下降的趨勢)
  • 功耗線性上升(P≈VDD×I_total)
  • THD 不一定單調變好(偏壓點改變,可能某區更非線性)

最小結論句(標準句)

✅ Itail 是買 gm 的主要手段:速度/雜訊常變好,但功耗與可靠度壓力增加,線性需用THD/IM3驗證。


✅ C) 旋鈕 2:掃 W/L

操作

W 放大 2×、4×(L先固定)

量:Gain、BW、Noise、THD 可做 Monte Carlo 看 offset 分布(若工具支援)

預期觀察(答案趨勢)

  • mismatch ↓ → offset 分布變窄(σ下降)
  • 1/f noise 常下降(MOS常見)
  • BW 可能下降(寄生 C↑ → 極點下移)
  • PM 可能更敏感(更容易因寄生與負載產生相位問題)

最小結論句(標準句)

✅ 尺寸變大像「更穩更準」,但也像「更重更慢」:匹配與低頻噪變好,速度可能被寄生拖慢。


✅ D) 旋鈕 3:加入源退化 Rs

操作

Rs:0 → 10Ω → 50Ω → 100Ω(依電流尺度調整)


量:Gain、Noise、THD(或IM3)

預期觀察(答案趨勢)

  • THD 明顯改善(線性上升)
  • Gain 下降(有效gm下降)
  • 噪聲可能上升(電阻熱噪 + gm降低的影響)
  • headroom 壓力增加(尤其低VDD更明顯)

最小結論句(標準句)

✅ Rs 是用局部回授把 gm「變線性」:IIP3/THD變好,但增益與噪聲通常要付代價。


✅ E) 加分:兩音 IM3

操作

輸入兩音:f1、f2(接近)

看輸出頻譜:f1、f2、2f1−f2、2f2−f1 比較 Rs=0 vs Rs>0

你會看到(答案)

  • 加 Rs 後:IM3 下降(通常很明顯)→ IIP3改善的直覺成立
  • 代價:主訊號增益下降(同時發生)

❓思考題(解答版)

  1. 為何叫誤差感測器?
    ✅ 因為它把 Vin+−Vin− 的誤差轉成電流差,後面級與回授都在放大/壓制它。
  2. 為何輸入級雜訊主宰系統?
    ✅ 前級雜訊直接進系統;後級雜訊常被前級增益壓下去,所以輸入級是噪聲入口。
  3. 為何源退化改善IIP3/線性?
    ✅ 局部負回授讓 gm 對輸入變化更線性,高次項下降 → IM3下降。
  4. 為何器件做大匹配變好但頻寬可能變差?
    ✅ 面積↑→統計平均化→mismatch↓;但寄生C↑→極點下降→BW↓。
  5. 做低雜訊 LNA 最可能先轉哪個旋鈕?
    ✅ 先用 Itail 與輸入對尺寸提高 gm、降低輸入等效雜訊,再用適度退化管理線性與匹配。

🧾 本單元一句話記住

👉 差動對是類比/RF 的核心感測器:gm 決定敏感度與速度、輸入級決定雜訊、非線性決定IIP3、共模與失配決定量產穩健;設計就是在三旋鈕中做 trade-off。

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