當我們談 3 奈米、2 奈米，市場焦點總放在 EUV 曝光機與電晶體結構。但如果每一層都堆得更高、更複雜，誰來確保它們能站得穩？答案是 CMP。
如果曝光機決定解析度，CMP 決定的是這些結構能不能繼續往上堆。在 AI 晶片、HBM、3D NAND 疊層快速增加的今天，CMP 其實是整個堆疊時代的地基工程。
設備端：荏原 Ebara Corporation 的隱形地位
第一，壓力與轉速控制精準度。在先進節點下，幾奈米的誤差都可能影響良率。
第二，對高深寬比結構的適應能力。從 FinFET 到 GAA，結構越來越立體，CMP 均勻性難度同步提升。
第三，與日本產業鏈的深度合作。包括 Kioxia 等 NAND 廠商，使荏原在高層數堆疊領域建立穩定市占。
CMP 設備不像曝光機那樣吸睛，但它是製程穩定度的守門員。
材料端：Versum Materials 的化學護城河
CMP 的真正靈魂其實是 slurry，研磨液。這是一種高度客製化的化學混合物，包含奈米級磨料與各種化學添加劑。
它必須做到一件看似矛盾的事：只磨掉該磨的材料，保護不該磨的材料。
例如銅 CMP，需要高選擇性去除銅，同時避免侵蝕 barrier layer。這種選擇性與化學控制能力，構成材料商的真正護城河。Versum 長期深耕 CMP 與前段材料，並於 2019 年被 Merck Group 併購，成為其半導體材料戰略核心之一。
材料一旦進入製程認證，就幾乎不會輕易更換。這是一種低調但極強的鎖定效應。
進入 3D 時代後，CMP 的角色反而更重要。
3D NAND 層數從 64 層走到 200 層以上，每一層都需要平坦化。HBM 堆疊與先進封裝，也增加研磨步驟。
製程越立體，CMP 使用次數越多。這意味著在 AI 基礎建設擴張的同時，CMP 是隱性受益者。設備商獲得出貨機會，材料商獲得長期消耗性收入。
