高頻寬記憶體(HBM)跟伺服器DRAM有甚麼差別

高頻寬記憶體(HBM)和伺服器DRAM雖然都屬於動態隨機存取記憶體的範疇，但在設計、性能和應用上有顯著差異：

技術設計

• HBM：採用3D堆疊封裝技術，將多個DRAM晶片垂直堆疊，並使用矽穿孔(TSV)互連
• 伺服器DRAM：通常採用傳統的平面晶片設計8

性能特點

• HBM：
• • 極高頻寬，最高可達1TB/s8較低的存取延遲高度並行處理能力
• 伺服器DRAM：
• • 中等頻寬，最高約50GB/s8一般的存取延遲較低的並行處理能力

應用場景

• HBM：主要用於高性能計算領域，如AI加速器、高端GPU和超級電腦
• 伺服器DRAM：廣泛應用於各類伺服器的主記憶體

成本和普及度

• HBM：成本較高，主要用於高端設備
• 伺服器DRAM：成本相對較低，使用更為普遍

錯誤校正

• HBM：通常內建錯誤校正功能
• 伺服器DRAM：常使用ECC (Error Correcting Code) 技術來提高可靠性

總的來說，HBM和伺服器DRAM在不同領域發揮作用，並不存在直接替代關係，而是相輔相成滿足不同應用需求