記憶體大廠美光（Micron）Q3財報（財年是Q4）營收年增46%至113億美元，優於預期的112億美元。淨利年增158%至34.7億，EPS $3.03高於市場預期的$2.86。毛利率快速從上一季的39%拉高至45.7%。
美光深刻理解AI革命對記憶體產業的結構性影響，主動調整業務策略以把握這一歷史性機遇。公司不僅在HBM、GDDR7、LPDDR5等AI關鍵記憶體技術上建立領先地位，更重要的是建構了完整的AI記憶體解決方案組合，能夠滿足從訓練到推論、從雲端到邊緣的多元化AI應用需求。
公司預計2025年Q4的財測營收125億美元，換算年增約44%。EPS預期在3.75美元，換算年增109%。預估毛利率將進一步提升至51.5%。公司預期價格、成本和產品組合都將對Q1毛利率強化做出貢獻。各營運事業體表現
雲端記憶體事業部（CMBU）：AI需求火車頭
- Q3營收：45.4億美元，季增34%，年增214%
- 佔總公司營收40%，毛利率59%，營運利潤率48%
- 全年營收：135.2億美元，年增257%
HBM業務爆發式成長 HBM（高頻寬記憶體）成為CMBU成長的主要驅動力，Q3營收增長至近20億美元，意味著年化運行率接近80億美元。這一驚人成長主要由領先業界的HBM3E產品推動。Sadana在電話會議中表示：「我們相信美光的HBM4產品效能超越所有競爭對手，提供業界領先的效能以及一流的電源效率。」同時，美光已向客戶出貨HBM4樣品
HBM客戶群擴張與市占展望 HBM客戶群已擴展至6家，公司與幾乎所有客戶就2026日曆年絕大部分HBM3E供應簽訂定價協議。重要的是，美光的HBM市占率預期在2025年日曆年Q3與整體DRAM市占率相當，達成了數個季度以來設定的目標。
對於HBM4，管理層表示：「我們正與客戶積極討論HBM4的規格和數量，預計在未來幾個月內完成協議，售完我們2026日曆年剩餘的HBM總供應量。」在2026年全年，公司預期HBM市占率將高於2025日曆年水準。
HBM4E客製化策略 美光將為HBM4E提供標準產品以及客製化base logic die的選項，與台積電合作製造標準和客製化產品的HBM4E base logic die。客製化需要與客戶密切合作，預期客製化base logic die的HBM4E將帶來高於標準HBM4E的毛利率。
核心資料中心事業部（CDBU）：穩健成長
- Q3營收：15.8億美元，季增3%，佔總營收14%
- 毛利率41%，季增4個百分點，營運利潤率25%
- 全年營收：72.3億美元，年增45%
CDBU業務主要受惠於資料中心對傳統DRAM和SSD的強勁需求，以及公司在定價執行和產品組合優化方面的成功。
行動與客戶端事業部（MCBU）：全面復甦
- Q3營收：37.6億美元，季增16%，年增25%，佔總營收33%
- 毛利率36%，季增12個百分點，營運利潤率29%
- 全年營收：118.6億美元，與去年基本持平
PC市場復甦加速 受惠於Windows 10終止支援和AI PC普及，美光將PC出貨量成長預期從低個位數百分比上調至中個位數百分比。公司在Q3成功完成首個OEM客戶對16Gb 1γ-based DDR5的認證並開始大量出貨，在NAND方面也成功讓首批G9 NAND SSD通過OEM客戶在效能和主流類別的認證。
智慧型手機AI驅動升級 智慧型手機市場預期維持低個位數百分比成長，但AI就緒智慧型手機比例持續增加成為DRAM內容成長的關鍵催化劑。Q2出貨的旗艦智慧型手機中，三分之一配備12GB或更大容量，隨著蘋果、三星等廠商新產品發布，這一比例預期將持續提升。
行動LPDDR5X技術領先 公司在Q3完成首批10.7 Gbps 1β第二代LP5X產品的OEM認證，容量達16GB和24GB，展現在行動DRAM市場的技術領導地位。
汽車與嵌入式事業部（AEBU）：高價值成長
- Q3營收：14.3億美元，季增27%，年增17%，佔總營收13%
- 毛利率31%，季增5.4個百分點，營運利潤率20%
- 全年營收：47.5億美元，年增3%
市場驅動因素 ADAS和AI增強型車載體驗等趨勢要求顯著更高的記憶體和儲存容量，使汽車成為行業較高成長的部分。在嵌入式領域，實體AI如無人機、先進機器人和AR/VR預期將成為需求的重要驅動力。
產品組合升級 公司在此業務看到改善的獲利能力，定價走強，先進技術節點比例增加，DDR5和LPDDR5產品採用率提升。同時，公司持續看到DDR4和LPDDR4供應限制，6月宣布在維吉尼亞州設施投資，以支援長生命週期客戶對DDR4和LPDDR4的需求。
產品技術組合分析
DRAM業務：AI驅動的強勁成長
DRAM營收：89.8億美元，季增27%，年增69%。佔總營收比重79%，位元出貨量季增低雙位數百分比。平均售價季增低雙位数百分比。
NAND業務：策略性轉型與聚焦
NAND營收：22.5億美元，季增5%，佔總營收20%。位元出貨量季減中個位數百分比，平均售價季增高個位數百分比。全年NAND營收：85億美元，年增18%，佔總營收23%
策略性退出手機管理型NAND 商務長Sumit Sadana在電話會議中詳細說明了公司的策略調整：「我們決定退出手機端管理型NAND產品開發，將資源集中在投資報酬率更高的機會。手機NAND市場的定價預期和競爭程度，無法支撐長期穩健的投資報酬率。」
CFO Mark Murphy補充：「我們已完成NAND業務連續第二年正現金流。」
記憶體市場展望與供需分析
產業供需動態重大轉變
需求面強勁成長 美光上調了2025曆年的產業需求預期：行業DRAM位元需求成長：高十位數百分比範圍（較先前展望上調）。行業NAND位元需求成長：低至中十位數百分比範圍（較先前展望上調）
資料中心伺服器需求大幅上調 管理層將2025曆年總伺服器出貨量成長預期從中個位數百分比大幅上調至約10%：傳統伺服器成長展望從持平上調至中個位數百分比成長。AI伺服器成長持續非常強勁。驅動因素包括AI agnet 成長及其啟動的傳統伺服器工作負載
Sadana在電話會議中解釋：「我們相信這一變化部分與AI agent成長以及agent啟動的傳統伺服器工作負載相關，因為它們代表使用者執行任務。企業傳統伺服器應用的持續成長也對額外需求成長有貢獻。」
供應端結構性限制因素
DRAM供應緊張加劇 管理層預期2026曆年DRAM供應將進一步緊張，主要限制因素包括：供應商庫存水準偏低、受限的節點遷移（因行業支援延長的DDR4和LPDDR4生命週期）、新晶圓產能的更長交期和更高成本、HBM矽晶圓密度需求持續快速成長
NAND市場條件改善 「NAND產業狀況正在改善並趨於緊張，但DRAM目前已經處於緊張狀態且未來會更加緊張，」Sadana在電話會議中明確表示。大型超大規模廠商因HDD市場短缺而需要顯著更多儲存能力，預期將推動2026曆年伺服器和資料中心NAND SSD部署增加。
AI市場長期展望與記憶體需求演化
AI推論市場的記憶體綁定特性 商務長Sadana在電話會議中深入分析了AI市場的長期演化趨勢：「隨著AI市場持續成長和發展，將會出現許多不同的使用案例和工作負載，需要優化的架構來支援。AI市場未來將變得非常龐大，且不會是一體適用的解決方案。」
他特別強調了推論工作負載的特性：「許多AI推論工作負載往往是記憶體綁定的工作負載。隨著推論成為AI市場越來越大的部分，長期來看可能會佔到AI市場的80%，其記憶體綁定特性意味著客戶將尋求不同的架構來增加記憶體容量和記憶體頻寬。」
多元化AI架構記憶體策略 面對NVIDIA最近推出使用GDDR7而非HBM記憶體的CPX GPU架構，Sadana表示這代表AI市場的自然演化：「這只是朝向優化方向的另一步。AI市場將需要針對不同延遲要求、首次token時間等不同KPI優化的各種解決方案。」
美光的策略是確保在HBM、GDDR7、LPDRAM等各項技術中都具備業界領先能力：「我們的意圖是在客戶將推動的不斷演化架構的豐富前沿中，創造這些高價值解決方案。」
各終端市場AI驅動需求分析
智慧型手機AI記憶體容量躍升 在行動市場，AI ready 智慧型手機的增加比例持續成為DRAM內容成長的關鍵催化劑。2025年日曆年Q2出貨的旗艦智慧型手機中，三分之一配備12GB或更大容量。隨著蘋果、三星和其他智慧型手機OEM廠商的最新產品發布，預期這一比例將在未來幾季持續提升。
PC市場AI驅動升級週期 PC市場的復甦主要受到Windows 10生命週期結束和AI PC更廣泛採用的推動。美光將PC出貨量成長預期從低個位數百分比上調至中個位數百分比，反映AI功能對PC記憶體規格的提升需求。
製造營運與資本支出策略
180億美元資本支出計劃
大幅增加投資規模 CFO Mark Murphy在電話會議中確認，2026財年資本支出將從2025年的138億美元大幅增加至約180億美元，「絕大部分用於DRAM建設和設備。」這一重大投資反映了管理層對長期需求成長的強烈信心。
Q4資本支出指引 資本支出預期約45億美元，Murphy表示：「儘管季度支出可能會有所波動，這一水準可作為2026財年計劃資本支出的合理季度基線。」
全球製造布局擴張
美國本土製造里程碑
愛達荷州新高產量製造廠（ID1）：獲得CHIPS法案補助撥付，完成關鍵建設里程碑，預計2027年下半年開始首片晶圓產出。第二座愛達荷製造廠（ID2）：已開始設計工作，將在2028年後提供額外產能
紐約州計劃：完成環境影響評估初期階段，持續與州政府和聯邦政府合作準備動工
國際產能優化
- 日本廠區：安裝首部EUV設備支援1γ產能，從接收設備到完成安裝創下全球EUV設備新紀錄
- 台灣廠區：現有1γ供應的補充基地
- 新加坡HBM封測設施：建設進展順利，預計2027年開始為HBM供應能力做出貢獻
技術轉換與產能配置
1γ DRAM技術轉換 「我們持續的技術節點遷移至1γ將提供2026曆年DRAM供應成長的大部分，」管理層表示。隨著更多產品轉換至1γ，1β產能將支援2026年HBM成長。
HBM產能擴張 公司持續進行HBM封裝測試投資，為滿足2026曆年HBM產能需求做好準備。新加坡HBM封裝測試設施預計2027年開始貢獻HBM供應能力。
AI技術內化與營運效率
AI驅動生產力躍升
美光不僅受惠於AI需求，更積極將AI技術應用於內部營運。在特定GenAI應用案例（如程式碼生成）中，生產力提升達30-40%。在設計模擬方面，AI透過先進建模和減少迭代次數，加速從矽晶圓到系統的設計週期。
製造智慧化成效
在製造領域，AI應用成效顯著：過去一年晶圓影像分析量成長5倍。從製造設備收集和分析的有用資料和遙測數據量倍增，這些改善都有助於提升良率表現。
執行長Mehrotra強調：「這些AI能力使我們能夠大規模實現卓越的產品規格、品質和上市時間。」
長期供應協議與客戶關係
面對供需緊張的市場環境，管理層透露正在與客戶討論長期供應協議的可能性。Sadana在電話會議中表示：「確實有這類協議的興趣，我們過去曾嘗試過不同類型的長期協議並在一些想法上有所創新。」
管理層在長期協議方面保持謹慎態度，主要考量因素包括：美國製造產能即將上線、潛在關稅和332條款半導體關稅的變化、定價策略和客戶價值創造方式的演變、資料中心占比持續增加的結構性轉變。
風險因素與挑戰
營運執行風險
巨額資本支出壓力 2026年180億美元的資本支出規模前所未有，對公司現金流管理和資產報酬率構成考驗。雖然管理層展現信心，但大規模技術轉換和新廠建設的執行風險不可忽視。
技術轉換複雜性 1γ DRAM大規模量產和良率持續提升、G9 NAND產能爬坡，以及HBM4產品商業化都面臨技術執行的挑戰。
市場競爭與週期性
記憶體週期風險 儘管當前供需環境有利，但記憶體行業的週期性特質歷來明顯。管理層雖然強調結構性供應限制，但市場週期轉換的風險依然存在。
競爭壓力加劇 HBM市場競爭激烈，Sadana雖然表示「大部分市占率變化可能發生在我們兩個競爭對手之間」，但技術領先地位需要持續投資維護。
地緣政治不確定性
管理層在業績指引中明確提及：「潛在新關稅的任何影響都未包含在我們的指引中。」這反映了貿易政策變化對業務的潛在影響，特別是在公司積極推進美國本土製造的背景下。
結論：AI記憶體超級週期
在AI革命的推動下，公司不僅實現了財務表現的歷史性突破，更重要的是完成了業務結構的根本性優化。從退出低毛利的手機管理型NAND到聚焦高價值的資料中心市場，從技術領先的HBM產品到先進的1γ DRAM製程，美光正在構建面向未來的競爭優勢。
180億美元的資本支出計劃體現了管理層對長期機會的堅定信心，而美國本土製造的戰略布局也符合地緣政治的發展趨勢。儘管面臨資本支出壓力、技術執行風險和市場週期性等挑戰，但美光當前的基本面表現和前瞻指引都顯示公司正處於記憶體超級週期的有利位置。
