如果只看中方媒體(或中國官方宣傳),會感覺中國半導體設備與製程幾乎「一夜登頂」,台灣半導體的領先優勢似乎很容易就被追過去.
但把中國式宣傳和真實技術能力分開看,就會發現這些報導很多是原型(prototype)、示範、國家資本護航與實驗室折衷作法出來的數據,距離與 ASML EUV 或台積電先進製程真正同場競爭仍有很大的實質差距。
以下把這些差距的關鍵理由、證據與應該關注的指標整理出來,以方便快速判斷這些新聞是「噱頭」還是「實質進展」。為什麼中媒報導的都看起來很牛?
- 宣傳 vs 技術週期:中國官媒會放大「樣機/展示」的意義;但從原型到商業上穩定量產是「歷程多年、反覆調校與供應鏈間來回溝通」的過程。譬如報導的 SMIC 測試中國的 DUV 是重要里程碑,但並沒有說要到量產至少還要多少時間。
- 原型機 ≠ 量產 ≠ 全球競爭力:很多中國廠商能做出可以跑的原型機(Prototype),但要達到可穩定在晶圓廠長期跑、維持穩定良率、到商業化量產,需要的工程驗證遠超過「展示」。
- 政策與資本能「掩蓋」量產問題:來自中國政府、中資企業的大單,可以讓低良率跟不符成本的產品在市場上作為宣傳標的,但這並不等同於產品有價格與性能競爭力。
先進製程半導體及設備,真正的技術瓶頸在哪
以半導體設備 EUV 為例:
- 光源與光學:EUV 涉及極短波長光源、超精密光學鏡面與極高潔淨度控制,整個供應鏈高度集中於 ASML 及其上下游供應商。中國到仍無可替代的 EUV 及零件取得管道,國產化難度極高。
- 關鍵零組件與材料:高功率光源、極精密鏡片、核心控制軟體、光阻(resist)、mask 技術與高精度對位(alignment)等很多仍依賴進口或外部技術。
- 成本與良率的代價:中媒多次報導都是用 DUV + 多重圖案化可以「磨出」7nm 或甚至 5nm ,但代價是製程步驟倍增、良率下降、成本飆高,的確做得出來 7nm/5nm 但不具備市場競爭力.
中國現況速覽
- SMEE(上海微電子裝備)與少數有歷史的國產設備商,在成熟製程已有商業化產品與量產經驗
- 新創(如金融時報報導的 Yuliangsheng 或是 SiCarrier)則更多呈現「原型+示範+未來量產規劃」的狀態,這些半導體設備新創背後有國家資本或是與華為關係匪淺.
那麼,中國到底進步了多少?
- 半導體的戰術進步明顯:短期內(1–3年),透過大量資本、工程師逆向/整合、以及用多重圖案化 + 先進封裝等方法,中國可以在某些應用(AI 加速器、通訊 SoC 等)做出一些東西。
- 戰略缺口仍然存在:在真正影響長期競爭優勢的幾個核心技術(EUV、超精密光學、核心材料與高端維修服務網絡)上差距仍大,短期難以趕上。
- 國際研究機構與智庫、以及 ASML 高層都認為美國針對性的出口管制有效地延緩了中國在這領域的追趕。
- 目前最有影響力的部分還是在成熟製程部分取的可觀的生產規模,並以極具市場殺傷力的價格在提升市占.
總結來講:
- 看的到底是「展示(prototype)/試產(trial)/量產(mass production)」,三者差別很大,中國官媒通常報 prototype,很少拿出量產良率數據。
- 查是否提到「關鍵零件國產化比例」,如果還有外購零件,表示仍受外部供應鏈制約。
- 注意「誰買單」:是市場力量驅動的採購,還是中國政府或中資企業大單在支撐。
- 是否有公開的量產良率數據。
看時間線:prototype → 內部試產 → 小批量量產 → 全面量產,至少要多年;若新聞在短時間內覆蓋很多階段,那可以保持懷疑觀察一陣子,或問問同業。
中方確實在設備自研上取得可觀「進度」(原型、試產、資金與政策動員),但這些進度多半是戰術性、受政策與國家資本驅動的成果.
和台灣現在是全靠市場的力量的長期積累相比,兩者仍有本質差距.
所以會感覺「中媒報導看起來的半導體技術進展都很驚人,但怎麼過一陣子卻又無聲無息或又報導很類似的東西」.
中國半導體目前最有影響力的部分,還是在成熟製程部分有可觀的生產規模,並以極具市場殺傷力的價格在搶奪客戶.