全球 DRAM 與 NAND Flash 記憶體產業深度研究報告

前言與產業概況

全球半導體記憶體產業主要由 DRAM（動態隨機存取記憶體）與 NAND Flash（快閃記憶體）兩大類組成。這兩類記憶體自 20 世紀中期發展以來，在技術演進和市場結構上經歷了劇烈變遷，現今已成為半導體產業中舉足輕重的板塊。記憶體廣泛應用於各類電子產品，從手機、個人電腦、伺服器到汽車電子，幾乎所有裝置都需要 DRAM 或 NAND Flash 的支援。

產業發展歷史沿革

記憶體產業歷經了幾個主要階段的競爭與洗牌。早期 DRAM 由美國企業在 1970 年代率先商業化，但1980年代日本廠商透過更高的製造良率和效率取得優勢，到1980年代中期日本公司（如 NEC、東芝、日立等）一度控制全球約 80% DRAM 市場。這導致美國廠商大量退出記憶體領域（例如 Intel 在1985年決策退出 DRAM 業務，轉向處理器發展）。1990年代南韓崛起，三星電子與現稱 SK 海力士的現代電子在政府支持下大舉投資記憶體晶圓廠，以低成本擴大量產，逐漸從日本手中奪回市佔。同時期 1987 年東芝工程師舛岡富士雄發明了 NAND Flash，進入1990年代後期三星與東芝開始生產初期的 NAND 晶片。

2008–2009年金融危機再次造成整併：德國英飛凌拆分的奇夢達（Qimonda）在2009年破產，DRAM 業者減至三星、海力士、美光、爾必達四強。2010年代初的市場低潮（2011年 DRAM 價格崩跌）引發最後的併購浪潮：2012年 SK電信收購了重整後的海力士，使之成為 SK 集團一員；2013年美光收購破產的爾必達，並買下力晶與爾必達合資的瑞晶，DRAM 正式形成三星、SK 海力士、美光三大廠寡占的局面，三者合計佔據約 90–95%的 DRAM 市場。NAND Flash 方面則在2010年代中後期迎來3D NAND 技術革命：各廠放棄平面微縮轉向垂直堆疊，從最初24層一路推進至96層、200多層，大幅提升了單位晶片的儲存密度，到2010年代末期幾乎全面以 3D 結構取代傳統 2D NAND。

進入2020年代，記憶體產業面臨新的動能與挑戰。一方面，中國投入巨資培育本土記憶體企業，出現長江存儲（YMTC）與長鑫存儲（CXMT）等新競爭者，但在技術上仍略落後於三星、美光等領導廠。另一方面，AI 與高效能運算（HPC）的興起帶動高頻寬記憶體 (HBM) 等新型態記憶體需求暴增。記憶體產業週期循環的特性依舊明顯：繼 2017–2018 年超級景氣循環後，2019 年需求轉弱導致價格驟跌，而2022 年再度出現嚴重下滑；所幸 2023 年下半年起在供給調節和新需求帶動下又逐漸復甦，延續了產業大起大落的週期性。整體而言，當前全球記憶體產業已高度集中於少數巨頭手中，屬於資本與技術密集的寡占市場，具有週期性波動大但長期需求持續成長的特徵。

DRAM 與 NAND Flash：技術原理、應用場景與差異

DRAM 與 NAND Flash 雖同屬記憶體，但在技術原理、特性與應用方面有根本差異。DRAM（Dynamic RAM）利用電容儲存電荷表示位元資訊，每個記憶單元由一個電晶體和一個電容構成，需要不斷重新充電（刷新）以維持資料，故屬揮發性記憶體。其優點是讀寫速度極快（存取延遲與頻寬表現佳），適合作為運行記憶體，例如電腦和行動裝置的主記憶體，用來暫存 CPU/GPU 執行時所需的資料。由於 DRAM 斷電後資料隨即消失，通常不拿來做長期資料保存。

相比之下，NAND Flash 使用浮動閘極或電荷捕獲(trap)電晶體來儲存位元資訊，透過在晶體管閘極氧化層困住電荷來表示0或1，斷電後資料仍可保存，屬於非揮發性記憶體。NAND 的特點是單位容量成本低且資料可長期保存，非常適合用作大容量儲存裝置，例如固態硬碟（SSD）、記憶卡、USB隨身碟和手機內部儲存等。然而，NAND Flash 的寫入速度和隨機存取性能較 DRAM 慢，且存在擦寫壽命限制（每個儲存單元可擦寫次數有限）。為克服速度差異，NAND 通常搭配 SRAM/DRAM 緩存和高效能控制器以提升整體效能。兩者的應用場景明顯不同：DRAM 多用於需要高速即時存取的工作記憶體，而 NAND Flash 則用於需要掉電後仍保存資料的儲存裝置。在實際系統中，兩者常相互搭配（例如電腦中同時有 DRAM 作記憶體和 SSD 作儲存），各司其職。

下表簡要比較 DRAM 與 NAND Flash 的特性：

• 結構原理：DRAM 為 1T1C（一電晶體一電容）單元，需要定期充電刷新；NAND Flash 為 浮動閘極/電荷捕陷單元，透過改變電晶體閘極電荷狀態保存資料。
• 是否揮發：DRAM 屬揮發性，斷電資料即失；NAND 屬非揮發性，可長期保存資料semiconductors.org。
• 速度：DRAM 讀寫延遲極低、帶寬高，適合充當處理器工作記憶；NAND 讀寫速度較慢（尤其寫入慢且需要區塊擦除），通常用作大量資料長期存放。
• 單位成本：DRAM 製造工藝要求高（先進製程平面微縮），每位元成本一般高於 NAND；NAND 可透過多層儲存（TLC/QLC）和3D堆疊降低每位元成本，因此每GB價格遠低於 DRAM。
• 應用：DRAM 用於 PC、伺服器、智慧手機等的系統記憶體，要求高頻寬與低延遲；NAND Flash 用於 SSD、記憶卡、UFS 等存儲裝置，強調大容量與非揮發性，以保存作業系統、照片影片等資料。

兩者互補共存，共同構成現代計算系統不可或缺的記憶體系統。在一部智慧手機或電腦中，DRAM 負責管理執行中的資料（例如開啟的應用程式資料），需要持續供電維持；NAND Flash 則長期儲存作業系統、檔案等內容，哪怕裝置關機資料也不會流失。總而言之，DRAM 提供速度，NAND 提供容量，兩者在不同應用場景中發揮關鍵作用。

全球市場規模、區域版圖與成長趨勢

全球市場規模

記憶體市場隨著供需變化呈週期性波動，但長期趨勢仍是不斷成長。在 2017–2018 年全球記憶體產業曾因需求旺盛導致價格飆漲，年度營收創下新高；2019 年則受供過於求影響出現歷史性衰退。最近一個高峰在 2021–2022 年：2022 年全球記憶體市場規模約為 1,101.6 億美元。不過 2022 下半年開始需求轉弱、通膨及庫存調整等因素導致價格下滑，2023 年市場規模暫時縮減。根據研調機構預測，隨著供需重回平衡與新需求湧現，2024 年起記憶體產業將重回成長軌道：2024 年 DRAM 及 NAND Flash 營收可望分別達 907 億美元和 662 億美元，年增率高達 75% 和 77%，雙雙刷新歷史紀錄。到了 2025 年，記憶體市場將持續擴大，預估 DRAM 營收進一步增長 51% 至 1,365 億美元，NAND 營收增長 29% 至 786 億美元，雙雙再創新高。如此推算，2025 年全球記憶體產值將逼近 2,150 億美元規模，顯示在 AI、5G、資料中心等需求帶動下，產業正進入新一輪成長週期。

主要國家與地區的市場版圖

記憶體製造版圖高度集中於東亞與美國等少數國家。南韓在記憶體供應鏈中居於主導地位，擁有三星電子、SK 海力士兩大龍頭廠，南韓企業在 2022 年占全球記憶體供應份額為最高。日本則擁有 Kioxia（鎧俠，原東芝記憶體）這一 NAND 重要供應商，此外日本在上游材料設備方面也具強勢地位，因此被視為第二大記憶體版圖。中國近年來在政府大力支持下興起本土記憶體產業（如長江存儲、長鑫存儲），中國佔全球供應的份額正以最高複合成長率提升。然而截至 2022 年，中國記憶體企業的全球市占仍相對有限，更多依賴從韓、美、日進口，但中國市場本身是全球最大的記憶體消費地之一。台灣在記憶體產業鏈中扮演中堅角色，擁有南亞科、華邦電、旺宏等廠商，以及強大的晶圓代工與封測支援能力。台灣廠商雖在全球市場份額不大，但在利基型記憶體領域具影響力。此外台灣也是全球半導體生產要地，其政治安全對記憶體供應鏈有舉足輕重的影響。美國目前僅存美光科技一家主要記憶體製造商，但美國在記憶體研發、設備供應及終端市場上仍具重要地位。整體而言，南韓、日、美三國企業仍控制絕大部分記憶體市場供給，而中國與台灣則致力提升自給比例及特殊領域競爭力。

區域市佔與轉變趨勢

從企業角度看，目前DRAM市場由三星（南韓）、SK海力士（南韓）和美光（美國）三大廠壟斷約95%以上份額；NAND Flash市場則由三星、Kioxia(日本)/WD(美國聯盟)、SK海力士（併入Intel NAND後）和美光五強寡占。以 2024年第二季 NAND 營收市佔為例：三星約 36.9% 居首，SK集團（SK Hynix + 美光取得的 Intel NAND 業務）合計 22.1% 排名第二，接續為鎧俠 13.8%、美光 11.8%、西部數據 10.5%。五大廠總計佔有接近100%市佔率，NAND 產業只差一次併購就能達到類似 DRAM 的高度集中格局nomadsemi.com。地區方面，南韓廠商（三星+SK）在 DRAM 市場合計份額超過七成，NAND 市場也接近五成，穩居全球記憶體供應第一強國。日本以鎧俠為首約占一成多份額，加上上游材料供應的影響力，在記憶體生態中排名第二。美國的美光約占一成左右，為僅存的大型美系廠。台灣與中國雖然目前單一廠商市佔不高，但若以生產基地計，三星、西部數據等部分產能位於中國，台灣也為美光等公司代工部分產品，因此兩岸在供應鏈中角色不容忽視。

成長動能

長期來看，多項趨勢將持續推升記憶體需求：

(1) 雲端運算與資料中心蓬勃發展，帶動伺服器對大量 DRAM 和高速存儲的需求；(2) 5G 行動裝置與物聯網的普及，使行動 DRAM 及儲存用 NAND 容量不斷提升；(3) 人工智慧（AI）與機器學習興起，訓練和推理過程需要高頻寬、大容量的記憶體（如 HBM、DDR5），進一步擴大高端記憶體市場；(4) 汽車電子、智慧家電等新興應用也增加了嵌入式記憶體與儲存的需求。根據研調機構預估，在諸多動能帶動下，2023–2028 年全球記憶體市場複合年增長率將達約 19.5%，遠高於整體半導體平均成長率。儘管短期可能因景氣循環出現起伏（例如 2023 年因終端需求疲弱而下滑），但長線看記憶體市場仍具高度成長性。各大廠也普遍預期未來每年 DRAM 位元需求增幅在 15–20% 之間，NAND 位元需求增幅在 30% 左右，反映終端裝置對記憶體容量提升的剛性需求。整體而言，全球記憶體產業正朝新階段邁進，同時維持由少數領導廠商主導的格局。

產業鏈結構與關鍵零組件／材料／製程

上游產業鏈

記憶體晶片的生產依賴龐大的上游供應鏈支援，包括原材料、設備、以及IC設計和製程技術等。關鍵材料方面，製造記憶體所需的高純度矽晶圓（主流為 12 吋晶圓）、光阻液、蝕刻氣體、化學機械研磨液等，由日本、台灣、美國等專業廠商供應。特別是尖端製程用的EUV 光阻劑、高介電常數介電材料（DRAM 電容絕緣層）等屬於戰略物資，一度因地緣政治受到出口管制（如 2019 年日本限制對韓出口光阻與蝕刻用氟化氫，牽動DRAM生產）。

生產設備方面，記憶體晶圓廠高度依賴少數設備巨頭提供的先進製造機台，例如荷蘭 ASML 的極紫外光刻機（EUV）對最新DRAM節點不可或缺，美日的應用材料、東京威力科創 (TEL)、Lam Research 等則供應蝕刻、鍍膜、量測設備。由於EUV 微影技術已開始導入前沿 DRAM 製程（如三星在 2023 年宣稱率先以 3nm 等級製程量產DRAM），這使上游設備供應的技術能力成為各國角力焦點。簡言之，上游環節為記憶體產業提供「利刃與原料」，其供應穩定性直接關係到晶片生產的順利與否。

中游產業鏈

中游是記憶體晶片的設計與製造，主要由各大記憶體IDM廠（垂直整合元件製造商）主導。記憶體晶片設計相對邏輯IC而言架構較固定，但要在有限尺寸內不斷提升容量和速度，需要頂尖的電路設計和錯誤校正技術。各大廠多自行研發設計 DRAM/NAND 架構，少部分特殊應用（如嵌入式記憶體）會採用第三方矽智財。

在晶圓製造方面，DRAM 與 NAND 採用不同製程路線：DRAM 製程側重於微縮平面線寬，目前量產節點已進入10奈米級別（業界稱為1α、1β世代），需要多重圖案化甚至 EUV 微影來刻劃極小的電晶體和電容。三星、美光等均投入 EUV 來製造最先進 DRAM，以減少光罩次數並提高良率。

NAND 製程則側重於垂直堆疊高度，透過3D 堆疊在晶片內垂直堆積超過 200 層記憶單元，關鍵技術是在深沟孔蝕刻、薄膜沉積上克服高深寬比挑戰。鎧俠/西數、三星等已研發超過 200 層的 3D NAND（例如三星第八代 V-NAND 236 層），未來正邁向300層以上。NAND 製造還大量運用多位元儲存技術，一個單元可存 3 位元（TLC）甚至 4 位元（QLC），用以提升單位面積容量。由於採用堆疊工藝，NAND 製造所需光罩層數雖低於 DRAM，但蝕刻和沉積步驟更多，製程控制複雜度高。

下游產業鏈

下游包含封裝測試、模組組裝與終端應用等環節。晶圓完成製造後需經切割、封裝及測試（稱為封測），記憶體封裝形式多為傳統的 BGA（球柵陣列）或倒裝晶片封裝，有些高階產品採用多晶粒堆疊（如 HBM 利用 TSV 矽穿孔將多顆DRAM堆疊）技術。台灣、中國大陸是主要的記憶體封測基地，一些IDM廠自行封測，大量中低階產品也委託專業封測廠完成。封裝後的 DRAM 晶片常被組裝到記憶體模組（如 PC 的 DIMM 模組）上銷售，此環節由模組廠商負責，例如 Kingston（金士頓）、威剛等為全球知名的第三方模組供應商。根據統計，2024年全球前五大記憶體模組廠（包含金士頓等）合計佔據超過80%市佔率，模組市場規模約 133 億美元。對於 NAND Flash，下游則包括控制晶片與終端產品整合：例如 SSD 需要主控晶片（由群聯、慧榮等控制IC公司提供）搭配 NAND 顆粒才能構成完整儲存裝置。下游客戶涵蓋廣泛，從系統廠（伺服器、PC、智慧手機製造商）到零售市場，都直接影響記憶體需求走向。

關鍵零組件與流程：在記憶體產品與生產中，有幾項關鍵值得強調：

• 控制器與韌體：特別對 NAND Flash 而言，主控IC和錯誤校正碼（ECC）演算法是產品性能與可靠度的關鍵。高端 SSD 透過先進主控實現穿透 NAND 本身限制的高速、耐用特性，也是下游價值的重要來源。
• 先進封裝技術：如 HBM 的 2.5D/3D 封裝，將多顆DRAM晶粒透過 TSV 疊成堆疊並置於硅中介層上，提高頻寬且降低延遲，這種先進封裝成為 AI 晶片高頻寬記憶體的核心技術。
• 製程創新：材料方面，引入高-k 材料提升 DRAM 電容容量、使用新型閘極堆疊提升 NAND 質量；製程方面，EUV 微影在 DRAM 應用、CMOS 圖像感測器 (CIS) 製程融合等都是記憶體廠在研發的尖端領域。
• 上中下游聯動：當前記憶體市場旺盛時將帶動矽晶圓、化學品等上游原料需求飆升；反之在低潮期，上游材料價格和出貨也受連帶影響。因此記憶體廠的產能調配會直接牽動整個供應鏈的景氣起伏。

供需趨勢分析：產業週期與展望

供需週期性特徵

記憶體產業呈現週期性，主要原因在於產能擴張與需求波動之間常出現錯配。典型的週期包含：需求大增（通常受新應用或經濟景氣帶動）→ 供應一時趕不上造成價格上漲、廠商大賺 → 廠商積極擴產、供過於求 → 價格暴跌、廠商虧損減產 → 庫存出清、供需再平衡、價格觸底反彈。每個循環約 2–4 年不等。過去幾次顯著的循環包括：2017–2018 超級循環（資料中心和手機記憶體需求旺，價格飆漲），2019 年供過於求（需求趨緩導致歷史性下滑）；2021 年疫情帶動居家需求再創高峰，而2022 年又因終端市場轉弱與庫存累積陷入低潮。這些循環中，記憶體均呈現價格大起大落：例如 2018 年DRAM合約價曾達歷史高點，2019年則一度暴跌逾五成；2022 年下半年 DRAM 與 NAND 現貨價也都出現腰斬式下跌，充分體現供需循環的劇烈程度。

2023–2024 年供需動態

2023 年被視為本輪週期的谷底，受 PC 和智慧型手機市場低迷、終端客戶去庫存影響，記憶體廠商在上半年普遍面臨營收衰退和巨額虧損。不過，自 2023 年下半年起供需局勢開始出現轉折。一方面，大廠積極減產限供：如美光自 2022 年末起削減約 20% 位元產出、SK 海力士和三星電子也陸續調降晶圓投入量，上游供給增速大幅放緩。另一方面，伺服器及 AI 應用需求強勁復甦：特別是生成式 AI 熱潮推升雲端業者建置 AI 伺服器，這類伺服器通常配備超高容量記憶體和多組 HBM，直接帶動高階記憶體出貨攀升。此外，新一代 CPU 平台（如 Intel Sapphire Rapids）廣泛採用 DDR5，也在 2023 年啟動了資料中心記憶體升級換代潮，使得原本疲弱的伺服器記憶體需求重拾動能。

供需變化

價格在 2023 年第四季觸底後反彈，產業營收快速回升。根據 TrendForce 的分析，2024 年 DRAM 均價大漲約53%，價格回升成為推動產業營收重返成長的最大動力。造成此次供需迅速反轉的因素有四點：一是 HBM 等高附加值記憶體崛起，帶動位元需求並拉抬平均單價；二是 一般型 DRAM 產品世代升級（如 DDR5 取代 DDR4）提高了單位容量售價；三是 原廠大幅縮減資本支出抑制了產出增長；四是 伺服器需求回暖。

2025–2026 年記憶體產業供需動態：從極度緊缺邁向高檔盤整

各大廠在 2023 年紛紛宣佈延後擴產計畫或減少設備採購，以控制 2024 年實際產出增幅低於需求增幅。例如三星在低潮期選擇減少投片並推遲新廠產能開出時程；SK 海力士 2023 年資本支出砍半，1y/1α 新節點亦放慢導入；美光同樣把部分產能轉為研發用途暫不生產。這種供給自律使得2024 年供需緊平衡，甚至局部短缺（特別是 HBM 類產品嚴重供不應求）。

進入 2025-2026 年，產業將從極度緊缺階段（Shortage）逐步邁向 高檔盤整與緊平衡 的中後期上行週期。此階段的動能主要來自 AI 伺服器需求的持續主導、終端市場的規格升級，以及供應端從理性克制轉向產能優化與逐步釋放。

供給面：理性克制轉向產能優化與擴張

在經歷 2024 年的高利潤後，記憶體大廠將在 2025 年下半年至 2026 年 逐步放緩嚴格的資本支出限制。然而，供給策略仍聚焦於產品組合的優化。各廠將優先把產能從舊節點（如 DDR4）轉移至高價值產品線，尤其是 DDR5 和 HBM。雖然 HBM 的供不應求狀況在 2025 年仍會持續，成為拉抬平均單價（ASP）的主因，但隨著新廠房產能的開出、製程良率的提升，特別是 HBM3e/HBM4 相關產能的釋放，預計 2026 年 HBM 的供需緊張情況將獲得實質性緩解。此外，新一代 1γ/1δ nm 級 DRAM 和更高層數 NAND Flash 技術的成熟，將有效提高位元產出增幅，預計將在 2026 年對市場總供給量產生更顯著的貢獻。

需需求面：AI與終端換機潮共推增長

2024–2025 年的需求亮點除了 AI 伺服器外，終端升級周期也是一大動力。PC 和智慧手機市場在 2022–2023 年低迷後，2024 年預期緩步復甦，加上新品導入較大容量記憶體（如高端手機從8GB提升到12GB RAM，PC 平臺全面轉向 DDR5），單位裝置的記憶體含量持續提升。

2025-2026 年 的需求增長呈現雙引擎驅動。首先，AI 伺服器 仍是核心增長動力，隨著生成式 AI 應用深入各行各業，雲端服務業者對 AI 基礎設施的建置需求持續旺盛，帶動高容量 DDR5 和 HBM 的強勁需求。其次，終端市場迎來換機與規格升級週期。PC 市場將進入 AI PC 換機潮，帶動 DDR5 滲透率全面提升，並推升單位裝置的記憶體容量需求。智慧型手機市場則聚焦於儲存容量的飛躍，主要透過在中高階機型中逐步採用更具成本效益的 QLC UFS，預計 2026 年 QLC 在 NAND 出貨位元的佔比將進一步擴大，以滿足日益增長的數據儲存需求和 on-device AI 對記憶體空間的要求。

階段性供需挑戰:客戶成本壓力與週期性風險

雖然整體趨勢向好，但 2025-2026 年 的高景氣也帶來潛在的挑戰。記憶體價格在 2024 年的大幅反彈後，持續的高價將使得下游 OEM 廠商 面臨巨大的成本壓力。筆電、智慧型手機等製造商若無法完全將高昂的記憶體成本轉嫁給消費者，可能導致其利潤空間受擠壓，進而可能採取 減少規格提升 或 拉長產品換機週期 的保守策略。此外，儘管原廠展現理性，但隨著 2026 年底至 2027 年新產能的累積性釋放，一旦終端需求增長速度不及供給位元產出的增長，產業仍將面臨週期性供需失衡的風險。因此，2025-2026 年將是決定本輪上行週期長度的關鍵階段。

價格趨勢與未來預測

記憶體價格（特別是合約均價 ASP）向來是反映供需狀況的敏感指標。歷史價格趨勢：DRAM 和 NAND Flash 過去幾十年總體價格呈下降走勢（每位元成本隨技術進步而下降），但短期內價格會隨週期大幅波動。在供不應求時，DRAM 價格可在幾季內翻倍；供過於求時，價格亦可能在短時間內腰斬。以近期為例，2022 年下半年記憶體市場急轉直下，DRAM 合約價單季跌幅一度超過 15%，現貨價更慘跌 40%以上，NAND Flash 價格也連續六個季度下滑，2022 年底較年中高點幾乎減半。進入 2023 年，價格探底後趨穩，第四季開始反彈。隨著本輪景氣回升，2024 年價格漲勢明顯：研調機構預估 2024 年 DRAM 平均售價將上漲約 53%，2025 年再上漲約 35%。這種兩年幾乎漲一倍的情形在近十年相當罕見，主要肇因於前述供給收縮與高階需求湧現雙重作用。

從分類別價格來看，漲價浪潮首先體現在高階產品上。例如 HBM 記憶體因嚴重供不應求，現貨價格遠高於成本，據統計每 bit 單價比 DDR5 高出 5–10 倍。2023 年以來 HBM 系列產品多次調升報價，帶動整體 DRAM 均價上揚。伺服器級 DDR5 內存因資料中心備貨積極，合約價在 2024 年連續兩季調漲：TrendForce 指出 2024 年第二季 DRAM 合約價最終上調了 13%–18%；第三季在 PC OEM 和雲端客戶協商結果好於預期下，又調升 8%–13%，比原先預期多出約5個百分點。相較之下，PC用 DDR4 因逐步被 DDR5 取代，價格回升幅度稍小但也停止下跌。NAND Flash 部分，價格在 2023 年底觸底，2024 年開始反彈。企業級 SSD 大單湧現推升 NAND 合約價於 2024 年第一季大漲約 23–28%，第二季續漲約 15%。NAND 現貨價在記憶卡、零售需求帶動下也同步走強。由於 NAND 過去跌幅更深，此次漲勢也相當可觀，2024 年 NAND 整體均價漲幅超過五成。

報價機制與週期

記憶體價格通常分為合約價（大宗採購價）和現貨價（市場即時價）。合約價多以月或季為單位與大客戶談判決定，因此反映市場狀況有些滯後；現貨價則每日波動，對供需變化最為敏感。在市場轉折點時，現貨價往往先行反轉，例如 2023 年初 DRAM 現貨價率先止跌回升，幾個月後合約價才隨之上漲。報價週期上，DRAM 大廠通常每季與 OEM 針對主要產品定價，NAND Flash 則部分採月價機制。當市場趨緊，廠商可能縮短報價周期或採取每月議價，以更快反映漲勢；相反在市場疲弱期，買方會傾向鎖定較長合約期以固定低價。

未來價格走勢預測

展望未來幾季，市場分析普遍預計2025-2026全年記憶體價格呈現上行。進入 2026 年，隨著更多產能開出和需求增速放緩，價格漲幅可能縮小甚至趨於平穩。尤其如果中國存儲器廠商（如長江存儲）能克服制裁增加產出，或三星等在景氣好轉後恢復部分停滯產能，供給端壓力將重新出現。但短期來看，由於2023年嚴重虧損令各廠財務吃緊，他們對擴產投資仍相對保守，因此預計 2025-2026 年價格將處於歷史相對高位。另外值得留意的是，不同產品線走勢可能分化：高階 HBM 及 DDR5 可能供不應求、價格持續強勁，而利基型 NOR Flash、成熟型 DRAM（如 DDR3/DDR4）因需求下滑可能相對平穩。長遠而言，在技術進步下記憶體位元成本會不斷下降，故價格長期趨勢仍是往下；但周期性的供需失衡將反覆影響短中期價格，在產業結構進一步穩定前，劇烈波動恐怕仍是記憶體價格的常態。

技術演進與創新趨勢

記憶體技術持續快速演進，新世代產品和創新技術層出不窮。目前產業關注的重點包括：DDR5 世代的普及、3D NAND 堆疊的提升、以及高頻寬記憶體 (HBM) 等前沿產品的發展。

DDR5 與新一代 DRAM

DDR5 是最新一代的 DDR SDRAM 標準，相較 DDR4 有更高的頻寬（頻率可達 4800–6400Mbps 起跳）、更大的單顆容量（已推出16Gb、24Gb晶粒）以及更佳的能效。DDR5 自 2020 年起開始在伺服器和高端 PC 平台導入，2022 年後逐步普及。伺服器領域是 DDR5 滲透最快的市場之一：TrendForce 統計 2024 年伺服器 DRAM 位元出貨中 DDR5 佔比約 40%，2025 年將提升至 60–65%。行動領域方面，新款手機廣泛採用 LPDDR5/LPDDR5X 記憶體，2024 年其在行動 DRAM 位元出貨佔比達 50%，預計 2025 年升至 60%。DDR5 的全面普及意味著未來幾年 DRAM 平均售價和需求將受惠於產品世代交替。此外，業界也開始研發下一代 DDR6 標準，預計在頻寬、容量上再次翻倍，但 DDR6 投產尚需數年時間，短期仍以 DDR5 為主力。除了主流 DDR，新興的 CXL 記憶體（透過 CXL 匯流排擴充內存）技術也值得關注，它可讓伺服器擴展使用DDR或持久性記憶體作為共享記憶資源，被視為未來數據中心內存架構的創新方向。

3D NAND 創新

NAND Flash 在 2010 年代中期完成由2D平面轉向3D堆疊的革命性轉變。自最初的32層、64層產品問世以來，各家廠商以約每年增加 1.5 倍層數的速度演進，目前主流已達 112–176 層，第八代產品邁向 200 層以上。Samsung、SK Hynix、美光等均宣佈研發超過 232 層甚至 300 層的 NAND 技術。堆疊層數提高帶來容量大增，但同時也面臨製程挑戰：如深孔蝕刻需要在微米級直徑挖出穿越數百層的通道，薄膜沉積需確保每層均勻，良率需維持可接受水準等。

為此，廠商採用創新技術如分段式堆疊（將超高層分幾段製作再接合）、新材料電極等來突破限制。在單元技術上，從 TLC (3-bit) 向 QLC (4-bit) 發展也是趨勢之一。QLC 雖然每單元容量增加33%，但可靠度和寫入壽命下降，過去主要應用於讀取為主的資料中心。隨著控制器 ECC 技術進步，QLC 開始進軍 PC 和手機市場，預計 2024 年 QLC 將佔 NAND 出貨位元的 20%，2025 年進一步提升。

遠期來看，業界甚至研究 PLC (5-bit) NAND，但實用化時間未定。除了堆疊和每單元位元數，NAND 架構也在創新，例如鎧俠/西數的 Twin BiCS 架構、美光的 替代閘極 (Replacement Gate) 技術等，旨在提升儲存密度或簡化製程。總體而言，3D NAND 未來幾年仍將在層數競賽和QLC 普及兩方面持續演進，以滿足指數成長的資料儲存需求。

高頻寬記憶體 (HBM) 和先進封裝

HBM 是一種將多顆DRAM裸晶垂直堆疊並通過 TSV 與基板相連的記憶體，具有超高資料傳輸頻寬和低延遲的特性，非常適合 AI 加速器、GPU 等需要海量資料高速存取的晶片。自 2016 年 HBM2 問世以來，HBM 技術已發展至 HBM3/3E，單顆頻寬達數百 GB/s。SK 海力士和三星電子是 HBM 的主要供應商，其中 SK 海力士在 HBM 市場佔有絕對領導地位，2025 年第二季其 HBM 市占率高達約 62%，遠超美光的21%和三星的17%。海力士憑藉技術和產能優勢，2023 年首次在 DRAM 營收市占上超越三星登上全球第一，即是因為 HBM 銷售的大幅成長。目前 SK 海力士領先競品研發出 HBM3E 並率先量產 HBM4 樣品，HBM4 預計在 2026 年投入市場，屆時每顆頻寬將達 1.2 TB/s 以上，更高效的能耗表現也可減輕資料中心功耗瓶頸。HBM 的興起已改變傳統 DRAM 市場版圖：雖然 HBM 位元量僅占 2024 年 DRAM 總出貨的約5%，但其銷售金額占比可達20%，因為每bit價值遠高於標準型 DRAM。可以預見未來幾年，HBM 將隨 AI 發展持續供不應求，各廠無不加緊研發更高代產品（如美光也宣布 2025 年提供 12-Hi HBM4 樣品）。除了 HBM，GDDR6X/7 等高速繪圖記憶體也在同步提升，服務於高階顯示卡和網路裝置。另一方面，為滿足運算對記憶體頻寬與容量的極限需求，新型立體封裝DRAM概念亦在探索，即將 DRAM 晶片像 3D NAND 一樣垂直堆棧形成所謂 3D DRAM。但目前3D DRAM仍處於實驗階段，離實用尚有距離，HBM 和 GDDR 系列會是近期高頻寬應用的主力。

新興記憶體技術

除了既有 DRAM/NAND 的演進，研發人員也在開發全新的記憶技術，以期兼具高速與非揮發特性，例如 MRAM（磁阻式記憶體）、ReRAM（阻變記憶體）、PCRAM（相變化記憶體） 等。這些新興記憶體具備快速寫入和非揮發性，被定位為未來可能部分取代 DRAM 或補充 NAND 的「存儲級記憶體」（Storage-Class Memory, SCM）。英特爾曾商業化的 3D XPoint (Optane) 屬於相變化記憶體技術的一種，不過由於成本和市場接受度問題在 2022 年停產。目前 MRAM 在部分嵌入式應用（如微控制器內建快取）已開始導入，但在容量和成本上暫無法挑戰 DRAM/NAND 的地位。未來若能克服技術瓶頸，新興記憶體有望在特定應用中發揮獨特價值，但中短期內主流市場仍將由 DRAM 與 NAND Flash 分治。

綜上所述，全球記憶體技術正朝著更高速、更高密度、更低功耗的方向演進。DDR5/LPDDR5 的廣泛部署提升了系統性能，3D NAND 的層數和每單元位元數增加推動儲存成本下降，而 HBM 等創新封裝記憶體則滿足了 AI 時代前所未有的頻寬需求。在未來幾年，我們將見證 DDR6、HBM4、300+層 NAND 等新技術陸續問世，記憶體行業也將因這些技術突破而持續發展，支撐起數位經濟對資料處理與存儲日益增長的需求。

競爭格局與主要廠商分析

全球記憶體市場的競爭格局高度集中而相對穩定，形成少數巨頭寡占的情形。同時，不同廠商在產品組合、技術策略和經營方針上各有側重，塑造了各具特色的競爭態勢。以下介紹主要廠商及其市場地位：

三星電子 (Samsung Electronics)

全球最大的記憶體製造商，在 DRAM 和 NAND Flash 兩大領域均高居龍頭。三星長年保持約 40–45% 的 DRAM 市佔率和 30–35% 的 NAND 市佔（2024年中數據），技術實力與產能規模均為業界之最。三星的競爭策略強調技術領先與成本領導：擁有雄厚研發資源，最早量產 14nm級 DRAM 並率先導入 EUV 製程，在 NAND 則開發出高堆疊 V-NAND。三星在記憶體超額利潤時期累積豐厚資金，使其能在低潮時繼續大量投資擴產，反周期策略讓其市占不斷提升。然而 2023 年 AI 熱潮中三星在 HBM 產品略顯落後，市占被 SK 海力士超車。為扭轉頹勢，三星正加速推出 HBM3E 並研發 HBM4，同時在 NAND 部署第9代堆疊技術，以期在新一輪競賽中重拾領先。

SK 海力士 (SK hynix)

南韓第二大、全球第二大記憶體廠，在DRAM 市場約占三成、NAND 市場（含旗下Solidigm）約占兩成出頭。SK 海力士的前身是現代電子，歷經併購整合成長迅速。技術方面，海力士近年風頭甚勁：率先量產 HBM3/3E，2023年靠 HBM 銷售額使其 DRAM 營收首度躍居全球第一。在 NAND 領域，海力士於 2020 年收購 Intel NAND 業務（組成子公司 Solidigm），大幅提升在 NAND 產業地位，目前NAND市占排名第二。SK 海力士策略上重視高價值產品與研發投入，其 HBM 技術領先業界，GDDR6、LPDDR5 等產品也屢居市場前列。同時，海力士積極擴充產能，包含在韓國清州興建新廠，在中國大陸無錫和大連也有生產基地。不過受制於美中科技戰，其中國廠先進設備獲取存在不確定性。海力士近年也強化和關鍵客戶（如 NVIDIA）的合作關係，確保高階產品出海口。財務方面，雖2023年經歷巨虧，但隨2024回春，公司計劃大幅增加資本支出，據傳2025年資本支出將比預期多增 30%，達 29 兆韓元。未來海力士目標在 HBM 市場穩固龍頭，並追趕三星在其他產品的市占，同時消化 Solidigm 併購資產以提升 NAND 競爭力。

美光科技 (Micron Technology)

美國唯一的主流記憶體製造商，全球排名第三（DRAM）和第四（NAND）。美光在 DRAM 市占約 20% ；NAND 市占約 10–12%。美光的競爭優勢在於技術實力且產品線完整：擁有先進 DRAM（1β nm節點量產中）、3D NAND（率先量產176層，推出232層 NAND）等技術。在高階應用如 GDDR6X 顯示記憶體、美光也是 NVIDIA 等的主要供應商。美光採取穩健經營與策略投資並舉：2013年收購日本爾必達後，一舉補足行動 DRAM 拼圖，並取得廣泛專利技術，使其綜合實力逼近韓系。近年美光積極響應美國重振半導體製造的號召，宣佈 2030 年前在美國本土投資 400 億美元增設先進製造，計劃使美國佔全球記憶體產能比重由不到2%提升至10%。

目前美光已在紐約興建新的 DRAM 超級晶圓廠，在愛達荷州總部擴建研發產線，並在日本廣島獲政府補助導入 EUV 量產 DRAM。雖然中國於 2023 年以國家安全為由禁用美光產品於關鍵基礎設施，導致美光損失中國市場部分業務，但美光正積極開拓其他地區客戶彌補空缺。美光的策略著重創新與轉型：在技術上率先研發128GB CXL記憶體模組；在產品組合上，更強調資料中心與車用領域（2025財年其資料中心相關營收佔比升至56%）。憑藉美國政策支持和自研能力，美光有望在未來保持全球前三的穩定地位，並在特定領域實現對韓系的差異化競爭。

鎧俠 (Kioxia)

前東芝記憶體事業，現為日本最大的記憶體公司，專注於 NAND Flash。鎧俠與美國 Western Digital 長期策略聯盟、共同投資日本四日市和北上工廠生產 NAND（實際產量雙方均分）。市場地位上，鎧俠自身 NAND 營收市占約 13–15%，若與 WD 合併計算則與 SK 海力士並列全球第二。

鎧俠的強項在於技術創新：東芝發明 NAND Flash，鎧俠繼承了深厚研發底蘊。其 BiCS 3D NAND 技術業界知名，目前正研發第8代 3D NAND，號稱層數超越 200 層且導入QLC架構，以提高單晶片容量。同時鎧俠在企業級 SSD 市場具一定份額，與PC OEM和資料中心客戶關係穩固。然近兩年 NAND 價格低迷導致鎧俠連續虧損，不得不縮減開支並推遲IPO計畫。為改善競爭力，鎧俠曾多次傳出將與合作夥伴 WD 合併記憶體業務的意向，希望整合資源提高效率。

但因估值、政府審查等因素遲遲未能敲定。未來鎧俠的發展取決於 NAND 市場走勢和整合能否成功。可以預料，鎧俠將持續深耕自家強項，例如加碼研發下一代 NAND（已宣布與 WD 共研 300+層技術），並優化產能配置以降低成本。如果能與 WD 完成併購，將形成與三星分庭抗禮的新 NAND 巨頭，提高產業定價話語權。

西部數據 (Western Digital, WD)

美國儲存裝置大廠，透過收購 SanDisk 間接成為 NAND 製造商，與鎧俠構成聯盟。WD 自身不生產DRAM，NAND 事業主要靠與鎧俠合資工廠供給，其 NAND 營收市占約 10%blocksandfiles.com。WD 的優勢在於垂直整合終端產品，例如 SSD 和記憶卡完整產品線，以及 HDD 市場的傳統勢力，使其能將 NAND 晶片內部消化於產品銷售。

但 WD 在 NAND 技術上相對依賴鎧俠研發輸出，獨立創新能力稍弱。近年 WD 也遭遇 NAND 業務虧損，2023 年初公司宣布將拆分硬碟與快閃記憶體兩大事業，以釋放價值並專注經營各自領域。WD–鎧俠合併傳聞也是因此而起。未來若合併完成，新公司將在產能、專利上更有競爭力，WD 的快閃業務有望擺脫目前受制於人的局面。短期內，WD 會著重提升產品附加價值，如推出針對 AI 應用的高性能，並強化企業級市場布局。WD 以系統整合見長，如果專注做好終端應用的解決方案，仍能在記憶體產業找到立足點。

長江存儲 (YMTC)

中國大陸 NAND Flash 新秀，成立於2016年，在政府資金與國策支持下迅速發展。長江存儲2019年成功研發 64 層 3D NAND，2020年量產 128 層 NAND，2022年更宣布推出232層 XStacking NAND，技術規格已趨近國際一流廠商。不過 2022 年底美國對其實施出口管制（將 YMTC 列入實體清單），EUV 光刻機等尖端設備無法取得，一定程度放緩了其技術進程。目前 YMTC 市場份額仍有限，但已成功打入部分中國智慧手機與消費性電子供應鏈。

TrendForce 的資料顯示 2025 年第一季 YMTC 在全球 NAND 市佔約 8.1%，排名第六。長江存儲的競爭策略一方面是依靠中國廣大內需市場：例如向華為、中國手機品牌供貨，以「國產替代」為賣點迅速搶占國內市佔；另一方面大幅擴充產能，2024年其武漢工廠月產能已約13萬片晶圓，目標 2025 年提升到15萬片，并放眼2026年底挑戰全球15%市佔。但 YMTC 也面臨嚴峻挑戰：美國管制限制其取得高階製程設備，可能被迫使用較落後技術生產，影響成本與良率。且鎧俠等日企近來傾銷低價產品至中國市場，也給 YMTC 造成壓力。未來若地緣緊張局勢趨緩，YMTC 技術追趕有望加速，成為 NAND 領域不可忽視的玩家。

長鑫存儲 (CXMT)

中國大陸 DRAM 後起之秀，成立於2016年前後，專攻 DRAM 製造。目前 CXMT 已量產 19nm 製程的 DDR4 記憶體和 LPDDR4X 行動記憶體，是中國第一家商用DRAM晶圓廠。其技術源自早期與奇夢達的淵源，自研能力逐步提升。CXMT 2022 年宣稱開發第二代10nm級（約17nm）工藝，有望生產 DDR5。然而 CXMT 在全球 DRAM 市場佔比仍極小，僅約 1–2%，主要供應國內模組廠與零售市場。美國管制也禁止其取得 EUV 等先進設備，勢必影響未來技術節點的推進。

CXMT 的策略與 YMTC 類似：深耕中國市場、爭取政府與本土客戶支持，同時厚植研發等待突破。目前 CXMT 已開始興建第二座晶圓廠，提高產能。同時也積極招募台灣、韓國的工程人才，以縮短與國際大廠差距。若國際情勢允許，CXMT 未來有潛力挑戰南亞科等第二梯隊廠商在利基型 DRAM 市場的位置，甚至進一步爭取主流PC、行動客戶單。但短期其規模和技術尚不足以撼動三星等寡頭格局。

南亞科技 (Nanya Tech)

台灣DRAM 廠商，全球市佔約 2–3%，產品以利基型和成熟製程 DRAM 為主。南亞科過去與美光技術合作，20nm世代以後主要靠自行開發，當前量產約10nm後段（1z左右）工藝，但尚未導入 EUV。南亞科的市場集中在特殊應用（如工業、消費性記憶體模組）及部份標準型 DRAM。相較巨頭，南亞科規模小但體質穩健，常在大廠漠視的細分市場取得不錯收益。

該公司正籌備興建新廠導入先進製程，以圖未來提升競爭力。然而新廠計畫進展稍有延宕，可能與技術來源及投資金額相關挑戰有關。南亞科策略上強調避開與三星等正面競爭，聚焦高毛利的利基產品，同時努力追趕技術節點縮小差距。如其成功量產 10nm級 DRAM，未來市佔有望略有提升，但受限於資源，南亞科大概率將維持小而美的經營定位。

華邦電子 (Winbond) 與旺宏電子 (Macronix)

這兩家台灣廠商主要生產利基型記憶體。華邦電子產品線包括利基型 DRAM（如車用、IoT裝置用低功耗DRAM）、以及 NOR Flash 等非揮發性記憶體，在車用電子市場有較高占有率。旺宏電子則是全球NOR Flash（可儲存程式碼的快閃記憶體）領導廠之一，也生產部分 ROM 和利基 DRAM。兩者在主流 DRAM/NAND 市場佔比很小，但因專注特殊應用，毛利率和市場地位穩固。例如旺宏與華邦的串行 NOR Flash 被廣泛應用於 PC BIOS、工控設備等。它們的策略是在巨頭不重視的小市場深耕，同時探索新技術（旺宏曾研發3D NAND型的 XtraFlash 技術）。展望未來，華邦與旺宏將持續發揮靈活、小批量多樣產品的優勢，在記憶體產業生態中扮演補充者角色，雖無法與巨頭抗衡但也享有獨特的利基市場。

綜觀競爭格局，記憶體產業已形成「3+5」結構：DRAM 由三星、SK海力士、美光三強壟斷，NAND 由上述三者加上鎧俠/WD聯盟及美國、日本、中國的幾家廠商瓜分。寡占帶來的高門檻，使得新進入者極為困難（需要極巨額資本與多年研發沉澱）。因此市場份額的變動更多來自存量博弈和兼併整合：典型如美光藉併購爾必達提升至世界第三，SK 海力士併購 Intel NAND 躍居 NAND 二把交椅。未來可能的整合如鎧俠與 WD 合併，將使 NAND 廠商縮減至四強。

競爭策略上，各家皆在技術研發和產能投資上鉅額下注，同時精心挑選產品組合以優化獲利。例如三星堅持大量資本開支拓展市場份額，而美光更著重於資本效率與技術卡位，SK海力士則押寶高階產品創造差異化。中國的後起之秀則靠內需並以政府補貼換取時間，搶占市場份額。全球記憶體格局將是少數巨頭寡占與區域新勢力崛起並存的局面。

財務表現與投資概況

主要記憶體廠商的財務表現高度受到週期波動影響。在景氣高峰期，這些公司常創下營收與利潤雙高的紀錄；而在低谷期，營收銳減、甚至出現虧損。整體而言，記憶體公司財務具備以下特點：

營收規模

三星、SK 海力士、美光作為前三大廠，在記憶體榮景時年營收均可達數百億美元。2025 年至 2026 年的記憶體市場正經歷由 AI 應用驅動的強勁復甦，預計 2025 年全球市場規模將擴大至 2,000 億美元，其中 HBM （高頻寬記憶體）是主要的價值增長點。HBM 營收預計在 2025 年將達到 340 億美元，佔 DRAM 總營收超過四分之一，這促使市場競爭的焦點徹底轉移。在市場地位上，SK 海力士憑藉其 HBM 領先地位，預計 2025 年 HBM 銷售額將佔其 DRAM 總營收的 50% 以上。同時，美光也預期在 2026 財年營收將增長 41%，其 HBM 收入在 2025 財年將貢獻總營收約 15%。即使在非 HBM 領域，NAND 廠商（如鎧俠/WD）也正在加速製程調整，預計市場將在 2025 年初復甦。

資本支出 (CapEx)

記憶體產業是資本密集型產業，廠商往往將大量營收再投入擴產和升級。一般而言，資本支出佔營收比常年保持 30–50% 的高水準。例如，美光在 2022 財年資本支出約 120 億美元，佔營收近四成；SK 海力士 2022 年資本支出達 19 兆韓元（約合150億美元），在2023年景氣差時宣布腰斬至約9兆，以減少庫存壓力。三星因為財力雄厚，即使在低潮也維持一定 CapEx 以擴大市占。隨著2024年市場回升，各公司又計劃恢復/增加資本投入。

TrendForce 預估 2025 年 DRAM、NAND 產業資本支出將分別年增 25%、10%，擺脫前兩年的緊縮。為確保在 AI 時代的競爭優勢，記憶體大廠的資本支出（CapEx）策略已發生結構性轉變，資金投入集中於支援 AI 算力基礎設施。預計 2025 年三大廠的總 CapEx 投入約為 540 億美元，投資重點明確為 HBM 效能提升，而非僅增加現有記憶體晶片產量。例如，SK 海力士預計其 2024 年 CapEx 增長 75%。美光也承諾高額 CapEx，預計其 2026 財年資本支出淨額近 210 億美元。這種高資本密集度和高研發支出的投入模式已成為常態。然而，產業的寡佔格局有助於三大廠維持其跨週期的平均 ROIC 高於資本成本，確保產業財務結構的穩健性。

研發投入 (R&D)

記憶體技術的尖端研發同樣燒錢，各大廠每年研發費用動輒數十億美元。一般研發費用佔營收比約在 10–15% 之間。總的來說，研發重點集中在新製程開發（EUV 技術、下一代材料）、新產品架構（如CXL介面、3D DRAM探索）、以及提升良率和降低成本的方法。這些研發對維持長期競爭力至關重要，也決定了技術世代領先與否。例如三星、美光投入巨資研發1β/1γ nm節點 DRAM 和 232+層 NAND，美光已宣示其 1γ (1-gamma) DRAM 和 HBM 相關技術投資正在進行，並將在 2025 財年顯著增加資本支出以配合研發成果轉化。

財務風險控管

由於記憶體價格波動劇烈，各廠商很重視財務穩健度。三星依靠多元化事業和龐大淨現金，可承受記憶體虧損並逆勢擴張；SK 海力士與美光等專業記憶體廠則在高峰期儲備現金、降低負債率，以備低潮時周轉。例如 SK 海力士 2017–2018 年大賺時進行資本重組、發行新股，提高抗風險能力。美光在低谷期通常控制庫存與資本支出，以維持自由現金流不至於大幅為負。截至 2025 年，美光的長期信用評級為 BBB（展望穩定），反映其償債能力和財務彈性尚可。此外，廠商也會利用衍生品或長單契約對沖部分風險，並將產品組合多元化以平滑利潤。例如南亞科、旺宏這類利基廠在低潮期反而能賺取穩定利潤，因為其專注市場較不受主流價格戰影響。

跨廠比較

在營收規模上，三星記憶體業務常年第一（2022年估計營收約 650 億美元以上），SK 海力士與美光不相上下（各約 270–300 億美元級別，在不同年度可能此消彼長）。鎧俠+WD 聯合營收約 150 億美元上下。中小廠如南亞科年營收僅約 20 億美元規模。資本支出方面，2022 年三星半導體 CapEx 超過 250 億美元，其中多數投入記憶體；SK 海力士約 150 億美元；美光約 120 億美元。2023 年各家均削減，2024 年開始重新上揚。研發費用則三星最高但分攤在整體事業，美光和SK絕對額在 30 億美元級，鎧俠私有未公開估計約 10 億美元級。值得一提的是，產業高獲利期已過去那種 “躺賺” 時代，現在每一分利潤都來自巨額投入的支撐。三大廠目前還能保持through-cycle（跨週期）平均ROIC高於資本成本，顯示整體產業財務結構有所改善，這也得益於寡占降低了過度競爭。

地緣政治風險

地緣政治風險正成為記憶體產業不容忽視的變數。中美科技戰是核心議題：美國近年對中國半導體業實施一系列嚴格限制，其中就包括記憶體領域。2022 年 10 月美國祭出出口管制規定，禁止向中國輸出生產先進 DRAM（18nm以下）和 NAND（128層以上）所需的美國設備與技術，直接針對長江存儲和長鑫存儲的技術升級進行圍堵。隨後美國又將 YMTC 等中國存儲企業列入實體清單，加強封鎖。這些措施導致中國廠商獲取 EUV 微影機、EDA 軟體等關鍵資源受阻，技術追趕遇到瓶頸。同時，美國聯合荷蘭、日本進一步限制對華出口高階浸沒式光刻機和晶圓蝕刻設備，目的是全面放慢中國半導體前沿進展。

中國方面亦有所反制。2023 年 5 月，中國網信辦以「國家安全」名義，禁止國內關鍵基礎設施採購美光產品。此舉被視為對美限制的報復，使美光約 12% 的營收受影響。由於中國市場佔全球記憶體銷量過半，美系廠商被排除在外將讓韓廠漁翁得利。的確，禁令出爐後，三星與 SK 海力士在中國資料中心和手機廠商的訂單明顯增加，美光則被迫尋找其他市場填補損失。除了美光案，中方也在審查美國晶片（如 NVIDIA GPU）稱其有安全風險，但尚未採取進一步禁令。這場科技戰使得記憶體產業蒙上不確定性：未來不排除中國對韓國記憶體廠出招，或美國進一步收緊對華設備出口許可（目前三星、西數在華 NAND 廠、SK 在華 DRAM 廠均獲美頒發臨時許可證，可勉強維持現有先進工藝運營，但新技術可能無法引入）。

供應鏈轉移與在地化

地緣緊張迫使記憶體供應鏈開始部分重組與轉移。美國推出 CHIPS 法案 提供補貼，吸引三星、美光在美投資製造。美光承諾至2030年在美投入 400 億美元建廠，使美國記憶體產能占全球比重提至 10%（目前低於2%）。三星則在德州新建超大型晶圓廠（主要生產邏輯晶片，但未來不排除配置部分記憶體產線）。同時，美國還與日本、印度等盟國合作加強半導體供應鏈。日本政府近年提供巨額補貼，邀請美光在廣島導入 EUV 製程線（補助高達 92 億日圓），並資助鎧俠/WD 聯合研發下一代存儲技術。鎧俠也宣布在日本三重縣新建先進 NAND 工廠，獲得政府支持。歐洲則雖無記憶體大廠，但亦有晶片法案資助，引來美光在義大利設立封測基地的意向。韓國本土則推動「K-芯片戰略」，計畫未來10年投資 300 兆韓元打造半導體聚落，其中三星、SK 記憶體工廠是重頭戲。

另一方面，中國本土正加速建構自給供應鏈。在美限制下，中國加大對國產半導體設備和材料的投入，以期降低對進口的依賴。報導指出中國已能提供長江存儲部分 28nm浸沒式光刻機及配套材料，雖離先進製程尚遠，但至少保障一定成熟節點的持續生產。另外，中國也鼓勵韓系廠留在中國生產（三星西安 NAND 廠、SK 無錫 DRAM 廠都是中國記憶體產能的重要組成）。截至目前，美國對三星、SK 在華工廠給予臨時豁免，不致立刻中斷供應，但長期看韓企可能將高階產能轉回國內，以免受制於人。例如 SK 已明言不會將 EUV 設備部署在無錫廠，只用於韓國本土新廠，以符合法規並確保技術安全。這意味著中國將難以獲得最新一代記憶體生產技術，製造版圖將與技術代差相掛鉤。

其他地緣風險

除了中美對抗，韓國與日本之間、台海局勢等也對記憶體供應鏈有潛在影響。2019 年日本突襲性地對韓國實施三項關鍵半導體材料出口管制（光刻膠、氟化氫、氟化聚醯亞胺），雖然未導致韓國記憶體停產，但迫使三星、SK 緊急尋求替代供應並提高庫存。該事件凸顯記憶體生產對日本高純材料的依賴以及供應鏈脆弱性。所幸韓日後來外交和解、管制放鬆，但雙方至今在科技領域保持競爭與戒心。至於台海，台灣是全球半導體生產重地，雖記憶體產能占比不算太高（約佔DRAM <10%、NAND <5%），但許多控制IC、封測等環節集中於此。如果台海出現衝突或緊張升級，將嚴重干擾整個半導體供應鏈，記憶體行業也難獨善其身。因此各國紛紛評估將部分生產轉移至本土或友好國家的可行性，以降低地緣集中風險。

總結影響

地緣政治正使記憶體產業區塊化雛形浮現：美韓日等盟國加強技術聯盟、投資在地製造，企圖形成「可信賴供應鏈」；而中國則被迫走自主路線，在本土市場內自成體系。不可能在短期內完全脫鉤（因中國仍需依賴韓國進口大量記憶體，韓企也離不開中國市場營收），但趨勢已啟動。對企業而言，必須在政治壓力與商業利益間謹慎平衡：韓國廠商一方面遵守美國管制，另一方面也遊說美國政府爭取豁免，避免在中國業務受損。美光則全力擴展中國以外市場並爭取美日補貼來減少對華依賴。鎧俠/WD 等也加強與中國客戶互動以維持市占，同時希望政府外交協助解決貿易爭端。可以預見，未來幾年地緣政治博弈將反覆衝擊記憶體產業：從原料供應到設備取得，從市場准入到知識產權，都可能成為角力點。

結論

全球 DRAM 與 NAND Flash 記憶體產業正處於關鍵轉折期。一方面，新技術浪潮（AI、5G）帶來的龐大需求令產業前景光明，2025 -2026年市場規模將再創高峰；另一方面，週期性波動和地緣政治風險也給產業穩定性蒙上陰影。未來產業將朝向技術更迭加速、競局高度集中但格局可能重組的方向發展。

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• Micron Technology News Release〈Micron Announces $40B Investment in US memory manufacturing〉，2022investors.micron.cominvestors.micron.com
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