HBM：AI 浪潮下的戰略物資，產能競賽誰是贏家？

在 2024 至 2026 年這段全球 AI 浪潮中，如果說輝達是戰場上的名將，那 HBM（High Bandwidth Memory，高頻寬記憶體） 就是支撐其強大戰力的核心糧草。隨著 Blackwell 甚至下一代 Rubin 架構的推出，HBM 已經從單純的存儲組件，演變成決定 AI 算力生死存亡的關鍵。

究竟什麼是 HBM？為什麼它的產能無法快速提高？而在 2026 年這場產能競賽中，誰才是真正的贏家？

什麼是 HBM？「垂直堆疊」的記憶體革命

它利用 TSV（Through-Silicon Via，矽穿孔） 技術，將多個 DRAM 晶片像蓋大樓一樣垂直堆疊，並直接與 GPU 封裝在一起。

• 極高頻寬： 解決了處理器運算太快、記憶體傳輸太慢的「記憶體牆」瓶頸。
• 低功耗與省空間： 縮短傳輸距離，讓 AI 伺服器能在有限空間內爆發出驚人效能。

HBM4：2026 年起的結構性躍升

隨著 AI 模型參數突破兆級，目前的 HBM3e 已逐漸無法滿足需求。2026 年即將量產的 HBM4（第六代），被視為一場結構性革命：

1. 頻寬翻倍： 介面寬度從 1,024 位元首度倍增至 2,048 位元，資料傳輸速度突破 2 TB/s。
2. 容量神話： 支援 16 層（16-Hi）堆疊，單顆容量可達 48GB 以上。這意味著單台伺服器能加載更大規模的 AI 模型。
3. 邏輯層客製化： HBM4 的底層晶片改採台積電的先進製程（5nm），讓記憶體與 GPU 的連結更像「一體化」，大幅降低功耗。

產能困局：為什麼「有錢也買不到」？

許多人好奇，既然 HBM 這麼賺錢，廠商為何不全力擴產？事實上，HBM 的生產面臨極大的物理與經濟限制。

1. 產能排擠效應

生產 1 片 HBM 所消耗的晶圓面積，大約會犧牲掉原本可以生產 3 片普通 DDR5 的產能。這導致海力士與美光在追逐 HBM 高毛利的同時，必須大幅縮減一般 PC 與手機記憶體的供給。

2. 良率是最大的敵人

HBM 就像蓋摩天大樓，每一層都要精準鑽孔。只要其中一層出錯，整顆昂貴的堆疊晶片就得報廢。目前 HBM3e 的良率僅約 40%~60%，遠低於一般記憶體的 90%。

3. 設備交期過長

關鍵的封裝設備（如 Besi 的混合鍵合機）交期長達一年以上，這使得擴產計畫具有極長的前導期，無法應對突發的需求噴發。

誰是這場賽事的最大贏家？

在 2026 年的供給結構中，三大巨頭與隱形贏家的角色各異，整理如下

結語：2027供需平衡與一般記憶體的漲價潮

展望未來，HBM 的產能分配將導致一個有趣的現象：「排擠效應」將引發一般記憶體（DDR5）的報復性漲價。 當 25%~30% 的晶圓產能被拿去產 HBM，一般 PC 與伺服器市場將面臨長期的 DRAM 短缺，這也是台灣記憶體股飆漲的主因。

而在 2026 年底，隨著三星產能全面開出，HBM 的短缺狀況可能緩解。對投資者與產業觀察者而言，2027 年是否會出現「產能過剩」的轉折，將取決於輝達 Rubin 平台的需求是否如預期強勁。

總結來說，HBM 不再只是電腦裡的零件，它是 AI 時代的戰略物資。 誰能掌握良率與台積電的產能支持，誰就能在未來三年的 AI 盛宴中，分到最豐盛的那塊蛋糕。當然這幾家公司的股價早已水漲船高，投資時仍須謹慎，畢竟記憶體產業永遠都是大起大落。