前一篇我們談到半導體就是能夠控制開與關的材料。但矽本身怎麼知道什麼時候該導電、什麼時候不能導電？這一篇，我們慢慢拆解這個問題，半導體開關之所以能成立，是因為我們懂得如何精確操縱矽的內部世界。
半導體不是介於中間，而是能切換狀態
半導體的關鍵特性是其「能帶寬度」可透過外部條件改變導電性，能被控制地在導與不導之間切換。
大多數人第一次聽到半導體這個詞時，直覺想是不是它的導電能力介於金屬（會導電）和絕緣體（不導電）之間？聽起來合理，但其實不對。半導體真正的特點不是導電性居中
它的導電性可以在極大範圍內被控制、被切換，從完全不導電到極佳導電。
以矽（silicon）為例，其導電性可以改變達六個數量級（106）。這讓我們能夠讓材料在絕緣狀態與導電狀態之間切換。這就是為什麼半導體能作為開關的關鍵原因。
什麼決定一塊材料能不能導電？
這裡需要一點點物理背景，但我會用直白比喻講解。想像你是電子，待在原子裡的椅子上。你必須跳到另一張椅子上（移動），才能產生電流。但問題是
- 有些材料（如塑膠）：椅子全都滿了，也沒有多的空位，電子根本動不了 → 絕緣體
- 有些材料（如金屬）：椅子很多，電子自由地跳來跳去 → 導體
- 而在矽這種材料裡：椅子其實不多、也不易跳，但我們可以透過一些手段新增跳椅或打亂原本排列，讓電子動起來 → 半導體
所以，矽導不導電，完全取決於我們能否讓電子有機會自由移動。需要操縱三件事
1. 加熱：讓電子自己跳出來
你可能知道：金屬加熱後導電性會下降，因為電子被震亂、亂跑。但對半導體來說，加熱會「激發」原子中的電子跳脫束縛 → 多出可自由移動的電子。也就是說，溫度越高，矽導電性越強。這也讓矽成為一種溫度感測材料，它自己會發現熱，然後變得更能導電。
2. 照光：用光子打醒沉睡電子
光是一種能量。如果你用燈照矽，有些光子會撞出電子，同時留下「空位」，這個空位在物理學裡被稱為電洞（hole）。結果是：你多了一對可移動的電子和電洞，都能導電。這種現象稱為光電導效應，是太陽能板和感光元件的基礎。
3. 加入雜質：摻進一點點「不同的原子」
這招叫做摻雜（doping）。聽起來像壞事，但對矽來說是福音。我們可以在純矽中加入極少量的其他原子，例如
- 第 V 族元素（如砷 As）摻雜：比矽多一顆電子的元素 → 多了自由電子 → 叫做 n 型半導體
- 第 III 族元素（如鎵 Ga）摻雜：比矽少一顆電子的元素 → 留下空位，也就是電洞 → 叫做 p 型半導體
這種摻雜會讓矽在某些區域變得容易導電，而其他地方仍然不導電。在金屬裡，只有電子會跑。但在矽裡，電子與電洞都能流動。
- 電子是實體的帶負電粒子，在晶格中移動。
- 電洞則是「缺了一顆電子的地方」，電子移過來補位時，空位就像是往反方向在移動。
一個電子往右跑，也代表電洞往左跑。
這讓我們在矽中有兩種載體（我們稱為「電荷載子」）可以用來傳遞電流，提升控制能力。
摻雜不同材料，讓我們做出開關：PN 接面
除了電子，電洞也能在晶體中「像電荷一樣」傳遞，讓導電行為更加可控。
現在我們已經有兩種區域：n 型（多電子）和 p 型（多電洞），當你把這兩區連在一起，它們的交界處會自然形成一個電氣障壁，能夠控制電流是否通過。這個區域稱為PN 接面（junction），是所有二極體、電晶體的核心。加一點電壓，這個接面就能打開或關閉。
這些結構怎麼蓋到晶片上的？
半導體製程將理論中的物理結構，化為矽晶圓上一個個具體的元件。
第一步：圖案化（Patterning）
在晶圓表面刻出不同區域，製造開關的結構。這流程得重複幾十次，每次只蓋一層，就像堆積木。
- 在一塊經過處理的矽晶圓（wafer）上，先沉積一層功能性材料（如多晶矽）
- 再用光阻膠塗在表面
- 用光罩照光（像照相），只曝光指定圖案
- 顯影，洗掉被照光的區域
- 用化學蝕刻移除不要的部分
- 剩下的圖案，就是電晶體的一部分
EUV（極紫外光微影技術）就是用在這一步。它是目前最先進的曝光技術，可以將圖案精準對準到幾奈米以下的尺度，讓電晶體能夠再微縮、再壓縮。
第二步：局部摻雜（Doping）
在特定區域注入不同的雜質，製造出 n 型與 p 型區。通常透過一種叫離子佈植的技術，把雜質原子變成帶電粒子，然後用高壓把它們射進矽裡（像子彈一樣）。接著高溫退火，讓晶格恢復秩序並吸收這些新成員。
當你把這兩種工藝交錯使用，精準控制哪裡要摻什麼、哪裡要保留或移除材料，你就能在一顆指甲大小的晶片上，擺上幾百億個開關。
這些開關就能組成：
- 記憶體（儲存資訊）
- 處理器（做出判斷）
- 感測器（偵測世界）
- 顯示器與無線晶片（輸出與傳輸）
