0) 課程定位與目標 🎯
電子學（一）聚焦「類比電路基礎」，以元件物理＋小訊號模型建立放大器分析與設計能力。完成本課後，你要能：
- 了解二極體、BJT、MOSFET 的工作區與基本電性
- 由 DC 工作點推導小訊號模型（gm、rπ、ro / gds）
- 求放大器增益 Av、輸入/輸出阻抗 Rin/Rout、線性範圍
- 分析頻率響應（低頻/中頻/高頻）、寄生與米勒效應
- 以仿真（LTspice）或量測觀點驗證推導
1) 核心主題地圖 🗺️
A. 半導體元件基礎 🧩
- 二極體 I–V、工作點、整流/限幅/鉗位、小訊號線性化
- BJT：工作區、偏壓、gm、rπ、ro
- MOSFET：區域判斷、gm、gds、λ 與小訊號模型
B. 放大器基礎（本課主軸）📈
- 小訊號等效電路、增益推導
- 共射/共源、射極/源極退化（負回授直覺）
- 偏壓穩定度、溫度與製程敏感性
C. 頻率響應 🌊
- 低頻極點（耦合/旁路電容）
- 中頻增益（小訊號線性區）
- 高頻模型（寄生電容、米勒效應）與頻寬估算
D. 多級與回授（若課程涵蓋）🔁
- 多級放大器與級間耦合、增益分配與擺幅裕度
- 基本回授觀念：增益/頻寬/線性/阻抗 trade-off
2) 16 週學習內容（建議版）📅🧠
1️⃣ Week 1｜課程導論＋類比電路觀念地圖
- DC/AC 分析流程、工程近似、單位/量級檢查
- 指數模型、等效電路、負載線、溫度直覺
3️⃣ Week 3｜二極體 II：整流、限幅、鉗位、小訊號線性化
- 小訊號電阻 r_d、常見題型整理
4️⃣ Week 4｜BJT I：工作區、偏壓觀念、β 與 Ic 關係
- 截止/放大/飽和判斷、偏壓穩定性
5️⃣ Week 5｜BJT II：小訊號模型（gm、rπ、ro）
- 由 Q-point 推 gm、建立小訊號等效電路
6️⃣ Week 6｜BJT 放大器 I：共射（CE）中頻分析
- Av、Rin、Rout、射極退化的增益/線性 trade-off
7️⃣ Week 7｜BJT 放大器 II：偏壓設計與溫度/製程敏感性
- 分壓偏壓、工作點設計、線性範圍與失真起點
8️⃣ Week 8｜期中考週 📝
- 建議範圍：Week 1–7（DC→AC 流程＋二極體/BJT＋CE 題型）
9️⃣ Week 9｜MOSFET I：區域判斷、Id–V 特性、Vov 觀念
- 截止/線性/飽和、λ（通道長度調變）
🔟 Week 10｜MOSFET II：小訊號模型（gm、gds、ro）
- 由工作點推 gm、ro，建立小訊號等效
1️⃣1️⃣ Week 11｜MOS 放大器 I：共源（CS）中頻分析
- Av、Rin、Rout、源極退化與設計直覺
1️⃣2️⃣ Week 12｜頻率響應 I：低頻（耦合/旁路電容極點）
- 低頻截止估算、電容「看見的等效電阻」技巧
1️⃣3️⃣ Week 13｜頻率響應 II：高頻模型、寄生電容、米勒效應
- 高頻截止、增益頻寬直覺、常見陷阱
1️⃣4️⃣ Week 14｜多級放大與級間耦合（設計觀點）
- 增益分配、阻抗影響、輸入/輸出擺幅與飽和裕度
1️⃣5️⃣ Week 15｜回授基礎＋全課規格整合（考前整理）🔁
- 回授對增益/頻寬/線性/阻抗的影響（重概念＋題型）
1️⃣6️⃣ Week 16｜期末考週 🏁
- 建議範圍：Week 9–15＋整合（MOS＋頻率響應＋多級/回授）
3) 高分必備能力清單 ✅
- 先 DC 後 AC：工作點不對，後面增益全錯
- AC 分析會做「AC ground」：電源端在小訊號視為接地
- 會估 gm：BJT gm≈Ic/VT；MOS gm≈2Id/Vov（建立量級直覺）
- 會做 sanity check：單位、方向、極限情況（R→∞、C→0/∞）
4) 解題與讀書 SOP（照做就穩）🧾🧠
- 畫電路、標 DC 路徑（找偏壓）
- 求 Q-point（V、I）並確認工作區正確
- 轉小訊號（gm、rπ、ro / gds、ro；電源→AC ground）
- 先算中頻 Av、Rin、Rout，再處理低頻/高頻
- 用仿真驗證（AC sweep + transient），對照推導
5) 本房間（VOCUS）筆記產出格式 📝📌
每章固定模板，考前直接翻這些就夠：
- 🎯 本章一句話（核心觀念）
- 🧩 模型與公式（gm、rπ、ro、米勒效應…）
- 🧠 題型模板（最常考 3–5 題）
- ⚠️ 易錯點（工作區、符號、AC ground、電容狀態）
- ✅ 速讀清單（10 條以內）＋小抄圖
